一种导电薄膜的生产方法和导电薄膜技术

本发明专利技术提供一种导电薄膜的生产方法和导电薄膜，该方法包括：取薄膜基材；在薄膜基材上蒸镀第一金属层，第一金属层具有第一密度；在蒸镀有第一金属层的薄膜基材上蒸镀第二金属层，第二金属层具有第二密度；其中，第一密度大于或者小于第二密度。本发明专利技术实施例中，第一导金属层的密度大于或小于第二金属层的密度，当第一金属层的密度较小，可以在第一金属层的金属原子之间具有一定的间歇，第二金属层的金属原子就会层积在第一金属层的间歇内，大大增加第一金属层和第二金属层之间的金属原子的结合力，从而防止金属从薄膜基材上脱离，而当第一密度大于第二密度时，将导电薄膜应用于电池中时，可以更好的与活性材料结合，使得活性材料不容易脱落。料不容易脱落。料不容易脱落。

【技术实现步骤摘要】
一种导电薄膜的生产方法和导电薄膜


[0001]本专利技术涉及薄膜制备
，具体涉及一种导电薄膜的生产方法和导电薄膜。

技术介绍

[0002]导电薄膜是一种复合型材料，包括不导电的无机或者有机材料，然后在这之上形成一层金属。现有技术中一般是通过多次真空镀膜的方式在有机或者无机材料上形成金属层的。现有技术中的导电膜主要是铜膜或者铝膜，但是当前的镀膜方法生产的导电膜上面的金属层与金属层之间以及金属层与薄膜之间的粘结力不够。

