一种改善直拉单晶炉副室的定位装置制造方法及图纸

本实用新型专利技术提供一种改善直拉单晶炉副室的定位装置，包括：导向头、第一连接部、第二连接部和导向部，所述导向头、所述第一连接部、所述导向部和所述第二连接部依次连接，所述导向头、所述第一连接部、所述导向部和所述第二连接部的外部均包覆有渗碳层。本实用新型专利技术的有益效果是通过在定位销的基础上，在其外部包覆有渗碳层，该材质表面耐磨损，不宜掉落，防止了不锈钢材质的铁屑掉落单晶炉内污染单晶硅生长环境，同时降低了热场清理维修成本以及减少了成晶过程中杂质污染的可能性；同时结构简单，维修方便，加工成本低。加工成本低。加工成本低。

【技术实现步骤摘要】
一种改善直拉单晶炉副室的定位装置


[0001]本技术属于太阳能直拉单晶硅制造、直拉单晶硅热场改造领域，尤其是涉及一种改善直拉单晶炉副室的定位装置。

技术介绍

[0002]目前，现代下游产业对硅片品质依赖度日益增加,因此对热场的设计要求越来越高。好的热场必须以高寿命，低成本为主要探索路线。传统热场设备中的定位销其材料为“不锈钢”同时在其外部套了一个四氟套材料，在生产过程中容易发生：1.铁屑掉落在炉盖脖腔上沿密封圈中，在人员打开单晶炉维修时掉落在单晶炉内部，污染单晶炉内部环境，该金属杂质严重影响单晶的生产情况造成断苞及单晶硅棒寿命的降低。2.四氟套材料其一般不耐挤压容易磨损同时掉落在炉盖脖腔上沿密封圈中造成人员清理麻烦及加大了维修成本。

