具有竖直凹入的通道结构及离散的、间隔开的狭缝间结构的微电子装置以及相关方法及系统制造方法及图纸

一种微电子装置包含堆叠结构，其包括按层级布置的绝缘与导电结构的竖直交替序列。包括通道材料的至少一个支柱延伸穿过所述堆叠结构。所述堆叠结构下方的源极区包括掺杂材料，其具有突出到与接近至少一个源极侧GIDL区的标高处的所述通道材料的界面的竖直延伸部。狭缝结构延伸穿过所述堆叠结构以将所述结构划分成支柱阵列块。沿着所述狭缝结构的基底包含一系列间隔开的离散底座结构。形成所述微电子装置结构可包含形成穿过所述支柱的单元材料的横向开口、使所述通道材料竖直凹入及在加宽的凹部中形成所述掺杂材料之前使所述支柱的其它材料横向凹入。还公开额外微电子装置、相关方法及电子系统。关方法及电子系统。关方法及电子系统。

【技术实现步骤摘要】
【国外来华专利技术】具有竖直凹入的通道结构及离散的、间隔开的狭缝间结构的微电子装置以及相关方法及系统
[0001]优先权主张
[0002]此申请案主张2021年1月26日申请的题为“具有竖直凹入的通道结构及离散的、间隔开的狭缝间结构的微电子装置以及相关方法及系统(MICROELECTRONIC DEVICES WITH VERTICALLY RECESSED CHANNEL STRUCTURES ANDDISCRETE,SPACED INTER
‑
SLIT STRUCTURES,AND RELATED METHODS AND SYSTEMS)”的序列号为17/158,888的美国专利申请案的申请日的权益。


[0003]本公开的实施例涉及微电子装置设计及制造领域。更特定来说，本公开涉及用于形成具有包含竖直交替的导电结构与绝缘结构的分层堆叠结构的微电子装置(例如，存储器装置，例如3D NAND存储器装置)的方法、相关系统及用于形成此类结构及装置的方法。

技术介绍

[0004]存储器装置为电子系统提供数据存储。快闪存储器装置是各种存储器本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
【国外来华专利技术】1.一种微电子装置，其包括：堆叠结构，其包括按层级布置的绝缘结构与导电结构的竖直交替序列；至少一个支柱，其延伸穿过所述堆叠结构，所述至少一个支柱包括通道材料；及源极区，其在所述堆叠结构下方，所述源极区包括掺杂材料，所述掺杂材料的竖直延伸部向上突出到与所述堆叠结构内的标高处的所述通道材料的界面，所述掺杂材料的所述竖直延伸部界定大于由所述界面上方的所述通道材料界定的水平厚度的水平厚度。2.根据权利要求1所述的微电子装置，其进一步包括延伸穿过所述堆叠结构以将所述堆叠结构划分成所述至少一个支柱的阵列块的至少一个狭缝结构，其中所述至少一个狭缝结构在其中包括一系列离散的、间隔开的底座结构。3.根据权利要求2所述的微电子装置，其中所述底座结构占用所述堆叠结构下方的标高。4.根据权利要求2所述的微电子装置，其中所述至少一个狭缝结构进一步包括所述系列的离散的、间隔开的底座结构上方的一系列狭缝间支撑结构。5.根据权利要求4所述的微电子装置，其中：所述至少一种掺杂材料包括具有N型掺杂剂或P型掺杂剂中的一者的多晶硅；且所述系列的狭缝间支撑结构中的所述狭缝间支撑结构包括具有所述N型掺杂剂或所述P型掺杂剂中的不同者的多晶硅。6.根据权利要求5所述的微电子装置，其中：所述至少一种掺杂材料包括掺杂有所述N型掺杂剂的所述多晶硅；且所述系列的狭缝间支撑结构中的所述狭缝间支撑结构包括掺杂有所述P型掺杂剂的所述多晶硅。7.根据权利要求4所述的微电子装置，其中所述掺杂材料从所述源极区延伸到所述至少一个狭缝结构中，所述掺杂材料间隔开所述系列的狭缝间支撑结构中的相邻狭缝间支撑结构。8.根据权利要求2所述的微电子装置，其中所述至少一个狭缝结构大体上由直接在所述系列的离散的、间隔开的底座结构上的至少一种非导电材料组成。9.根据权利要求2至8中任一权利要求所述的微电子装置，其中所述底座结构包括SiCN。10.根据权利要求1至8中任一权利要求所述的微电子装置，其中所述至少一个支柱包括所述至少一个支柱的核心处的绝缘材料，所述绝缘材料在所述掺杂材料的所述竖直延伸部上方的标高处界定大于由横向邻近所述掺杂材料的所述竖直延伸部的所述绝缘材料界定的水平厚度的水平厚度。11.根据权利要求1至8中任一权利要求所述的微电子装置，其中所述掺杂材料的所述竖直延伸部在标高中与所述堆叠结构的所述导电结构的最低导电结构的至少一部分横向重叠。12.根据权利要求1至8中任一权利要求所述的微电子装置，其中所述通道材料包括所述掺杂材料的下竖直延伸部下方的下部。13.一种形成微电子装置的方法，所述方法包括：在基底结构上形成包含第一牺牲材料的下区的牺牲材料堆叠；
在所述牺牲材料堆叠上形成包括按层级布置的绝缘结构与其它结构的竖直交替序列的分层堆叠结构；形成穿过所述分层堆叠结构、穿过所述牺牲材料堆叠且到所述基底结构中的支柱开口；在所述支柱开口中形成单元材料、通道材料及绝缘核心材料；形成穿过所述分层堆叠结构且部分穿过所述牺牲材料堆叠到所述第一牺牲材料的所述下区的狭缝；选择性地移除所述牺牲材料、所述牺牲材料堆叠中的至少一者以暴露形成于所述支柱开口中的所述单元材料中的至少一者；在暴露在所述狭缝中的所述第...

【专利技术属性】
技术研发人员：刘海涛，杨立涛，A，
申请(专利权)人：美光科技公司，
类型：发明
国别省市：