显示装置及用于制造显示装置的方法制造方法及图纸

技术编号:38834165 阅读:14 留言:0更新日期:2023-09-17 09:52
公开了一种显示装置和用于制造显示装置的方法,所述显示装置包括像素。像素中的每个包括:电极,设置在基体层上;第一绝缘层,设置在电极上;发光元件,设置在第一绝缘层上;堤,设置在第一绝缘层上,并且在基体层的厚度方向上突出;以及第二绝缘层,第二绝缘层的至少一部分设置在第一绝缘层上。像素之中的一个像素的电极的至少一部分与同所述一个像素相邻的另一像素的电极的至少一部分间隔开,且开口区域设置在两者之间。第一绝缘层包括在平面图中与开口区域叠置的第一开口,第二绝缘层包括在平面图中与开口区域叠置的第二开口。平面图中与开口区域叠置的第二开口。平面图中与开口区域叠置的第二开口。

【技术实现步骤摘要】
显示装置及用于制造显示装置的方法
[0001]本申请要求于2022年3月14日在韩国知识产权局(KIPO)提交的第10

2022

0031470号韩国专利申请的优先权和权益,该韩国专利申请的全部内容通过引用包含于此。


[0002]公开总体上涉及一种显示装置和用于显示装置的制造方法。

技术介绍

[0003]最近,随着对信息显示的兴趣的增加,显示装置的研究和开发已经在持续地进行。

技术实现思路

[0004]实施例提供了一种显示装置和用于显示装置的制造方法,其中,减少了所需掩模的数量,使得可以节省工艺成本。
[0005]根据公开的方面,提供了一种包括像素的显示装置,其中,像素中的每个包括:电极,设置在基体层上;第一绝缘层,设置在电极上;发光元件,设置在第一绝缘层上;堤,设置在第一绝缘层上,并且在基体层的厚度方向上突出;以及第二绝缘层,第二绝缘层的至少一部分设置在第一绝缘层上,像素之中的一个像素的电极的至少一部分与同所述一个像素相邻的另一像素的电极的至少一部分间隔开,且开口区域设置在两者之间,第一绝缘层包括在平面图中与开口区域叠置的第一开口,第二绝缘层包括在平面图中与开口区域叠置的第二开口,并且第二开口在平面图中与第一开口完全叠置。
[0006]在平面图中,发光元件可以设置在由堤围绕的区域中。
[0007]第二绝缘层的一部分可以设置在堤上,并且第二绝缘层的另一部分可以设置在发光元件上。
[0008]第二开口可以暴露第一绝缘层和电极中的每个的至少一部分。
[0009]第一开口可以与电极的顶表面叠置,并且在平面图中暴露电极的侧表面。
[0010]在平面图中,第二开口可以与第一开口完全叠置。
[0011]第一开口可以具有第一宽度,并且第二开口可以具有第二宽度。第二宽度可以大于第一宽度。
[0012]开口区域可以具有开口宽度。第二宽度可以大于开口宽度。
[0013]第一宽度可以大于开口宽度。
[0014]像素中的每个还可以包括:第一连接电极,供应用于发光元件发光的阳极信号。电极可以包括电连接到第一连接电极的第一电极。像素之中的一个像素的第一电极可以与同该像素相邻的另一像素的第一电极间隔开,且开口区域设置在两者之间。
[0015]像素中的每个可以包括电连接到发光元件的连接电极。连接电极可以包括第一连接电极、第二连接电极、第三连接电极、第四连接电极和第五连接电极。发光元件可以包括第一发光元件、第二发光元件、第三发光元件和第四发光元件。第一发光元件可以电连接在第一连接电极与第二连接电极之间,第二发光元件可以电连接在第二连接电极与第三连接
电极之间,第三发光元件可以电连接在第三连接电极与第四连接电极之间,第四发光元件可以电连接在第四连接电极与第五连接电极之间。
[0016]根据公开的方面,提供了一种用于制造显示装置的方法,所述方法包括:在基体层上设置电极;在电极上设置第一绝缘层;在第一绝缘层上形成残留堤图案和堤;在第一绝缘层上设置发光元件;在发光元件上设置基体绝缘层;通过将基体绝缘层上的光致抗蚀剂层图案化并使用图案化的光致抗蚀剂层去除基体绝缘层的至少一部分来设置第二绝缘层;去除残留堤图案;以及通过使用图案化的光致抗蚀剂层去除电极的部分。
[0017]形成残留堤图案和堤的步骤可以包括:在第一绝缘层上设置堤;以及在由第一绝缘层形成的第一开口中形成残留堤图案。
[0018]残留堤图案可以具有与第一开口的形状对应的形状。
[0019]形成残留堤图案和堤的步骤还可以包括:形成基体堤层,并且通过使用包括全色调区域和半色调区域的掩模来图案化基体堤层。
[0020]形成残留堤图案和堤的步骤还可以包括:形成残留堤图案以接触电极。
[0021]去除电极的部分的步骤可以包括:在去除残留堤图案的步骤之后蚀刻电极的部分而不进一步形成单独的蚀刻掩模。
[0022]设置基体绝缘层的步骤可以包括:设置基体绝缘层以接触残留堤图案,使得电极不暴露。
[0023]设置发光元件的步骤可以包括:将包括发光元件的墨提供到第一绝缘层上;向电极供应对准信号;以及基于根据对准信号的电场,在第一绝缘层上使发光元件对准。
[0024]蚀刻电极的部分的步骤可以包括:通过使用图案化的光致抗蚀剂层作为蚀刻掩模执行蚀刻工艺来形成开口区域,开口区域具有与形成在第一绝缘层中的第一开口的宽度对应的宽度。形成在第二绝缘层中的第二开口的宽度可大于第一开口的宽度。
附图说明
[0025]现在将在下文中参照附图更充分地描述示例实施例;然而,示例实施例可以以不同的形式实施,并且不应被解释为限于在这里阐述的实施例。相反,提供这些实施例使得公开将是彻底的和完整的,并且将向本领域技术人员充分传达示例实施例的范围。
[0026]在附图中,为了清楚示出,可以夸大尺寸。将理解的是,在元件被称为“在”两个元件“之间”的情况下,该元件可以是两个元件之间的唯一元件,或者也可以存在一个或更多个中间元件。同样的附图标记始终表示同样的元件。
[0027]图1是示出根据公开的实施例的发光元件的示意性透视图。
[0028]图2是示出根据公开的实施例的发光元件的示意性剖视图。
[0029]图3是示出根据公开的实施例的显示装置的示意性平面图。
[0030]图4是示出根据公开的实施例的像素的等效电路的示意图。
[0031]图5是示出根据本公开的实施例的像素的示意性平面图。
[0032]图6是沿着图5中所示的线A

