掩膜结合力测试方法技术

本申请涉及一种掩膜结合力测试方法。测试方法包括如下步骤：在基材的表面放置隔离件，使所述隔离件遮蔽所述基材的部分表面。在所述隔离件的部分表面制备测试掩膜，并使所述测试掩膜延伸至所述基材裸露的表面。通过对所述隔离件裸露的部分施加作用力以使所述测试掩膜与所述基材完全分离，并测试所述作用力的大小。该测试方法中，在基材和测试掩膜之间设置隔离件，隔离件遮蔽基材的部分表面，同时使隔离件的部分表面裸露。通过对隔离件裸露的部分施加作用力以使测试掩膜与基材完全分离，并测试作用力的大小。这样可以通过作用力的大小来反映测试掩膜与基材之间的结合力，进而可以对掩膜与基材之间的结合力进行测试。掩膜与基材之间的结合力进行测试。掩膜与基材之间的结合力进行测试。

【技术实现步骤摘要】
掩膜结合力测试方法


[0001]本申请涉及电子产品制造
，尤其是涉及一种掩膜结合力测试方法。

技术介绍

[0002]在电子产品的制造过程中，通常会涉及到线路的制作工艺。在制作线路时，往往会采用掩膜材料在基材上形成掩膜，然后通过曝光、显影等操作露出基材的部分区域，再通过刻蚀、电镀等方式在露出的基材上形成相应的线路。
[0003]在制作线路的过程中，掩膜与基材之间的结合力对后续形成的线路的性能具有较为重要的影响。当掩膜与基材之间的结合力过大或者过小时，都容易得到不良的线路，进而导致产品的良率下降。请参阅图1，当掩膜200与基材100之间的结合力过小时，在接下来的曝光、显影操作之后，可能会使基材100需要被遮蔽的部分露出。比如图1中掩膜200与基材100之间的空隙，对应的基材100需要被遮蔽的部分会露出，在后续可能会产生过度刻蚀、渗镀等问题。请参阅图2，当掩膜200与基材100之间的结合力过大时，在接下来的曝光、显影操作之后，可能会出现残胶的问题，即掩膜200将基材100需要露出的部分被遮蔽，影响后续的刻蚀、电镀等操作。
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【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种掩膜结合力测试方法，其特征在于，包括如下步骤：在基材的表面放置隔离件，使所述隔离件遮蔽所述基材的部分表面；在所述隔离件的部分表面制备测试掩膜，并使所述测试掩膜延伸至所述基材裸露的表面；通过对所述隔离件裸露的部分施加作用力以使所述测试掩膜与所述基材完全分离，并测试所述作用力的大小。2.根据权利要求1所述的掩膜结合力测试方法，其特征在于，在所述隔离件相对的两侧，所述测试掩膜在所述基材裸露的表面的延伸距离相等。3.根据权利要求2所述的掩膜结合力测试方法，其特征在于，所述延伸距离为2mm～5mm。4.根据权利要求1所述的掩膜结合力测试方法，其特征在于，所述作用力的方向与所述基材的表面垂直。5.根据权利要求1所述的掩膜结合力测试方法，其特征在于，所述隔离件裸露的部分包括所述隔离件的两端，施加所述作用力时，在所述隔离件的两端同步施加所述作用力。6.根据权利要求5所述的掩膜结合力测试方法，其特征在于，在平行于所述基材的表面且沿远离所述测试掩膜的方向上，所述隔离件的两端的裸露距离分别为2cm～4cm。7.根据权利要求5所述的掩膜结合力测试方法，其特征在于，所述隔离件为长条形；在所...

【专利技术属性】
技术研发人员：郭忠军，
申请(专利权)人：通威太阳能成都有限公司，
类型：发明
国别省市：