显示器的制造方法及显示器技术

提供一种在抑制制造时间及制造成本的同时确保较宽发光区域的包括垂直有机发光晶体管的显示器的制造方法。在包括垂直有机发光晶体管的显示器的制造方法中，垂直有机发光晶体管的栅极电极层与薄膜晶体管的载流电极层中和垂直有机发光晶体管的栅极电极层连接的一者一体地形成于相同的层中。者一体地形成于相同的层中。者一体地形成于相同的层中。

【技术实现步骤摘要】
【国外来华专利技术】显示器的制造方法及显示器


[0001]本专利技术涉及一种显示器的制造方法及一种显示器。

技术介绍

[0002]近年来，使用有机半导体发光元件的光源元件的实际使用已取得进展，且使用有机半导体发光元件作为光源元件的显示器已变得可商业购得。在对使用有机半导体发光元件作为光源元件的显示器的开发中，为进一步改善性能，仍然进行了对较高亮度、较高清晰度、较低功耗及较长寿命的研究。
[0003]使用有机半导体发光元件作为发光元件的传统显示器的像素由有机发光二极管(organic light
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emitting diode，OLED)(也称为“OLED”)及控制流经有机发光二极管的电流的晶体管构成。有机发光二极管是响应于从形成于基板上的薄膜晶体管(thin
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film transistor，TFT)(也称为“TFT”)至夹在阳极电极与阴极电极之间的有机电致发光(electroluminescent，EL)层的电流输入而发光的装置。
[0004]然而，关于此种配置，以下专利文件1阐述一种垂直有机发光晶体管(vertical organic light
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emitting transistor，VOLET)(也称为“VOLET”)作为被配置成通过增加发光区域来减少控制元件的数目并增加亮度的元件，所述VOLET被配置成通过控制施加至栅极电极的电压来调节流动电流，且同时根据流经晶体管本身的电流量来发光。此外，以下专利文件2阐述一种使用垂直有机发光晶体管的显示器，且上述元件有望显著增加显示器的亮度。
[0005]专利文件1：WO 2009/036071 A
[0006]专利文件2：JP
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A
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2014
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505324

