一种抗大电流冲击的芯片结构制造技术

本实用新型专利技术涉及LED照明领域，尤其涉及一种抗大电流冲击的芯片结构，包括蓝宝石衬底，所述蓝宝石衬底上设有外延层，所述外延层设有电流阻挡层，所述外延层和电流阻挡层上设有ITO蒸镀层，所述ITO蒸镀层上设有P极电流扩展条，所述P极电流扩展条上设有DBR层，所述DBR层具有开孔，所述P极电流扩展条的外径自靠近DBR层开孔的一端向远离DBR层开孔的一端逐渐减小。本实用新型专利技术提供的抗大电流冲击的芯片结构，能有效提高芯片的电流冲击能力，满足芯片测试要求。测试要求。测试要求。

【技术实现步骤摘要】
一种抗大电流冲击的芯片结构


[0001]本技术涉及LED照明领域，尤其涉及一种抗大电流冲击的芯片结构。

技术介绍

[0002]LED即发光二极管，是一种电能转化为光能的固态半导体器件。随着对LED芯片亮度要求的增高，芯片的尺寸也随着加大，如申请号为CN201220621155.3、名称为大尺寸LED芯片的中国技术专利。对于大尺寸的LED芯片而言，其驱动电流和静电测试电压也随之增大，如果按传统的芯片结构设计电极则无法达到测试要求。

技术实现思路

[0003]为了克服上述现有技术的缺陷，本技术所要解决的技术问题是提供一种抗大电流冲击的芯片结构，能有效提高芯片的电流冲击能力，满足芯片测试要求。
[0004]为了解决上述技术问题，本技术采用的技术方案为：一种抗大电流冲击的芯片结构，包括蓝宝石衬底，所述蓝宝石衬底上设有外延层，所述外延层设有电流阻挡层，所述外延层和电流阻挡层上设有ITO蒸镀层，所述ITO蒸镀层上设有P极电流扩展条，所述P极电流扩展条上设有DBR层，所述DBR层具有开孔，所述P极电流扩展条的外径自靠近DBR层开孔的一端向本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种抗大电流冲击的芯片结构，其特征在于，包括蓝宝石衬底，所述蓝宝石衬底上设有外延层，所述外延层设有电流阻挡层，所述外延层和电流阻挡层上设有ITO蒸镀层，所述ITO蒸镀层上设有P极电流扩展条，所述P极电流扩展条上设有DBR层，所述DBR层具有开孔，所述P极电流扩展条的外径自靠近DBR层开孔的一端向远离DBR层开孔的一端逐渐减小。2.根据权利要求1所述的抗大电流冲击的芯片结构，其特征在于，所述P极电流扩展条的宽度范围为3.5um
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4.5um...

【专利技术属性】
技术研发人员：黄章挺，张帆，郑高林，
申请(专利权)人：福建兆元光电有限公司，
类型：新型
国别省市：