技术实现思路

[0003]有鉴于此，本专利技术实施例的目的在于提供一种导电薄膜的生产方法和导电薄膜，以解决现有技术中采用的镀膜方法生产的导电膜上面的金属层与金属层之间以及金属层与薄膜之间的粘结力不够的技术问题。
[0004]为达上述目的，本专利技术实施例提供了一种导电薄膜的制备方法，所述方法包括：
[0005]取薄膜基材；
[0006]在所述薄膜基材上真空镀上第一金属层，所述第一金属层具有第一密度；
[0007]在镀有所述第一金属层的薄膜基材上真空镀上第二金属层，所述第二金属层具有第二密度；
[0008]其中，所述第一密度大于或者小于所述第二密度。
[0009]在一些可能的实施方式中，当所述第一密度大于所述第二密度时，在所述的在蒸镀有第一金属层的薄膜基材上蒸镀第二金属层之前，还包括：
[0010]对所述第一金属层进行加热退火处理。
[0011]在一些可能的实施方式中，当所述第一密度小于所述第二密度时，在所述的在蒸镀有第一金属层的薄膜基材上蒸镀第二金属层之前，还包括：
[0012]检测所述第一金属层的密度是否在第一阈值范围内，如果所述第一金属层的密度不在所述第一阈值范围内，则调整所述薄膜基材的走膜速度和蒸发速率，或者在密度小于第一阈值范围内的薄膜基材的位置重新镀膜。
[0013]在一些可能的实施方式中，当所述第一密度小于所述第二密度时，在所述的在蒸镀有第一金属层的薄膜基材上蒸镀第二金属层之后，还包括：
[0014]检测所述第二金属层的密度是否在第二阈值范围内，如果所述第二金属层的密度不在所述第二阈值范围内，则调整所述薄膜基材的走膜速度和蒸发速率，或者在密度小于第二阈值范围内的薄膜基材的位置重新镀膜。
[0015]在一些可能的实施方式中，当所述第一密度小于所述第二密度时，所述第二密度是所述第一密度的1倍至1.5倍。
[0016]在一些可能的实施方式中，所述第一金属层采用悬浮式的镀膜方式或者辊贴式的镀膜方式蒸镀在所述薄膜基材的表面。
[0017]在一些可能的实施方式中，所述第二金属层采用悬浮式的镀膜方式或者辊贴式的镀膜方式蒸镀在所述第一金属层的表面。
[0018]在一些可能的实施方式中，所述第一金属层为合金层，所述第二金属层为纯金属层。
[0019]在一些可能的实施方式中，所述第二金属层的金属种类与所述第一金属层的金属种类相同。
[0020]第二方面，本专利技术实施例提供了一种导电薄膜，所述导电薄膜包括：
[0021]薄膜基材；
[0022]第一金属层，设置在所述薄膜基材上下的一个表面或者两个表面；
[0023]第二金属层，设置在所述第一金属层上不与所述薄膜基材接触的表面；
[0024]所述第一金属层的密度大于或者小于所述第二金属层的密度。
[0025]上述技术方案的有益技术效果在于：
[0026]本专利技术实施例提供的一种导电薄膜的生产方法和导电薄膜，该方法包括：取薄膜基材；在薄膜基材上蒸镀第一金属层，第一金属层具有第一密度；在蒸镀有第一金属层的薄膜基材上蒸镀第二金属层，第二金属层具有第二密度；其中，第一密度大于或者小于第二密度。本专利技术实施例中，第一导金属层的密度大于或小于第二金属层的密度，当第一金属层的密度较小，可以在第一金属层的金属原子之间具有一定的间歇，当第二金属层层积在第一金属层上时，第二金属层的金属原子就会层积在第一金属层的间歇内，使得第一金属层和第二金属层之间的金属原子的结合力大大增加，从而防止金属从薄膜基材上脱离，而当第一密度大于第二密度时，不仅可以降低导电薄膜的质量，而且，当导电薄膜应用于电池中时，需要在本导电薄膜上涂覆活性材料，由于第二金属层中的金属原子之间密度较低，可以在第二金属层的金属原子之间具有一定的间歇，可以更好的与活性材料结合，从而使得活性材料不容易脱落。
附图说明
[0027]为了更清楚地说明本专利技术实施例或现有技术中的技术方案，下面将对实施例或现有技术描述中所需要使用的附图作简单地介绍，显而易见地，下面描述中的附图仅仅是本专利技术的一些实施例，对于本领域普通技术人员来讲，在不付出创造性劳动的前提下，还可以根据这些附图获得其他的附图。
[0028]图1是本专利技术实施例的第一种导电薄膜的制备方法的流程图；
[0029]图2是本专利技术实施例的第二种导电薄膜的制备方法的流程图；
[0030]图3是本专利技术实施例的第三种导电薄膜的制备方法的流程图；
[0031]图4是本专利技术实施例的一种导电薄膜的整体结构示意图。
具体实施方式
[0032]下面将详细描述本专利技术的各个方面的特征和示例性实施例。在下面的详细描述中，提出了许多具体细节，以便提供对本专利技术的全面理解。但是，对于本领域技术人员来说很明显的是，本专利技术可以在不需要这些具体细节中的一些细节的情况下实施。下面对实施例的描述仅仅是为了通过示出本专利技术的示例来提供对本专利技术的更好的理解。在附图和下面
的描述中，至少部分的公知结构和技术没有被示出，以便避免对本专利技术造成不必要的模糊；并且，为了清晰，可能夸大了部分结构的尺寸。此外，下文中所描述的特征、结构或特性可以以任何合适的方式结合在一个或更多实施例中。
[0033]图1是本专利技术实施例的第一种导电薄膜的制备方法的流程图，如图1所示，该方法包括如下步骤：
[0034]步骤S1，取薄膜基材11；
[0035]步骤S2，在薄膜基材11上真空镀上第一金属层12，第一金属层12具有第一密度；
[0036]步骤S3，在镀有第一金属层12的薄膜基材11上真空镀上第二金属层13，第二金属层13具有第二密度；其中，第一密度大于或者小于第二密度。
[0037]本实施例中的真空镀可以为磁控溅射镀膜，也可以为真空蒸镀，具体的，可以在一个真空镀膜腔室内在薄膜基材11上沉积第一金属层12，然后再在这个腔室中将沉积有第一金属层12的薄膜基材11上沉积第二金属层13，为了使得第一金属层12的第一密度不等于第二金属层13的第二密度，可以在每次蒸镀过程中控制蒸镀材料的蒸发速率和/或控制薄膜基材11的走膜速度来实现。例如，当第一密度大于第二密度时，在沉积第一金属层12时，可以增大蒸镀材料的蒸发速率或者减慢薄膜基材11的走膜速度，或者以正常的走膜速度和蒸发速率，此时，在沉积第二金属层13时可以降低蒸镀材料的蒸发速率或者提高薄膜基材11的走膜速度，反之亦然。
[0038]本专利技术实施例中，本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种导电薄膜的制备方法，其特征在于，所述方法包括：取薄膜基材(11)；在所述薄膜基材(11)上真空镀上第一金属层(12)，所述第一金属层(12)具有第一密度；在镀有所述第一金属层(12)的薄膜基材(11)上再真空镀上第二金属层(13)，所述第二金属层(13)具有第二密度；其中，所述第一密度大于或者小于所述第二密度。2.根据权利要求1所述的导电薄膜的制备方法，其特征在于，当所述第一密度大于所述第二密度时，在所述的在蒸镀有第一金属层(12)的薄膜基材(11)上蒸镀第二金属层(13)之前，还包括：对所述第一金属层(12)进行加热退火处理。3.根据权利要求1所述的导电薄膜的制备方法，其特征在于，当所述第一密度小于所述第二密度时，在所述的在蒸镀有第一金属层(12)的薄膜基材(11)上蒸镀第二金属层(13)之前，还包括：检测所述第一金属层(12)的密度是否在第一阈值范围内，如果所述第一金属层(12)的密度不在所述第一阈值范围内，则调整所述薄膜基材(11)的走膜速度和蒸发速率，或者在密度小于第一阈值范围内的薄膜基材(11)的位置重新镀膜。4.根据权利要求3所述的导电薄膜的制备方法，其特征在于，当所述第一密度小于所述第二密度时，在所述的在蒸镀有第一金属层(12)的薄膜基材(11)上蒸镀第二金属层(13)之后，还包括：检测所述第二金属层(13)的密度是否在第二阈值范围内...

【专利技术属性】
技术研发人员：臧世伟，刘文卿，
申请(专利权)人：重庆金美新材料科技有限公司，
类型：发明
国别省市：