技术实现思路

[0007]使用有机EL的显示器不仅有望应用于家用电视及智能电话，而且有望应用于在安装于例如火车站等中的柱子上进行显示的广告显示器。因此，需要在根据使用模式改善例如亮度及分辨率等性能及品质的同时以较低的成本提供有机EL显示器。
[0008]然而，在不优化工艺流程的情况下，相较于设置有传统有机发光二极管的显示器而言，设置有垂直有机发光晶体管的显示器具有更多的制造工艺数目及较高的制造成本。
[0009]相较于设置有传统有机发光二极管的显示器而言，设置有垂直有机发光晶体管的显示器具有可减少薄膜晶体管数目的优点。然而，由于薄膜晶体管同时形成于相同的层中的不同位置处，因此由于晶体管数目的增加而对制造工艺数目及制造成本造成的影响小。
[0010]此外，基于标准非优化工艺流程，相较于设置有简单有机发光二极管的显示器而言，设置有垂直有机发光晶体管的显示器需要更多的制造工艺来形成附加的栅极电极及栅极绝缘膜层。因此，在包括有机发光二极管的显示器的制造工艺中，简单地用形成垂直有机发光晶体管的工艺代替形成有机发光二极管的工艺会增加制造所需的时间及成本。
[0011]鉴于以上问题，本专利技术的一个目的是提供一种在抑制制造时间及制造成本的同时
确保较宽发光区域的包括垂直有机发光晶体管的显示器的制造方法。
[0012]根据本专利技术的显示器的制造方法是一种包括垂直有机发光晶体管的显示器的制造方法，所述方法包括：
[0013]在相同的层上一体地形成垂直有机发光晶体管的栅极电极层与薄膜晶体管的载流电极层中和垂直有机发光晶体管的栅极电极层连接的一者。
[0014]在本说明书中，薄膜晶体管的载流电极层用作薄膜晶体管的源极电极层及漏极电极层的总称。在形成为显示器的组件的诸多薄膜晶体管中，源极电极层与漏极电极层在利用通道长度分隔开的情况下形成于相同的层中。薄膜晶体管的载流电极层根据待连接的配线(wiring)及节点而被分类成源极电极层或漏极电极层。
[0015]其像素由有机半导体发光元件及薄膜晶体管构成的显示器在下层侧上形成有薄膜晶体管、用于向每一像素的薄膜晶体管传输信号的栅极线、用于向有机半导体发光元件供应电流的电流供应线以及其他元件。然后，在薄膜晶体管、电流供应线以及其他元件的上层侧上形成有机半导体发光元件。在以下说明中，为便于阐释，通过假定上层侧指示从基板侧层叠每一层的方向来阐述配置。
[0016]使用有机发光二极管作为发光元件的显示器需要用于电流控制(current control)及电源切换(supply switching)的至少两个薄膜晶体管来作为用于驱动及控制一个有机发光二极管的配置。另一方面，使用垂直有机发光晶体管作为发光元件的显示器具有驱动及控制一个垂直有机发光晶体管的配置，其中仅一个薄膜晶体管的载流电极层(在以下说明中假定为漏极电极层)连接至垂直有机发光晶体管的栅极电极层。
[0017]此外，由于垂直有机发光晶体管的栅极电极层是用于控制垂直有机发光晶体管的源极电极层与漏极电极层之间的电场的端子，因此栅极电极将不会以低阻抗连接至除薄膜晶体管的载流电极层以外的节点。出于此种原因，即使垂直有机发光晶体管的栅极电极层与薄膜晶体管的载流电极层中和栅极电极层连接的一者是一体地形成，也将不会出现由于高电流单独流经与其他节点平行的导电路径而导致电压IR下降的问题。
[0018]因此，通过采用以上制造方法，可同时执行形成垂直有机发光晶体管的栅极电极层的工艺与形成薄膜晶体管的载流电极层的工艺。因此，相较于通过单独的工艺形成以上晶体管的情形而言，工艺数目减少。
[0019]此外，由于通过以上制造方法制造的显示器不需要垂直有机发光晶体管的栅极电极层与薄膜晶体管的载流电极层之间的接触孔，因此可确保较宽的发光区域。
[0020]在制造方法中，垂直有机发光晶体管可具有一体地形成于相同的层上的至少二或更多个源极电极层。
[0021]通过使用所述制造方法，设置于每一发光区域中的垂直有机发光晶体管的源极电极层与电流供应线不必通过另一配线彼此连接。即，向每一垂直有机发光晶体管的源极电极层供应电流的电流供应线的数目及面积减少。
[0022]传统上，电流供应线在整个显示器之上以栅格图案形成于以阵列形成的垂直有机发光晶体管之间。然而，根据所述制造方法，当供应用于驱动垂直有机发光晶体管的电流的驱动器连接至至少一个垂直有机发光晶体管时，电流经由一体地构成的源极电极被供应至其余的垂直有机发光晶体管。即，向源极电极层供应电流的电流供应线的数目及面积减少，用于形成电流供应线的面积显著减少，且用于形成电流供应线所需的材料显著减少。
[0023]在垂直有机发光晶体管的栅极绝缘膜上形成电流供应线且一体地形成垂直有机发光晶体管的源极电极以横跨所述多个垂直有机发光晶体管的情形中，由于不需要形成用于连接的接触孔且不需要形成复杂的图案，因此制造时间及制造成本不会显著增加。
[0024]此外，由于一体地形成于相同的层上的垂直有机发光晶体管的源极电极层具有共享流经电流供应线的电流的功能，因此会抑制由于寄生电阻或类似因素引起的电压降的影响。此外，通过减少电本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
【国外来华专利技术】1.一种包括垂直有机发光晶体管的显示器的制造方法，所述方法包括：在相同的层上一体地形成所述垂直有机发光晶体管的栅极电极层与薄膜晶体管的载流电极层中和所述垂直有机发光晶体管的所述栅极电极层连接的一者。2.根据权利要求1所述的所述显示器的制造方法，其中所述垂直有机发光晶体管具有一体地形成于所述相同的层上的至少二或更多个源极电极层。3.根据权利要求1或2所述的所述显示器的制造方法，其中所述垂直有机发光晶体管的所述源极电极层是在形成用作基底的表面层之后通过在所述表面层的主表面上形成由导电材料构成的薄膜或渗透网络而形成。4.根据权利要求3所述的所述显示器的制造方法，其中在所述表面层形成之后，所述表面层的所述主表面的一部分形成有电流供应线，所述电流供应线被配置成向所述垂直有机发光晶体管的所述源极电极层供应电流，且在所述电流供应线形成之后，所述垂直有机发光晶体管的所述源极电极层由所述导电材料形成，以横跨所述表面层及所述电流供应线。5.根据权利要求1至4中任一项所述的所述显示器的制造方法，其中所述垂直有机发光晶体管的所述栅极电极层由对光表现出导电性及透明度的金属氧化物制成的材料形成。6.根据权利要求5所述的所述显示器的制造方法，还包括在当从层叠每一层的方向观察时的所述薄膜晶体管的外侧上形成彩色滤光片层，所述彩色滤光片层透射从所述垂直有机发光晶体管发射的光的波长频带的一部分中的光。7.一种显示器，包括：垂直有机发光晶体管；以及薄膜晶体管，其中载流电极层中的一者连接至所述垂直有机发光晶体管的栅极电极层，其中所述垂直有机发光晶体管的所述栅极电极层与所述薄膜晶体管的所述载流电极层中和所述垂直有机发光晶体管的所述栅极电极层连接的所述一者一体地形成于相同的层上。8.根据权利要求7所述的显示器...

【专利技术属性】
技术研发人员：胜井宏充，刘博，马克西姆，
申请(专利权)人：麦瑞克斯科技股份有限公司，
类型：发明
国别省市：