驱动发光显示器的方法及显示器技术

提供一种驱动发光显示器的方法，所述方法即使在长期使用情况下仍能够抑制图像品质及亮度的变动而不增加复杂的电路配置。所述驱动发光的方法包括：步骤(A)，对垂直有机发光晶体管的栅极电极施加电压，所述电压基于欲被显示的图像数据；以及步骤(B)，在步骤(A)之后基于被施加至垂直有机发光晶体管的源极电极的电压的值而对垂直有机发光晶体管的栅极电极施加具有与在步骤(A)中被施加至垂直有机发光晶体管的栅极电极的电压的极性相反的极性的电压。压。压。

【技术实现步骤摘要】
【国外来华专利技术】驱动发光显示器的方法及显示器


[0001]本专利技术涉及一种驱动及操作发光显示器的方法及显示器。

技术介绍

[0002]近年来，使用有机半导体元件(例如有机发光二极管(organic light emitting diode))作为光源元件的显示器已经投入实际使用，且现在可在市场上购得。在使用有机半导体元件作为光源的显示器的开发中，为了进一步提高性能，一直持续进行研究以实现更高的亮度、更高的清晰度、更低的功耗及更长的寿命。
[0003]传统上，有机电致发光(electroluminescence，EL)显示器的发光元件(也称为“像素”和/或“子像素”)由有机发光二极管(也称为“OLED”)及控制流过有机发光二极管的电流的晶体管构成。有机发光二极管是因应于自形成于刚性或可挠性基底上的薄膜晶体管(thin film transistor)(也称为“TFT”)输入至夹置于阳极电极与阴极电极之间的有机EL层的电流而发光的装置。
[0004]然而，对于上述配置，下面的专利文献1阐述了一种晶体管，所述晶体管用作用于减少控制元件的数目并增加发光面积以实现更高亮度的元件并且控制被施加至栅极电极的电压以调节流过所述晶体管的电流，专利文献1也阐述了根据流过垂直有机发光晶体管的电流量而自身发光的垂直有机发光晶体管(vertical organic light emitting transistor)(也称为“VOLET”)。下面的专利文献2阐述了使用垂直有机发光晶体管的显示器，且预期会大大增加显示器的亮度。下面的专利文献3阐述了一种垂直场效晶体管(vertical field effect transistor)，所述垂直场效晶体管具有插入于其栅极电极与电性渗透源极电极之间的电荷存储层，所述垂直场效晶体管可具有由注入并存储于电荷存储层中的电荷调变的可调谐阈电压(tunable threshold voltage)。
[0005]PTL1：专利文献1：WO 2009/036071
[0006]PTL2：专利文献2：JP
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A
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2014
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505324
[0007]PTL3：专利文献3：WO2011109693A2

