Ｆ接栓绝缘体制造技术

本实用新型专利技术涉及一种能够使电子调谐器的回流焊接温度提高到２４５℃以上的电子调谐器信号输入的Ｆ接栓绝缘体，它包括Ｆ接栓体，所述Ｆ接栓绝缘体中的Ａ体和Ｂ体接合处呈凹凸密封插接配合。优点：由于Ｆ接栓绝缘体中的Ａ体和Ｂ体接合处呈凹凸密封插接配合，不仅极大地提高了Ｆ接栓绝缘体中的Ａ体和Ｂ体接合处的密封强度，而且从根本上避免了Ａ体和Ｂ体接合处易被活化的不足，从而使Ｆ接栓绝缘体中的Ａ体和Ｂ体密封接合处能够承受２０００伏以上的耐电压测试，达到和超过行业标准。（*该技术在2019年保护过期，可自由使用*）

【技术实现步骤摘要】

本技术涉及一种能够使电子调谐器的回流焊接温度提高到245t:以上的电子调谐器信号输入的F接栓绝缘体，属电子调谐器接插件制造领域。
技术介绍
目前，F接栓绝缘体在结构设计上，绝缘体A与绝缘体B接合面呈平面结合7，见附 图4。其不足之处绝缘体A与绝缘体B相接处无法形成密封结合，经高温后，其绝缘体表 面产生活化，无法通过1500伏的耐电压测试，在达到1400伏时，其绝缘体即被击穿，击穿部 位在绝缘体A与绝缘体B接合处，造成F接栓绝缘体无法达到行业标准，不能使用。
技术实现思路
设计目的避免
技术介绍
中的不足之处，设计一种使F接栓绝缘体仍经245°C高温 后能达到和超过行业标准X的F接栓绝缘体。 设计方案为了实现上述设计目的。F接栓绝缘体中的A体和B体接合处呈凹凸 密封插接配合，是本技术的主要技术特征。这样做的目的在于F接栓绝缘体中的A体 和B体的接合处呈凹凸插接配合，不仅加大了 A体和B体的密封接合面，更重要的是密封强 度高，它能够有效地隔绝空气，使A体和B体的密封接合面不会产生活化，能够承受2000伏 以上的耐电压测试。 技术方案F接栓绝缘体，它包括F接栓体，所述F接栓绝缘体中的A体和B体接 合处呈凹凸密封插接配合。 本技术与
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相比，由于F接栓绝缘体中的A体和B体接合处呈凹凸密 封插接配合，不仅极大地提高了 F接栓绝缘体中的A体和B体接合处的密封强度，而且从根 本上避免了 A体和B体接合处易被活化的不足，从而使F接栓绝缘体中的A体和B体密封 接合处能够承受2000伏以上的耐电压测试，达到和超过行业标准。附图说明图1是F接栓绝缘体的剖视结构示意图。 图2是B体的结构示意图。 图3是A体的结构示意图。 图4是
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的结构示意图。具体实施方式实施例1 :参照附图1 4。 F接栓绝缘体，它包括F接栓体l，所述F接栓绝缘体 中的A体3和B体2接合处呈凹凸密封插接配合4。所述A体与B体的接合处呈外凸内凹 台阶状结构5， B体与A体的接合处呈外凹内凸台阶状结构6。 实施例2 :在实施例1的基础上，所述A体与B体的接合处呈外凹内凸台阶状结构，B体与A体的接合处呈外凸内凹台阶状结构。 需要理解到的是上述实施例虽然对本技术作了比较详细的文字描述，但是 这些文字描述，只是对本技术设计思路的简单文字描述，而不是对本技术设计思 路的限制，任何不超出本技术设计思路的组合、增加或修改，均落入本技术的保护 范围内。权利要求一种F接栓绝缘体，它包括F接栓体(1)，其特征是所述F接栓绝缘体中的A体(3)和B体(2)接合处呈凹凸密封插接配合(4)。2. 根据权利要求1所述的F接栓绝缘体，其特征是所述A体与B体的接合处呈外凸 内凹台阶状结构(5)，B体与A体的接合处呈外凹内凸台阶状结构(6)。3. 根据权利要求2所述的F接栓绝缘体，其特征是所述A体与B体的接合处呈外凹 内凸台阶状结构，B体与A体的接合处呈外凸内凹台阶状结构。专利摘要本技术涉及一种能够使电子调谐器的回流焊接温度提高到245℃以上的电子调谐器信号输入的F接栓绝缘体，它包括F接栓体，所述F接栓绝缘体中的A体和B体接合处呈凹凸密封插接配合。优点由于F接栓绝缘体中的A体和B体接合处呈凹凸密封插接配合，不仅极大地提高了F接栓绝缘体中的A体和B体接合处的密封强度，而且从根本上避免了A体和B体接合处易被活化的不足，从而使F接栓绝缘体中的A体和B体密封接合处能够承受2000伏以上的耐电压测试，达到和超过行业标准。文档编号H01B17/56GK201465679SQ20092012338公开日2010年5月12日 申请日期2009年6月23日 优先权日2009年6月23日专利技术者吴苏云 申请人:杭州联盛电子有限公司本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种Ｆ接栓绝缘体，它包括Ｆ接栓体（１），其特征是：所述Ｆ接栓绝缘体中的Ａ体（３）和Ｂ体（２）接合处呈凹凸密封插接配合（４）。

【技术特征摘要】

【专利技术属性】
技术研发人员：吴苏云，
申请(专利权)人：杭州联盛电子有限公司，
类型：实用新型
国别省市：86[中国|杭州]