一种热场调节结构、单晶炉及单晶硅棒分割方法技术

技术编号:38841566 阅读:54 留言:0更新日期:2023-09-17 09:55
本发明专利技术公开一种热场调节结构、单晶炉及单晶硅棒分割方法。该热场调节结构应用于单晶炉内,其包括:控制装置及移动保温组件,其中,移动保温组件设置于单晶炉内的导流筒和保温筒之间的空间;控制装置与移动保温组件连接,用于在单晶炉内的坩埚与导流筒相对位置发生变化的情况下,驱动移动保温组件在导流筒和保温筒之间的空间内移动,以调整位于硅溶液液面上方的空间。该热场调节结构应用到单晶炉后,能够减少单晶炉内的热量损失,并使硅溶液的温度梯度得到比较好地调控,以保证大尺寸晶体能够正常生长。正常生长。正常生长。

【技术实现步骤摘要】
一种热场调节结构、单晶炉及单晶硅棒分割方法


[0001]本专利技术涉及一种热场调节结构、单晶炉及单晶硅棒分割方法。

技术介绍

[0002]目前生产大尺寸晶棒及增大单晶硅棒生产热场的投料量,已成为降低光伏成本的主要手段之一。为了满足生产大尺寸晶棒及增大投料量的需求,需要将单晶炉尺寸、单晶硅内各个组件比如坩埚、导流筒、水热屏等的尺寸适应性增大。而为了保证导流筒与坩埚内熔融硅的液面间距基本保持不变,需要在导流筒与保温筒之间留出能够供导流筒与坩埚相对位置变化的空间,而该空间的存在会加剧热量损失,并对硅溶液的温度梯度等产生影响,导致晶体无法正常生长。

技术实现思路

[0003]有鉴于此,本专利技术提供一种热场调节结构、单晶炉及单晶硅棒分割方法,该热场调节装置能够根据单晶炉内坩埚的位置调整导流筒与保温筒之间的空间,以降低单晶炉内热量损失,并使硅溶液的温度梯度并不会由于坩埚位置变化而发生改变,以使单晶炉内单晶硅能够正常生长。
[0004]为了解决上述技术问题,本专利技术提供以下技术方案:
[0005]第一方面,本专利技术提供一本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种热场调节结构,其特征在于,应用于单晶炉(20)内,包括:控制装置(11)及移动保温组件(12),其中,所述移动保温组件(12)设置于单晶炉(20)内的导流筒(21)和保温筒(22)之间的空间;所述控制装置(11)与所述移动保温组件(12)连接,用于在所述单晶炉(20)内的坩埚(23)与所述导流筒(21)相对位置发生变化的情况下,驱动所述移动保温组件(12)在所述导流筒(21)和所述保温筒(22)之间的空间内移动,以调整位于硅溶液液面上方的空间。2.根据权利要求1所述的热场调节结构,其特征在于,所述控制装置(11)包括:移动支撑件(111)及第一提升杆(112),其中,所述移动保温组件(12)固定于所述移动支撑件(111)上;所述移动支撑件(111)与所述第一提升杆(112)固定连接;所述第一提升杆(112)穿过所述单晶炉(20)内的顶部保温层(24),与外设动力机构(30)连接;所述第一提升杆(112)在接受到所述动力机构(30)驱动的情况下,通过所述移动支撑件(111)带动所述移动保温组件(12)在所述空间内向上移动或者向下移动。3.根据权利要求2所述的热场调节结构,其特征在于,所述移动支撑件(111)为环形结构,其中,所述环形结构的内侧与所述导流筒(21)外侧相匹配,所述环形结构的外侧与所述保温筒(22)中对应于所述导流筒(21)的内侧区域相匹配;和/或,所述第一提升杆(112)嵌于所述移动保温组件(12)内。4.根据权利要求2或3所述的热场调节结构,其特征在于,还包括:上节固定支撑件(13),其中,所述上节固定支撑件(13)固定于所述保温筒(22)的对应于所述导流筒(21)的内侧区域;所述移动支撑件(111)与所述上节固定支撑件(13)相配合,且沿着所述上节固定支撑件(13)向上移动或者向下移动。...

【专利技术属性】
技术研发人员:王玉龙黄旭光王建芳
申请(专利权)人:晶澳太阳能有限公司
类型:发明
国别省市:

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