一种加热器和单晶炉制造技术

本实用新型专利技术提供了一种加热器和单晶炉，所述加热器包括：加热本体和发热体；其中，所述发热体设置于所述加热本体上，且用于罩设在石英坩埚外；所述发热体的内壁上设置有凹槽。可以达到降低单晶硅棒头部氧含量的目的；而且，无需对加热器进行缩短发热区的设计，可以有效保证加热器的使用寿命，避免增加加热器的使用成本；可以避免熔硅结晶撑裂坩埚，发生漏硅等安全事故；还可以避免拉晶过程中熔硅的温度分布不均，提升单晶硅棒的产出效率。提升单晶硅棒的产出效率。提升单晶硅棒的产出效率。

【技术实现步骤摘要】
一种加热器和单晶炉


[0001]本技术涉及拉晶
，特别是涉及一种加热器和单晶炉。

技术介绍

[0002]现在技术中，通常需要使用加热器加热石英坩埚内的硅料，实现拉制晶棒。然而，石英坩埚底部受热发生熔解产生反应，使得Si(硅)+SiO2(二氧化硅)
→
2SiO(氧化硅)，而反应产生的SiO经过熔体对流，容易扩散至硅棒内部，少部分氧原子随着晶体进入晶棒中，影响单晶硅的寿命，从而影响电池的转换效率。
[0003]目前的加热器，通过缩短发热区的方式实现降低单晶硅棒头部氧含量的效果。然而，加热器的发热区缩短，容易缩短加热器的使用寿命，增加使用成本；石英坩埚底部与加热器的发热区之间的距离增大容易导致熔硅结晶撑裂坩埚，发生漏硅等安全事故；拉晶过程中熔硅的温度分布不均，产出效率降低。

