半导体装置制造方法及图纸

一种半导体装置包括：位线；有源半导体层，其在位线上，具有在竖直方向上延伸的第一部分以及连接到第一部分并在水平方向上延伸的第二部分，包括氧化物半导体；字线，其在有源半导体层的侧壁上；栅极绝缘层，其在有源半导体层和字线之间；第一接触件，其在有源半导体层上，具有在低于字线的顶表面的水平处的底部和在高于字线的顶表面的水平处的顶部，包括包含第一掺杂剂的氧化物半导体；第二接触件，其与位线上的有源半导体层的第二部分相邻并且包括包含第二掺杂剂的氧化物半导体；以及着陆焊盘，其在第一接触件上。其在第一接触件上。其在第一接触件上。

【技术实现步骤摘要】
半导体装置
[0001]相关申请的交叉引用
[0002]本申请基于并要求2022年3月14日在韩国知识产权局提交的韩国专利申请No.10
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2022
‑
0031651的优先权，该申请的公开内容整体以引用方式并入本文中。


[0003]本专利技术构思涉及半导体装置，更具体地，涉及一种包括电容器结构的半导体装置。

技术介绍

[0004]根据半导体装置的缩小，动态随机存取存储器(DRAM)装置的尺寸也已减小。在具有一个晶体管连接到一个电容器的1T
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1C结构的DRAM装置中，DRAM装置的小型化已增加了通过沟道区域的泄漏电流的问题。为了减小泄漏电流，已提出了使用氧化物半导体材料作为沟道层的晶体管。

技术实现思路

[0005]一些示例实施例提供了一种能够在减小接触电阻的同时减小泄漏电流的半导体装置。
[0006]一些示例实施例提供了一种制造半导体装置的方法，在该方法中，在减小接触电阻的同时泄漏电流减小。
[0007]根据示例实施例，提供了一种半导体装置，本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种半导体装置，包括：位线，其在基板上在第一水平方向上延伸；在所述位线上的有源半导体层，所述有源半导体层具有在垂直于所述基板的顶表面的竖直方向上延伸的第一部分以及连接到所述第一部分的底部并在所述第一水平方向上延伸的第二部分，并且所述有源半导体层包括氧化物半导体材料；字线，其在所述有源半导体层的第一侧壁上并且在垂直于所述第一水平方向的第二水平方向上延伸；栅极绝缘层，其在所述有源半导体层和所述字线之间；在所述有源半导体层上的第一接触件，所述第一接触件具有在低于所述字线的顶表面的水平处的底表面以及在高于所述字线的顶表面的水平处的顶表面，并且所述第一接触件包括包含第一掺杂剂的氧化物半导体；第二接触件，其与所述位线上的所述有源半导体层的第二部分相邻并且包括包含第二掺杂剂的氧化物半导体；以及在所述第一接触件上的着陆焊盘。2.根据权利要求1所述的半导体装置，其中，所述栅极绝缘层在所述有源半导体层的第一部分与所述字线的侧壁之间以及所述有源半导体层的第二部分与所述字线的底表面之间，并且所述栅极绝缘层具有在高于所述第一接触件的顶表面和所述字线的顶表面的水平处的顶表面。3.根据权利要求1所述的半导体装置，其中，所述第一接触件的第一侧壁与所述有源半导体层的第一侧壁对齐，并且所述第一接触件的与所述第一接触件的第一侧壁相对的第二侧壁与所述有源半导体层的第二侧壁对齐，所述有源半导体层的第二侧壁与所述有源半导体层的第一侧壁相对。4.根据权利要求3所述的半导体装置，其中，所述栅极绝缘层与所述第一接触件的第一侧壁和所述有源半导体层的第一侧壁接触。5.根据权利要求3所述的半导体装置，还包括：模制绝缘层，其在所述位线上并且覆盖所述有源半导体层的第二侧壁和所述第一接触件的第二侧壁。6.根据权利要求1所述的半导体装置，其中，所述着陆焊盘包括：上部，其在所述第一水平方向上具有第一宽度；以及下部，其在所述上部下方并且在所述第一水平方向上具有第二宽度，所述第二宽度小于所述第一宽度，并且所述栅极绝缘层覆盖所述着陆焊盘的下部的侧壁的至少一部分。7.根据权利要求6所述的半导体装置，其中，所述着陆焊盘的下部的两个侧壁与所述第一接触件的两个侧壁对齐。8.根据权利要求6所述的半导体装置，其中，所述着陆焊盘的下部的第一侧壁与所述第一接触件的第一侧壁对齐，并且所述着陆焊盘的下部的第二侧壁相对于所述第一接触件的第二侧壁向外突出。9.根据权利要求1所述的半导体装置，其中，所述第二接触件的顶表面在与所述有源半
导体层的第二部分的顶表面相同的平面上。10.根据权利要求1所述的半导体装置，其中，所述第一掺杂剂包括铟、锡、铋和钨中的至少一种，并且所述第二掺杂剂包括铟、锡、铋和钨中的至少一种。11.根据权利要求1所述的半导体装置，其中，所述有源半导体层包括InGaZnO
x
、InWO
x
、InSnGaO
x
、InAlZnO
x
、InGaO
x
和InSnZnO
x
中的至少一种。12.一种半导体装置，包括：位线，其在基板上在第一水平方向上延伸；模制绝缘层，其覆盖所述基板上的位线并且包括模制开口；第一单元晶体管，其在所述模制开口的第一侧壁上；以及第二单元晶体管，其在所述模制开口的第二侧壁上，其中，所述第一单元晶体管和所述第二单元晶体管中的每一个包括：有源半导体层，其包括在所述位线上并在垂直于所述基板的顶表面的竖直方向上延伸的第一部分以及连接到所述第一部分的底部并在所述第一水平方向上延伸的第二部分，并且所述有源半导体层包括氧化物半导体材料；字线，其在所述有源半导体层的第一侧壁上并且在垂直于所述第一水平方向的第二水平方向上延伸；栅极绝缘层，其在所述有...

【专利技术属性】
技术研发人员：金基俊，
申请(专利权)人：三星电子株式会社，
类型：发明
国别省市：