晶圆对焦方法、电子设备及存储介质技术

本申请公开了一种晶圆对焦方法、电子设备及存储介质。该晶圆对焦方法包括：对吸附于陶瓷吸盘载台表面的晶圆标准片进行扫描，得到晶圆标准片的每一坐标位置对应的参考高度数据；基于每一坐标位置对应的参考高度数据确定陶瓷吸盘载台的平面度数据；以及基于平面度数据调节待测晶圆样片的对焦距离。利用本申请提供的技术方案，能够适配于陶瓷吸盘载台进行自动对焦，降低晶圆检测成本，提升晶圆检测精度。提升晶圆检测精度。提升晶圆检测精度。

【技术实现步骤摘要】
晶圆对焦方法、电子设备及存储介质


[0001]本申请一般涉及视觉检测
更具体地，本申请涉及一种晶圆对焦方法、电子设备及存储介质。

技术介绍

[0002]半导体晶圆自动化光学检测系统越来越收到晶圆厂家的青睐，随着光刻机的高速发展，目前所能刻蚀的最小线宽越来越小。刻蚀技术的提高也要求自动光学检测设备随之提高光学分辨率。现今的显微物镜已经由之前2X、5X级别提高到了现在的10X、20X级别，而随着显微镜倍率的提高，显微镜的景深也随之减小，10X、20X级别的显微镜景深仅有几微米，因此采用自动对焦是一个必须的选择。
[0003]现有对晶圆进行检测的机台中可以使用陶瓷吸盘载台来作为晶圆的载物台，用于对晶圆进行吸附固定。但是陶瓷吸盘载台的陶瓷材料对光的反射率较低，导致现有的自动对焦系统不适用于陶瓷吸盘载台来进行自动对焦。同时地，现有的自动对焦系价格昂贵，采用其进行检测的成本较高。
[0004]有鉴于此，亟需提供一种创新的晶圆对焦方法，以便适配于陶瓷吸盘载台进行自动对焦，降低晶圆检测成本，提升晶圆检测精度。

