一种废铅膏湿法短流程制备氯化铅晶体的方法技术

本发明专利技术属于废铅酸蓄电池资源化及氯化铅晶体制备技术领域，公开了一种废铅膏湿法短流程制备氯化铅晶体的方法，具体包括以下步骤：S1：将废铅膏置于碳酸盐溶液中搅拌反应，得到脱硫铅膏；S2：以HCl

【技术实现步骤摘要】
一种废铅膏湿法短流程制备氯化铅晶体的方法


[0001]本专利技术属于废铅酸蓄电池资源化及氯化铅晶体制备
，更具体地，涉及一种废铅膏湿法短流程制备氯化铅晶体的方法。

技术介绍

[0002]氯化铅是铅基钙钛矿太阳能电池以及PbS量子点材料制备过程中最重要的原料之一。随着光伏器件的迅速发展，PbS量子点光电器件具有效率高、质量轻、制作工艺简单、可制备成大面积柔性器件等突出优点而备受关注，但是与当今市场领先的晶体硅光伏器件相比，其制作成本依旧较高，需要低成本的高纯度氯化铅来解决原料昂贵的问题。目前商业氯化铅原料的制备过程是将碳酸铅、氧化铅或醋酸铅与盐酸反应得到氯化铅，过程消耗大量酸性试剂和能源，工艺副产物无法循环使用并且利用价值不高。另一方面，锂离子电池的迅速发展会对铅酸蓄电池的消费造成一定的替换，从而导致铅需求下降。目前“铅退锂进”趋势明显，铅消费受到替代影响，消费领域应用市场萎缩，以铅酸蓄电池为主要产品的再生铅市场面临挑战。
[0003]废铅膏为铅酸蓄电池经破碎筛分处理得到的主要再生铅原料，其主要成分包括PbSO4、PbO2、PbO、本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种废铅膏湿法短流程制备氯化铅晶体的方法，其特征在于，包括以下步骤：S1：将废铅膏置于碳酸盐溶液中搅拌反应至少1h，然后固液分离，该固液分离得到的固体即为脱硫铅膏；其中，所述碳酸盐溶液中的碳酸根离子与所述废铅膏中的硫酸根离子两者的摩尔比大于等于1:1；S2：以HCl
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NaCl混合溶液为浸出剂，将步骤S1得到的所述脱硫铅膏置于浸出剂中，于70℃
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90℃的温度条件下进行浸出反应至少2h，然后固液分离得到滤液；其中，所述浸出剂的pH值不超过2.0；S3：将步骤S2得到的滤液重结晶后进行固液分离，该固液分离得到的固体即为氯化铅晶体。2.如权利要求1所述废铅膏湿法短流程制备氯化铅晶体的方法，其特征在于，所述步骤S3中，所述重结晶具体是采用降温重结晶；优选的，所述固液分离得到的滤液，能够作为浸出剂，重复用于步骤S2；更优选的，所述降温重结晶所采用的温度为
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20℃～
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4℃。3.如权利要求1所述废铅膏湿法短流程制备氯化铅晶体的方法，其特征在于，所述步骤S2中，所述浸出剂中氯离子浓度不少于4.32mol/L；优选的，所述浸出剂的pH值为1.0
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2.0；所述浸出剂中的氯离子浓度为4.32mol/L
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5.19mol/L；所述脱硫铅膏与所述浸出剂的固液比为30g/L
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40g/L；更优选的，所述HCl
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NaCl混合溶液是通过向浓度250g/L
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300g/L氯化钠...

【专利技术属性】
技术研发人员：杨家宽，仝宇昕，胡广，李朝阳，梁莎，邹庆芳，周世发，黄亮，段华波，袁书珊，胡敬平，
申请(专利权)人：华中科技大学，
类型：发明
国别省市：