【技术实现步骤摘要】
【国外来华专利技术】显示装置的制造方法
[0001]本专利技术的一个方式涉及一种显示装置的制造方法。
[0002]本专利技术的一个方式不局限于上述
本说明书等所公开的专利技术的
涉及一种物体、驱动方法或制造方法。此外，本专利技术的一个方式涉及一种工序(process)、机器(machine)、产品(manufacture)或者组合物(composition of matter)。因此，具体而言，作为本说明书所公开的本专利技术的一个方式的
的例子可以举出半导体装置、显示装置、液晶显示装置、发光装置、蓄电装置、摄像装置、存储装置、信号处理装置、处理器、电子设备、系统、它们的驱动方法、它们的制造方法或它们的检查方法。
技术介绍
[0003]可应用于XR(Cross Reality或Extended Reality。VR(Virtual Reality：虚拟现实)、AR(Augmented Realtiy：增强现实)等的总称)的显示装置被需求。具体而言，例如，为了提高现实感及沉浸感，该显示装置被要求清晰度高且颜色再现性高等。...
【技术保护点】
【技术特征摘要】
【国外来华专利技术】1.一种显示装置的制造方法，所述显示装置包括：第一绝缘体；第二绝缘体；第三绝缘体；第一导电体；第二导电体；以及第一EL层，所述方法包括：第一步骤至第九步骤，其中，所述第一步骤具有在所述第一绝缘体上形成所述第一导电体的步骤，所述第二步骤具有在所述第一绝缘体上及所述第一导电体上形成所述第二绝缘体的步骤，所述第三步骤具有在所述第二绝缘体的重叠于所述第一导电体的区域中形成到达所述第一导电体的第一开口部的步骤，所述第四步骤具有在包括所述第一绝缘体上、所述第二绝缘体上及所述第一导电体上的区域涂敷正型第一光致抗蚀剂的步骤，所述第五步骤具有对所述第一光致抗蚀剂进行曝光及显影且在所述第一光致抗蚀剂中重叠于所述第一开口部及所述第一导电体的区域中形成到达所述第一导电体及所述第二绝缘体的具有反锥结构的第二开口部的步骤，所述第六步骤具有在位于所述第一光致抗蚀剂的所述第二开口部的底部的所述第一导电体上及所述第二绝缘体上以及所述第一光致抗蚀剂上形成所述第一EL层的步骤，所述第七步骤具有在所述第一EL层上形成所述第二导电体的步骤，所述第八步骤具有在所述第二导电体上形成所述第三绝缘体的步骤，并且，所述第九步骤具有通过对所述第一光致抗蚀剂进行曝光及显影且去除所述第一光致抗蚀剂、形成在所述第一光致抗蚀剂上的所述第一EL层、所述第二导电体及所述第三绝缘体，在所述第一导电体上形成包括所述第一EL层、所述第二导电体及所述第三绝缘体的发光器件的步骤。2.根据权利要求1所述的显示装置的制造方法，其中所述第二绝缘体包含有机材料及重叠于所述有机材料的顶部的无机材料，所述有机材料包含聚酰亚胺，并且所述无机材料包含选自氧化硅、氧氮化硅、氮氧化硅、氮化硅、氧化铝、氧氮化铝、氮氧化铝和氮化铝中的至少一个。3.根据权利要求1或2所述的显示装置的制造方法，其中所述显示装置包括位于所述第一绝缘体的下方的第一晶体管以及位于所述第一晶体管的下方的第二晶体管，所述第一晶体管在沟道形成区域中包含金属氧化物，并且所述第二晶体管在沟道形成区域中包含硅。4.一种显示装置的制造方法，所述显示装置包括：第一绝缘体；第二绝缘体；
第三绝缘体；第一导电体；第二导电体；第三导电体；第四导电体；第一EL层；第二EL层；以及第三EL层，所述方法包括：第一步骤至第十六步骤，其中，所述第一步骤具有在所述第一绝缘体上形成所述第一导电体、所述第二导电体及所述第三导电体的步骤，所述第二步骤具有在所述第一绝缘体上、所述第一导电体上、所述第二导电体上及所述第三导电体上形成所述第二绝缘体的步骤，所述第三步骤具有在所述第二绝缘体的重叠于所述第一导电体的区域中形成到达所述第一导电体的第一开口部的步骤，所...
【专利技术属性】
技术研发人员：柳泽悠一，笹川慎也，西崎史朗，方堂凉太，
申请(专利权)人：株式会社半导体能源研究所，
类型：发明
国别省市：
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