【技术实现步骤摘要】
本申请的至少一种实施例涉及一种太阳能电池的切割方法，尤其涉及一种晶硅太阳能电池的切割方法、晶硅太阳能电池单元。
技术介绍
1、晶硅异质结太阳电池(silicon heterojunction，shj)具有结构简单且对称、工艺温度低、效率高、双面发电率高等优点，在p型非晶硅、n型非晶硅和n型单晶硅异质结之间插入一层本征非晶硅薄膜(简称a-si：h(i))，实现了异质结界面的良好钝化，获得了较高效率的晶体硅异质结电池，并最早实现了shj电池的批量生产。
2、半片组件为将太阳能电池切割为半片后再组装而成，由于减少了内部电流和线路电阻，组件封装损失也将会更低；并且，例如半片组件有6个电池串(整片组件有3个电池串)，即使组件上有一小部分阴影使这个电池串失效，由于旁路二极管的设置该串也不会影响其他电池串，降低了阴影的影响，因此半片技术已成为市场主流技术。
3、由于异质结电池采用低温工艺，电池片的整个制程温度小于250℃，因此将整片电池用激光切割为半片的过程中，高温的激光会对异质结电池片的透明导电氧化物(transparent conductive oxide，tco)层、p型非晶硅层、n型非晶硅层和本征非晶硅层造成巨大的热损伤，进而严重降低电池片的效率，如何降低激光对电池片的损伤是异质结组件的重点研究方向之一。
技术实现思路
1、有鉴于此，本申请提供一种晶硅太阳能电池的切割方法，在保证切割效率的情况下降低切割过程对电池造成的热损伤，进而提高晶硅太阳能电池的光电转换效率。
2、作为本申请的一个方面，本申请提供一种晶硅太阳电池的切割方法，晶硅太阳能电池包括晶硅衬底和位于晶硅衬底的至少一个表面上的多个功能层，该切割方法包括：采用不同的脉冲激光沿晶硅衬底的厚度方向自晶硅太阳能电池的第一表面向晶硅太阳能电池的与第一表面相对的第二表面进行分层切割，以将晶硅太阳能电池切割成至少两个晶硅太阳能电池单元；其中，在分层切割过程中，切割晶硅衬底所采用的脉冲激光和切割功能层所采用的脉冲激光不同；其中，用于切割晶硅衬底的脉冲激光的波长位于晶硅衬底的吸收波长范围内，并且用于切割晶硅衬底的脉冲激光为纳秒激光；以及用于切割每个功能层的脉冲激光的波长分别位于功能层的材料的吸收波长范围内，并且用于切割每个功能层的脉冲激光为飞秒激光。
3、作为本申请的另一个方面，本申请提供一种晶硅太阳能电池单元，晶硅太阳能电池单元的切割面具有由脉冲激光切割产生的熔融区，熔融区的厚度小于10μm。
4、根据本申请上述实施例提供的晶硅太阳能电池的切割方法，通过采用不同的脉冲激光对太阳能电池进行分层切割，在切割过程中有效地结合飞秒激光和纳秒激光，既能够有效降低切割过程中脉冲激光对太阳能电池的热损伤，又能够保证较高的切割效率。
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1.一种晶硅太阳能电池的切割方法，所述晶硅太阳能电池包括晶硅衬底和位于所述晶硅衬底的至少一个表面上的多个功能层，其特征在于，所述方法包括：
2.根据权利要求1所述的切割方法，其特征在于，所述用于切割所述晶硅衬底的脉冲激光为波长为1000-1100nm的红外激光，并且所述用于切割所述晶硅衬底的脉冲激光的激光脉冲时间为1-900ns。
3.根据权利要求1或2所述的切割方法，其特征在于，用于切割每个所述功能层的脉冲激光的激光脉冲时间小于900fs。
4.根据权利要求3所述的切割方法，其特征在于，切割所述多个功能层中的至少两个功能层所采用的脉冲激光不同。
5.根据权利要求4所述的切割方法，其特征在于，所述功能层包括透明导电氧化物层，用于切割所述透明导电氧化物层的脉冲激光为波长小于355nm的深紫外飞秒激光，并且用于切割所述透明导电氧化物层的脉冲激光的激光脉冲时间小于500fs；和/或，
6.根据权利要求1所述的切割方法，其特征在于，所述晶硅太阳能电池为晶硅异质结太阳能电池；
7.根据权利要求6所述的切割方法，其特征在
8.根据权利要求6所述的切割方法，其特征在于，采用不同的脉冲激光沿所述晶硅衬底的厚度方向自所述晶硅异质结太阳能电池的第一表面向所述晶硅异质结太阳能电池的与所述第一表面相对的第二表面进行分层切割包括：
9.根据权利要求8所述的切割方法，其特征在于，所述第一切槽、所述第二切槽和所述第三切槽的深度之和与所述晶硅异质结太阳能电池的厚度之比大于等于30％。
10.根据权利要求8所述的切割方法，其特征在于，所述第一激光为激光脉冲时间小于500fs、波长小于355nm的深紫外飞秒激光；和/或，
11.一种晶硅太阳能电池单元，其特征在于，所述晶硅太阳能电池单元的切割面具有由脉冲激光切割产生的熔融区，所述熔融区的厚度小于10μm。
12.根据权利要求11所述的晶硅太阳能电池单元，其特征在于，所述晶硅太阳能电池单元的切割面的粗糙度小于2.5μm。
...【技术特征摘要】
1.一种晶硅太阳能电池的切割方法，所述晶硅太阳能电池包括晶硅衬底和位于所述晶硅衬底的至少一个表面上的多个功能层，其特征在于，所述方法包括：
2.根据权利要求1所述的切割方法，其特征在于，所述用于切割所述晶硅衬底的脉冲激光为波长为1000-1100nm的红外激光，并且所述用于切割所述晶硅衬底的脉冲激光的激光脉冲时间为1-900ns。
3.根据权利要求1或2所述的切割方法，其特征在于，用于切割每个所述功能层的脉冲激光的激光脉冲时间小于900fs。
4.根据权利要求3所述的切割方法，其特征在于，切割所述多个功能层中的至少两个功能层所采用的脉冲激光不同。
5.根据权利要求4所述的切割方法，其特征在于，所述功能层包括透明导电氧化物层，用于切割所述透明导电氧化物层的脉冲激光为波长小于355nm的深紫外飞秒激光，并且用于切割所述透明导电氧化物层的脉冲激光的激光脉冲时间小于500fs；和/或，
6.根据权利要求1所述的切割方法，其特征在于，所述晶硅太...
【专利技术属性】
技术研发人员：刘颖波，彭福国，段军，曲铭浩，殷实，徐希翔，
申请(专利权)人：隆基绿能科技股份有限公司，
类型：发明
国别省市：
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