本发明专利技术提供能够抑制上部电极的异常放电的上部电极和等离子体处理装置。本发明专利技术的上部电极在电容耦合型的等离子体处理装置中构成喷淋头。上部电极包括第一部件、第二部件和第三部件。第一部件由导电体形成。在第一部件形成有第一气孔。第一气孔贯穿第一部件。第二部件由导电体形成。第二部件设置在第一部件之上。在第二部件形成有第二气孔。第三部件由电介质形成。第三部件设置在第一部件与第二部件之间。第三部件形成气体扩散室。第一气孔和第二气孔与气体扩散室连接。二气孔与气体扩散室连接。二气孔与气体扩散室连接。
【技术实现步骤摘要】
上部电极和等离子体处理装置
[0001]本专利技术涉及上部电极和等离子体处理装置。
技术介绍
[0002]在对基片的等离子体处理中，使用等离子体处理装置。一种等离子体处理装置是电容耦合型的等离子体处理装置，包括等离子体处理腔室、基片支承部和上部电极。上部电极设置在基片支承部的上方，构成喷淋头。在上部电极的内部形成有能够从气体导入口被导入处理气体的气体扩散室。
[0003]现有技术文献
[0004]专利文献
[0005]专利文献1：日本特开2001
‑
298015号公报
技术实现思路
[0006]专利技术要解决的技术问题
[0007]本专利技术提供能够抑制上部电极的异常放电的技术。
[0008]用于解决技术问题的手段
[0009]在一个例示性实施方式中，提供一种上部电极。上部电极在电容耦合型的等离子体处理装置中构成喷淋头。上部电极包括第一部件、第二部件和第三部件。第一部件由导电体形成。在第一部件形成有多个第一气孔。多个第一气孔贯穿第一部件。第二部件由导电体形成。第二部件设置在第一部件之上。在第二部件形成有一个以上的第二气孔。第三部件由电介质形成。第三部件设置在第一部件与第二部件之间。第三部件形成气体扩散室。多个第一气孔和一个以上的第二气孔与气体扩散室连接。
[0010]专利技术效果
[0011]采用一个例示性实施方式，能够抑制上部电极的异常放电。
附图说明
[0012]图1是用于对电容耦合型的等离子体处理装置的结构例进行说明的图。
[0013]图2是一个例示性实施方式的上部电极的截面图。
[0014]图3是一个例示性实施方式的第二部件的立体图。
[0015]图4是表示一个例示性实施方式的上部电极的一部分的截面图。
[0016]图5是表示另一个例示性实施方式的上部电极的一部分的截面图。
[0017]图6是表示又一个例示性实施方式的上部电极的一部分的截面图。
[0018]图7是表示又一个例示性实施方式的上部电极的一部分的截面图。
[0019]图8是表示又一个例示性实施方式的上部电极的一部分的截面图。
[0020]图9是表示又一个例示性实施方式的上部电极的一部分的截面图。
[0021]附图标记说明
[0022]1等离子体处理装置，10等离子体处理腔室，10s等离子体处理空间，11基片支承部，13喷淋头，13b气体扩散室，14、14A、14B、14C、14D上部电极，51第一部件，51h第一气孔，52第二部件，52a槽，52h第二气孔，53第三部件，53a侧壁，53b顶部，53c底部，53d抵接部，53h第三气孔，54密封部件(第一密封部件)，55密封部件(第二密封部件)，AX轴线，B边界。
具体实施方式
[0023]下面，对各种例示性实施方式进行说明。
[0024]在一个例示性实施方式中，提供一种上部电极。上部电极在电容耦合型的等离子体处理装置中构成喷淋头。上部电极包括第一部件、第二部件和第三部件。第一部件由导电体形成。在第一部件形成有多个第一气孔。多个第一气孔贯穿第一部件。第二部件由导电体形成。第二部件设置在第一部件之上。在第二部件形成有一个以上的第二气孔。第三部件由电介质形成。第三部件设置在第一部件与第二部件之间。第三部件形成气体扩散室。多个第一气孔和一个以上的第二气孔与气体扩散室连接。
[0025]在上述实施方式中，气体扩散室由第三部件形成，第三部件由电介质形成。因此，即使电子或正离子从多个第一气孔各自进入气体扩散室并与形成气体扩散室的第三部件碰撞，从第三部件释放的二次电子的量也少。其结果是，能够抑制上部电极的异常放电。
[0026]在一个例示性实施方式中，可以是上部电极还包括第一密封部件和第二密封部件中的至少一者。第一密封部件被夹在第一部件与第三部件之间。第二密封部件被夹在第二部件与第三部件之间。第一密封部件能够抑制向第一部件与第三部件之间的间隙去的处理气体的流动的形成。第二密封部件能够抑制向第二部件与第三部件之间的间隙去的处理气体的流动的形成。能够利用第一密封部件和第二密封部件中的至少一者，使在气体扩散室形成的处理气体的流动稳定。