技术实现思路

[0003]本技术要解决的问题是提供一种改善直拉单晶炉副室的定位装置，有效防止定位销磨损污染单晶硅生长环境。
[0004]为解决上述技术问题，本技术采用的技术方案是：一种改善直拉单晶炉副室的定位装置，包括：导向头、第一连接部、第二连接部和导向部，所述导向头、所述第一连接部、所述导向部和所述第二连接部依次连接，所述导向头、所述第一连接部、所述导向部和所述第二连接部的外部均包覆有渗碳层。
[0005]进一步的，所述渗碳层的厚度为3
‑
5mm。
[0006]进一步的，所述导向头为锥形导向头。
[0007]进一步的，所述导向头靠近所述第一连接部的一端与所述第一连接部成阶梯设置。
[0008]进一步的，所述第二连接部的外部开设有固定安装的外螺纹。
[0009]进一步的，所述导向部的外径均大于所述第一连接部和所述第二连接部的外径。
[0010]进一步的，所述导向部靠近所述第一连接部的一端开设有倒角。
[0011]由于采用上述技术方案，具有以下有益效果：
[0012]通过在定位销的基础上，在其外部包覆有渗碳层，该材质表面耐磨损，不宜掉落，防止了不锈钢材质的铁屑掉落单晶炉内污染单晶硅生长环境，同时降低了热场清理维修成本以及减少了成晶过程中杂质污染的可能性。同时结构简单，维修方便，加工成本低。
附图说明
[0013]图1是本技术一种实施例的整体结构示意图。
[0014]图中：
[0015]1、导向头2、第一连接部3、导向部
[0016]4、第二连接部
具体实施方式
[0017]下面结合实施例和附图对本技术作进一步说明：
[0018]在本技术的一种实施例中，如图1所示，一种改善直拉单晶炉副室的定位装置，包括：导向头1、第一连接部2、第二连接部4和导向部3，其中导向头1、第一连接部2、导向部3和第二连接部4依次连接成定位装置，本实施例中的定位装置为定位销，在安装过程中，主要设置在副室与隔离腔的连接处，在隔离腔的下方设置有炉盖，进而实现炉盖与副室的连接。由于传统工艺在生产过程中容易发生定位销上的铁屑掉落在炉盖脖腔上沿密封圈中，在人员打开单晶炉维修时掉落在单晶炉内部，污染单晶炉内部环境，该金属杂质严重影响单晶的生产情况造成断苞及单晶硅棒寿命的降低。同时传统的定位销在其外部套设有四氟套，该四氟套一般不耐挤压容易磨损同时掉落在炉盖脖腔上沿密封圈中造成人员清理麻烦及加大了维修成本。对此，对原有定位销进行改进，在导向头1、第一连接部2、导向部3和第二连接部4的外部均包覆渗碳层，其中渗碳层图中未示出，通过渗碳层的设置，使得定位销的表面更加耐磨损，同时不易掉落，进而防止了不锈钢材质的铁屑掉落单晶炉内污染单晶硅生长环境。
[0019]在本实施例中，渗碳层的厚度在3
‑
5mm内取值，优选的，可取渗碳层的厚度为5mm。
[0020]如图1所示中，导向头1为锥形导向头，使得定位装置在安装插入过程中，具有一定的导向作用，更好匹配安装孔，通过锥形头的设置可实现在安装过程中的自动复正。
[0021]在本实施例中，在图1所示的定位装置的截面图中，导向头1与第一连接部2连接处的端部与第一连接部2成阶梯设置，实现与隔离腔上的导向槽相配合，在使用过程中，隔离腔上开设有导向槽，当隔离腔旋转后，导向头1与第一连接部2的连接处与导向槽的一端抵接，实现与下方的炉盖卡紧连接，进而可以通过副室提起炉盖；当隔离腔上的旋板阀开关转至相反方向的一端时，松开与炉盖的连接，进而可以提升副室。同样的，第一连接部2与导向部3成阶梯设置，导向部3与第二连接部4成阶梯设置，导向部3的外径均大于第一连接部2以及第二连接部4的外径。
[0022]同时为了实现定位装置的安装，在第二连接部4的外部设置有便于固定安装的外螺纹，连接隔离腔内的定位孔。在本实施例中，在导向部3靠近第一连接部2的一端开设有倒角，便于安装连接；同样的导向部3靠近第二连接部4的一端成阶梯设置，进一步限制了第二连接部4旋入隔离腔内定位孔内的深度，更进一步保证了导向头1与隔离腔上开设导向槽的位置配合的精准。
[0023]本技术的一种实施例的工作过程：
[0024]在安装过程中，首先将第二连接部4旋入隔离腔内开设的定位孔中，并通过与第二连接部4呈阶梯设置的导向部3限制旋入深度进而保证整个定位装置定位准确；当隔离腔旋转后，导向头1与第一连接部2的连接处与导向槽的一端抵接，实现与下方的炉盖卡紧连接，进而可以通过副室提起炉盖；当隔离腔旋转至相反方向的一端时，松开与炉盖的连接，进而可以提升副室。
[0025]以上对本技术的实施例进行了详细说明，但所述内容仅为本技术的较佳实施例，不能被认为用于限定本技术的实施范围。凡依本技术申请范围所作的均
等变化与改进等，均应仍归属于本技术的专利涵盖范围之内。
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【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种改善直拉单晶炉副室的定位装置，其特征在于，包括：导向头、第一连接部、第二连接部和导向部，所述导向头、所述第一连接部、所述导向部和所述第二连接部依次连接，所述导向头、所述第一连接部、所述导向部和所述第二连接部的外部均包覆有渗碳层。2.根据权利要求1所述的一种改善直拉单晶炉副室的定位装置，其特征在于：所述渗碳层的厚度为3
‑
5mm。3.根据权利要求1或2所述的一种改善直拉单晶炉副室的定位装置，其特征在于：所述导向头为锥形导向头。4.根据权利要求1所述...

【专利技术属性】
技术研发人员：岳彩广，武志军，谷守伟，刘佳，刘文斌，康晓斌，
申请(专利权)人：宁夏中环光伏材料有限公司，
类型：新型
国别省市：