技术实现思路

[0004]鉴于上述问题，提出了本技术以便提供一种克服上述问题或者至少部分地解决上述问题的一种加热器和单晶炉。
[0005]为了解决上述问题，第一方面，本技术公开了一种加热器，包括：加热本体和发热体；其中，
[0006]所述发热体设置于所述加热本体上，且用于罩设在石英坩埚外；
[0007]所述发热体的内壁上设置有凹槽。
[0008]可选地，所述凹槽沿所述发热体的长度方向延伸。
[0009]可选地，所述凹槽沿所述发热体的宽度方向延伸。
[0010]可选地，所述凹槽的数量为多个；
[0011]多个所述凹槽沿所述发热体的长度方向延伸。
[0012]可选地，所述凹槽的数量为多个；
[0013]多个所述凹槽沿所述发热体的宽度方向延伸。
[0014]可选地，所述发热体的内壁包括第一区域；
[0015]所述第一区域远离所述加热本体设置；
[0016]所述凹槽设置于所述第一区域；
[0017]所述第一区域的长度小于或等于所述发热体的长度。
[0018]可选地，所述凹槽的横截面形状包括：矩形、三角形、圆形以及椭圆形中的至少一种。
[0019]可选地，所述发热体包括多个发热瓣；
[0020]多个所述发热瓣依次设置，相邻两个发热瓣围合形成U形槽；
[0021]至少两个所述发热瓣上设置有所述凹槽。
[0022]可选地，所述发热体为环形结构。
[0023]第二方面，本技术实施例还公开了一种单晶炉，包括上述加热器。
[0024]本技术包括以下优点：
[0025]在本技术实施例中，所述发热体的内壁上设置有凹槽，可以增大所述发热体的辐射面积，由于所述发热体可以罩设于石英坩埚外，可以提升所述发热体辐射至石英坩埚内熔体内的热量，进而可以降低所述加热器的功率，减少石英坩埚与熔硅的反应，从而可以达到降低单晶硅棒头部氧含量的目的。在本技术实施例中，无需对加热器进行缩短发热区的设计，可以有效保证加热器的使用寿命，避免增加加热器的使用成本；可以避免熔硅结晶撑裂坩埚，发生漏硅等安全事故；还可以避免拉晶过程中熔硅的温度分布不均，提升单晶硅棒的产出效率。
附图说明
[0026]本技术的上述和/或附加的方面和优点从结合下面附图对实施例的描述中将变得明显和容易理解，其中：
[0027]图1是本技术实施例中的一种加热器的结构示意图；
[0028]图2是本技术实施例中的一种凹槽的结构示意图；
[0029]图3是本技术实施例中的另一种凹槽的结构示意图；
[0030]图4是本技术实施例中的又一种凹槽的结构示意图；
[0031]图5是本技术实施例中的再一种凹槽的结构示意图；
[0032]图6是本技术实施例中的一种加热器的降氧效果图。
[0033]附图标记：
[0034]1‑
加热本体，2
‑
发热体，21
‑
发热瓣，22
‑
U形槽，3
‑
凹槽。
具体实施方式
[0035]为使本技术的上述目的、特征和优点能够更加明显易懂，下面结合附图和具体实施方式对本技术作进一步详细的说明。
[0036]本申请的说明书和权利要求书中的术语“第一”、“第二”的特征可以明示或者隐含地包括一个或者更多个该特征。在本专利技术的描述中，除非另有说明，“多个”的含义是两个或两个以上。此外，说明书以及权利要求中“和/或”表示所连接对象的至少其中之一，字符“/”，一般表示前后关联对象是一种“或”的关系。
[0037]在本专利技术的描述中，需要理解的是，术语“长度”、“宽度”、“厚度”、“上”、“下”、“顶”、“底”“内”等指示的方位或位置关系为基于附图所示的方位或位置关系，仅是为了便于描述本专利技术和简化描述，而不是指示或暗示所指的装置或元件必须具有特定的方位、以特定的方位构造和操作，因此不能理解为对本专利技术的限制。
[0038]在本专利技术的描述中，需要说明的是，除非另有明确的规定和限定，术语“安装”、“相连”、“连接”应做广义理解，例如，可以是固定连接，也可以是可拆卸连接，或一体地连接；可以是机械连接，也可以是电连接；可以是直接相连，也可以通过中间媒介间接相连，可以是两个元件内部的连通。对于本领域的普通技术人员而言，可以具体情况理解上述术语在本专利技术中的具体含义。
[0039]下面结合图1
‑
图6描述本技术实施例中所述的加热器和单晶炉。
[0040]本技术的核心构思之一在于公开一种加热器，如图1和图2所示，在本技术的一些实施例中，所述加热器具体可以包括：加热本体1和发热体2；其中，发热体2设置于加热本体1上，且可以用于罩设在石英坩埚外；发热体2的内壁上设置有凹槽3。
[0041]在本技术实施例中，发热体2的内壁上设置有凹槽3，可以增大发热体2的辐射面积，由于发热体2罩设于石英坩埚外，可以提升发热体2辐射至石英坩埚内熔体内的热量，进而可以降低所述加热器的功率，减少石英坩埚与熔硅的反应，从而可以达到降低单晶硅棒头部氧含量的目的。在本技术实施例中，无需对加热器进行缩短发热区的设计，可以有效保证加热器的使用寿命，避免增加加热器的使用成本；可以避免熔硅结晶撑裂坩埚，发生漏硅等安全事故；还可以避免拉晶过程中熔硅的温度分布不均，提升单晶硅棒的产出效率。
[0042]本技术实施例中所述的加热器可以为利用电能达到加热效果的电器。应用范围广，寿命长，可靠性高。加热器原理的核心的是能量转换，最广泛的就是电能转换成热能。按加热方式的种类来区分，加热器可分为三类:1.电磁加热，2.红外线加热，3.电阻加热。
[0043]具体地，所述加热器应用于单晶炉内，具体可以用于加热单晶炉内的石英坩埚中的硅料，以进行拉制单晶硅棒。
[0044]具体地，所述加热器可以包括加热本体1和发热体2；发热体2可以设置于加热本体1上；加热本体1通电可以带动发热体2一起发热，本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种加热器，其特征在于，包括：加热本体和发热体；其中，所述发热体设置于所述加热本体上，且用于罩设在石英坩埚外；所述发热体的内壁上设置有凹槽；所述发热体包括多个发热瓣；多个所述发热瓣依次设置，相邻两个所述发热瓣围合形成U形槽；至少两个所述发热瓣上设置有所述凹槽。2.根据权利要求1所述的加热器，其特征在于，所述凹槽沿所述发热体的长度方向延伸。3.根据权利要求1所述的加热器，其特征在于，所述凹槽沿所述发热体的宽度方向延伸。4.根据权利要求1所述的加热器，其特征在于，所述凹槽的数量为多个；多个所述凹槽沿所述发热体的长度方向延伸。5.根据权利要求1所述的...

【专利技术属性】
技术研发人员：王莎莎，成路，郭瑞波，相鹏飞，张朝光，马少林，文永飞，杨少平，
申请(专利权)人：隆基绿能科技股份有限公司，
类型：新型
国别省市：