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一种微电子装置包含堆叠结构，其包括按层级布置的绝缘与导电结构的竖直交替序列。包括通道材料的至少一个支柱延伸穿过所述堆叠结构。所述堆叠结构下方的源极区包括掺杂材料，其具有突出到与接近至少一个源极侧GIDL区的标高处的所述通道材料的界面的竖直延...
该专利属于美光科技公司所有，仅供学习研究参考，未经过美光科技公司授权不得商用。

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