A'截取的示意性剖视图。
[0033]图7是沿着图5中所示的线B

B'截取的示意性剖视图。
[0034]图8是沿着图5中所示的线C

C'截取的示意性剖视图。
[0035]图9是示出根据公开的实施例的第一像素至第三像素的示意性剖视图。
[0036]图10是示出根据公开的实施例的像素的示意性剖视图。
[0037]图11至图21是示出根据公开的实施例的用于显示装置的制造方法的示意性剖视图。
具体实施方式
[0038]公开可以应用各种改变和不同的形状,因此仅使用具体示例进行详细说明。然而,示例不限于某些形状,而是适用于所有改变和等同材料和替换。为了更好地理解,所包括的附图以附图被扩展的方式示出。
[0039]除非另外说明,否则示出的实施例将被理解为提供专利技术的示例特征。因此,除非另外说明,否则在不脱离专利技术构思的情况下,各种实施例的特征、组件、模块、层、膜、面板、区域和/或方面等(在下文中单独地称为或统称为“元件”)可以另外组合、分离、交换和/或重新布置。
[0040]将理解的是,尽管可以在这里使用术语“第一”、“第二”等来描述各种元件,但是这些元件不应该受这些术语的限制。这些术语仅用于将一个元件与另一元件区分开。因此,在不脱离公开的教导的情况下,下面讨论的本文档来自技高网
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【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种显示装置,所述显示装置包括像素,其中,所述像素中的每个包括:电极,设置在基体层上;第一绝缘层,设置在所述电极上;发光元件,设置在所述第一绝缘层上;堤,设置在所述第一绝缘层上,并且在所述基体层的厚度方向上突出;以及第二绝缘层,所述第二绝缘层的至少一部分设置在所述第一绝缘层上,所述像素之中的一个像素的所述电极的至少一部分与同所述一个像素相邻的另一像素的所述电极的至少一部分间隔开,且开口区域设置在两者之间,所述第一绝缘层包括:第一开口,在平面图中与所述开口区域叠置,所述第二绝缘层包括:第二开口,在平面图中与所述开口区域叠置,并且所述第二开口在平面图中与所述第一开口完全叠置。2.根据权利要求1所述的显示装置,其中,所述发光元件在平面图中设置在由所述堤围绕的区域中,所述第二绝缘层的一部分设置在所述堤上,并且所述第二绝缘层的另一部分设置在所述发光元件上。3.根据权利要求1所述的显示装置,其中,所述第二开口暴露所述第一绝缘层和所述电极中的每个的至少一部分,所述第一开口在平面图中与所述电极的顶表面叠置,并且暴露所述电极的侧表面,并且所述第二开口在平面图中与所述第一开口完全叠置。4.根据权利要求1所述的显示装置,其中,所述第一开口具有第一宽度,所述第二开口具有第二宽度,所述第二宽度大于所述第一宽度,所述开口区域具有开口宽度,所述第二宽度大于所述开口宽度,并且所述第一宽度大于所述开口宽度。5.根据权利要求1所述的显示装置,其中,所述像素中的每个还包括:第一连接电极,供应用于所述发光元件发光的阳极信号,所述电极包括电连接到所述第一连接电极的第一电极,并且所述像素之中的所述一个像素的所述第一电极与同所述一个像素相邻的所述另一像素的...

【专利技术属性】
技术研发人员:韦德和
申请(专利权)人:三星显示有限公司
类型:发明
国别省市:

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