技术实现思路

[0008]类似于场效晶体管，垂直有机发光晶体管包括源极电极、栅极电极及漏极电极。源极电极对应于阳极电极，且漏极电极对应于阴极电极。在源极电极与漏极电极之间形成EL元件及有机半导体层，且各个电极被配置成通过使电流通过EL元件及有机半导体层来发射EL。源极电极及漏极电极中的至少一者被配置成透明的，以使通过发光获得的光被发射至外部。
[0009]已知，当传统配置中使用的有机发光二极管持续被点亮达长的时间段时，会根据所注入的电流而发生劣化且亮度会逐渐降低。此被认为是由于有机发光二极管中的化学变化、电荷在每一有机层界面处的累积等引起的层间注入效率的变动造成的。所述情形同样适用于垂直有机发光晶体管，如上所述，垂直有机发光晶体管通过使电流通过EL元件及夹
置于对应于阳极电极的源极电极与对应于阴极电极的漏极电极之间的有机半导体层来发射EL。
[0010]然而，本专利技术者通过深入研究发现，依据详细的装置结构及所使用的材料而定，使用垂直有机发光晶体管的显示器可能遭遇以下问题。当垂直有机发光晶体管对栅极电极施加电压以通过使电流流过EL元件及有机半导体层来发射EL时，电荷会累积于栅极电极与栅极绝缘膜层之间的界面、源极电极与有机半导体层及表面层等之间的界面、以及栅极绝缘膜层及表面层中的每一者处。当电荷累积于这些界面处时，会出现如下现象：即使垂直有机发光晶体管对栅极电极施加预定电压，也不会有与在晶体管刚被制成或在工厂装运时的状态下的电荷相等的电荷注入至EL元件及有机半导体层，因而亮度较有机发光二极管降低得更快。因此，使用垂直有机发光晶体管的显示器往往会在短的时间段内引起特性波动且往往具有短的寿命，因而产品的可靠性成为问题。
[0011]即使流过垂直有机发光晶体管的电流发生改变，也可配置实行回馈控制的电路以使得流过期望的电流。然而，此会增加复杂的电路配置，因此需要供元件放置的区。即，发光区会变小，且会妨碍实现更高的亮度。
[0012]鉴于上述问题，本专利技术的目的是提供一种驱动使用垂直有机发光晶体管的发光显示器的方法及显示器，所述方法抑制在长的时间段内亮度的变动而不增加复杂的电路配置。
[0013]根据本专利技术的驱动发光显示器的方法包括：步骤(A)，对垂直有机发光晶体管的栅极电极施加电压，所述电压基于欲被显示的图像数据；以及步骤(B)，在步骤(A)之后基于被施加至所述垂直有机发光晶体管的源极电极的电压的值而对所述垂直有机发光晶体管的栅极电极施加具有与在步骤(A)中被施加至所述垂直有机发光晶体管的栅极电极的电压的极性相反的极性的电压。
[0014]首先，将确认在将有机发光二极管与薄膜晶体管加以组合的配置(其为一种传统配置)中实行上述方法时的操作及效果。许多薄膜晶体管被配置成使源极电极与漏极电极相对于栅极电极对称。即使具有相反极性的电压被施加至薄膜晶体管的栅极电极，此也仅会使得仅累积于源极电极以及源极电极附近的栅极绝缘膜层界面及有机半导体界面处的电荷被释放，且对恢复薄膜晶体管特性并无效果。
[0015]然而，当在包括垂直有机发光晶体管的显示器中实行上述施加反向电压的方法时，累积于例如垂直有机发光晶体管的源极电极与栅极绝缘膜层及有机半导体层之间的界面处的电荷被释放，且垂直有机发光晶体管的特性可被恢复至接近晶体管刚被制成或在工厂装运时的状态。
[0016]垂直有机发光晶体管被配置成使得源极电极相对于漏极电极而言明显靠近栅极电极来定位，且源极电极覆盖栅极绝缘膜层及栅极电极的大部分。因此，此归因于有效地利用了垂直有机发光晶体管的如下特性：施加至栅极电极的电压自较施加至源极电极的电压更高的状态反转至更低的状态，或者自高状态反转至更低状态，因此可高效地释放累积于会影响晶体管特性的源极电极与栅极绝缘膜层及有机半导体层之间的界面处的电荷。
[0017]如上所述，由于垂直有机发光晶体管的亮度是通过调节施加至栅极电极的电压来调节，因此也不需要用于实行驱动控制的薄膜晶体管。根据上述方法，无需增加新电路，且可仅通过为驱动器配置简单的控制电路或控制程序以在预定时刻向数据线施加反向电压
来实现。因此，不需要用于监测垂直有机发光晶体管的电流值的检测配置及复杂的控制。
[0018]另外，如专利文献1中所述，由于在栅极电极与源极电极之间形成大的寄生电容器，因此无需单独地提供用于维持电压的电容器。即使存在电容值不足且需要提供电容器的情况，也仅需要连接具有足以补偿短缺的电容值的电容器，因此专利文献1与传统配置相比是由小的元件构成。
[0019]因此，根据上述方法，所需的元件数目少，垂直有机发光晶体管的发光区可扩展至最大，且显示器的亮度可进一步提高。
[0020]在所述驱动发光的方法中，步骤(A)及步骤(B)可本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
【国外来华专利技术】1.一种驱动发光显示器的方法，包括：步骤(A)，对垂直有机发光晶体管的栅极电极施加电压，所述电压基于欲被显示的图像数据；以及步骤(B)，在所述步骤(A)之后基于被施加至所述垂直有机发光晶体管的源极电极的电压的值而对所述垂直有机发光晶体管的所述栅极电极施加具有与在所述步骤(A)中被施加至所述垂直有机发光晶体管的所述栅极电极的所述电压的极性相反的极性的电压。2.根据权利要求1所述的驱动发光显示器的方法，其中所述步骤(A)与所述步骤(B)针对每一帧速率实行。3.根据权利要求2所述的驱动发光显示器的方法，其中实行控制以使得被施加至所述垂直有机发光晶体管的所述源极电极的所述电压与在所述步骤(A)中被施加至所述垂直有机发光晶体管的所述栅极电极的所述电压之间的差越大，则被施加至所述垂直有机发光晶体管的所述源极电极的所述电压与在所述步骤(B)中被施加至所述垂直有机发光晶体管的所述栅极电极的所述电压之间的差越大。4.根据权利要求2所述的驱动发光显示器的方法，其中实行控制以使得被施加至所述垂直有机...

【专利技术属性】
技术研发人员：胜井宏充，刘博，马克西姆，
申请(专利权)人：麦瑞克斯科技股份有限公司，
类型：发明
国别省市：