[0027]在一个例示性实施方式中，第三部件可以包括侧壁和顶部。侧壁以包围气体扩散室的方式在周向上延伸。顶部在气体扩散室上延伸。第二密封部件可以被夹在第三部件的侧壁与第二部件之间。或者，第二密封部件可以被夹在第三部件的顶部与第二部件之间。第二密封部件被夹在第二部件与第三部件之间，从而能够对第三部件发挥反作用力。利用该反作用力，能够将第三部件相对于第一部件的相对位置固定。因此，能够抑制第三部件与第一部件之间的摩擦。其结果是，能够抑制由第三部件与第一部件之间的摩擦引起的颗粒的产生。
[0028]在一个例示性实施方式中，顶部可以以与多个第一气孔各自的气体扩散室侧的开口端相对的方式配置。多个第一气孔各自的开口端与顶部相对，因此，从多个第一气孔各自进入气体扩散室的电子或正离子的大部分存在与顶部碰撞的趋势。难以从顶部释放二次电子。因此，采用该实施方式，能够进一步抑制上部电极的异常放电。
[0029]在一个例示性实施方式中，第三部件可以包括底部。底部可以配置在气体扩散室的下方。
[0030]在一个例示性实施方式中，可以在底部形成有多个第三气孔。多个第三气孔可以分别与多个第一气孔对齐。进入多个第一气孔的电子或正离子，在到达气体扩散室之前，会与形成多个第三气孔的壁面碰撞。形成多个第三气孔的壁面难以释放二次电子。因此，采用该实施方式，能够进一步抑制上部电极的异常放电。
[0031]在一个例示性实施方式中，第二密封部件可以被夹在第二部件与底部之间。第二密封部件被夹在第二部件与底部之间，从而能够对第三部件发挥反作用力。利用该反作用力，能够将第三部件相对于第一部件的相对位置固定。因此，能够抑制第三部件与第一部件之间的摩擦。其结果是，能够抑制由第三部件与第一部件之间的摩擦引起的颗粒的产生。
[0032]在一个例示性实施方式中，第一密封部件可以被夹在第一部件与底部之间。在该实施方式中，能够抑制因第三部件与第一部件之间的摩擦而可能产生的颗粒侵入多个第一气孔。
[0033]在一个例示性实施方式中，可以是第一密封部件和第二密封部件中的至少一者将第一部件与第二部件之间的边界与气体扩散室分离。在该实施方式中，利用第一密封部件和第二密封部件中的至少一者，将容易发生异常放电的该边界与气体扩散室分离。因此，能够进一步抑制上部电极的异常放电。
[0034]在一个例示性实施方式中，可以是第一密封部件和第二密封部件中的至少一者将第一部件与第二部件之间的边界与多个第三气孔分离。能够利用第一密封部件和第二密封部件中的至少一者，抑制因第三部件与第二部件之间的摩擦而可能产生的颗粒侵入多个第三气孔。
[0035]在一个例示性实施方式中，可以第三部件将第一部件与第二部件之间的边界与气体扩散室分离。本文档来自技高网...
【技术保护点】
【技术特征摘要】
1.一种上部电极，其为在电容耦合型的等离子体处理装置中构成喷淋头的上部电极，其特征在于，包括：由导电体形成的第一部件，在该第一部件形成有贯穿该第一部件的多个第一气孔；由导电体形成的、设置在所述第一部件之上的第二部件，在该第二部件形成有一个以上的第二气孔；和由电介质形成的、设置在所述第一部件与所述第二部件之间的第三部件，其形成气体扩散室，所述多个第一气孔和所述一个以上的第二气孔与所述气体扩散室连接。2.如权利要求1所述的上部电极，其特征在于：还包括第一密封部件和第二密封部件中的至少一者，其中，所述第一密封部件被夹在所述第一部件与所述第三部件之间，所述第二密封部件被夹在所述第二部件与所述第三部件之间。3.如权利要求2所述的上部电极，其特征在于：所述第三部件包括：以包围所述气体扩散室的方式在周向上延伸的侧壁；和在所述气体扩散室上延伸的顶部，所述第二密封部件被夹在所述侧壁与所述第二部件之间或者所述顶部与所述第二部件之间。4.如权利要求3所述的上部电极，其特征在于：所述顶部以与所述多个第一气孔各自的所述气体扩散室侧的开口端相对的方式配置。5.如权利要求2～4中任一项所述的上部电极，其特征在于：所述第三部件包括配置在所述气体扩散室的下方的底部。6.如权利要求5所述的上部电极，其特征在于：在所述底部形成有分别与所述多个第一气孔对齐的多个第三气孔。7.如权利要求5或6所述的上部电极，其特征在于：所述第二密封部件被夹在...
【专利技术属性】
技术研发人员：山中进矢，北泽贵，
申请(专利权)人：东京毅力科创株式会社，
类型：发明
国别省市：
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