技术实现思路

[0005]为了至少解决如上所提到的一个或多个技术问题，本申请提出了晶圆对焦方法、电子设备及存储介质。该晶圆对焦方法，能够适配于陶瓷吸盘载台进行自动对焦，降低晶圆检测成本，提升晶圆检测精度。
[0006]在第一方面中，本申请提供一种晶圆对焦方法，包括：对吸附于陶瓷吸盘载台表面的晶圆标准片进行扫描，得到晶圆标准片的每一坐标位置对应的参考高度数据；基于每一坐标位置对应的参考高度数据确定陶瓷吸盘载台的平面度数据；以及基于平面度数据调节待测晶圆样片的对焦距离。
[0007]在一些实施例中，基于每一坐标位置对应的参考高度数据确定陶瓷吸盘载台的平面度数据包括：基于每一坐标位置对应的参考高度数据形成点云数据；对点云数据进行拟合处理，得到高度曲面数据；以及将高度曲面数据作为平面度数据。
[0008]在一些实施例中，基于每一坐标位置对应的参考高度数据形成点云数据包括：将每一坐标位置对应的参考高度数据和每一坐标位置的坐标信息导入点云文件，形成点云数据。
[0009]在一些实施例中，对点云数据进行拟合处理包括：通过最小二乘法对点云数据进行拟合处理。
[0010]在一些实施例中，通过最小二乘法对点云数据进行拟合处理包括：构建曲面模型；曲面模型为，其中，A、B、C、D、E和F为曲面系数；基于最小二乘法和点云数据对曲面模型进行拟合以确定曲面系数。
[0011]在一些实施例中，基于平面度数据调节待测晶圆样片的对焦距离包括：基于平面度数据确定待测晶圆样片当前坐标位置对应的参考高度数据；以及根据待测晶圆样片当前坐标位置对应的参考高度数据调整对焦距离。
[0012]在一些实施例中，根据待测晶圆样片当前坐标位置对应的参考高度数据调整对焦距离包括：根据待测晶圆样片当前坐标位置对应的参考高度数据调节对焦运动执行机构的高度数据。
[0013]在一些实施例中，对吸附于陶瓷吸盘载台表面的晶圆标准片进行扫描包括：设置扫描路径和扫描步长；以及通过激光位移传感器，基于扫描路径和扫描步长对吸附于陶瓷吸盘载台表面的晶圆标准片进行扫描。
[0014]在第二方面中，本申请提供一种电子设备，包括：处理器；以及存储器，其上存储有用于晶圆对焦的程序代码，当所述程序代码被所述处理器执行时，使所述电子设备实现如上所述的方法。
[0015]在第三方面中，本申请提供一种非暂时性机器可读存储介质，其上存储有用于晶圆对焦的程序代码，当所述程序代码由处理器执行时，能够实现如上所述的方法。
[0016]本申请提供的技术方案可以包括以下有益效果：本申请提供的晶圆对焦方法、电子设备及存储介质，通过对吸附于陶瓷吸盘载台表面的晶圆标准片进行扫描，得到晶圆标准片的每一坐标位置对应的参考高度数据。由于晶圆标准片上料至陶瓷吸盘载台后，陶瓷吸盘载台会对晶圆标准片进行真空吸附，从而晶圆标准片会紧贴在陶瓷吸盘载台上，因此晶圆标准片的平面度能够和陶瓷吸盘载台的平面度保持一致。进而可以基于晶圆标准片的每一坐标位置对应的参考高度数据确定陶瓷吸盘载台的平面度数据。从而规避了陶瓷吸盘载台的陶瓷材料对光的反射率较低而无法实现自动对焦的缺点，同时由于晶圆标准片与实际的待测晶圆样片规格基本一致，因此能够依据该平面度数据来对待测晶圆样片进行对焦距离的调整。
[0017]进一步地，本申请可以基于平面度数据调节待测晶圆样片的对焦距离，由于晶圆标准片的每一坐标位置对应的参考高度数据已标定成为该平面度数据，因此在调节待测晶圆样片的对焦距离时只需要根据标定好的平面度数据进行实时移动对焦即可，从而减少了计算偏差补偿高度带来的时间损耗，大大提升了待测晶圆样片在检测过程中的对焦速度，提升晶圆检测效率和晶圆检测精度。
[0018]总的来说，本申请能够适配于陶瓷吸盘载台进行自动对焦，降低晶圆检测成本，提升晶圆检测精度。
附图说明
[0019]通过参考附图阅读下文的详细描述，本申请示例性实施方式的上述以及其他目的、特征和优点将变得易于理解。在附图中，以示例性而非限制性的方式示出了本申请的若干实施方式，并且相同或对应的标号表示相同或对应的部分，其中：图1示出了本申请一些实施例的晶圆对焦方法的示例性流程图；图2示出了本申请另一些实施例的晶圆对焦方法的示例性流程图；图3示出了本申请再一些实施例的晶圆对焦方法的示例性流程图；图4是本申请实施例示出的电子设备的结构示意图。
具体实施方式
[0020]下面将结合本申请实施例中的附图，对本申请实施例中的技术方案进行清楚、完整地描述，显然，所描述的实施例是本申请一部分实施例，而不是全部的实施例。为了说明的简单和清楚，在认为合适的情况下，可以在附图中重复附图标记以指示对应或类似的元件。另外，本申请阐述了许多具体细节以便提供对本文所述实施例的透彻理解。然而，本领域普通技术人员将理解，可以在没有这些具体细节的情况下实践本文描述的实施例。在其他情况下，没有详细描述公知的方法、过程和组件，以免模糊本文描述的实施例。而且，该描述不应被视为限制本文描述的实施例的范围。基于本申请中的实施例，本领域技术人员在没有做出创造性劳动前提下所获得的所有其他实施例，都属于本申请保护的范围。
[0021]应当理解，本申请披露的权利要求、说明书及附图中的可能术语“第一”或“第二”等是用于区别不同对象，而不是用于描述特定顺序。本申请的说明书和权利要求书中使用的术语“包括”和“包含”指示所描述特征、整体、步骤、操作、元素和/或组件的存在，但并不排除一个或多个其它特征、整体、步骤、操作、元素、组件和/或其集合的存在或添加。
[0022]还应当理解，在此本申请说明书中所使用的术语仅仅是出于描述特定实施例的目的，而并不意在限定本申请。如在本申请说明书和权利要求书中所使用的那样，除非上下文清楚地指明其它情况，否则单数形式的“一”、“一个”及“该”意在包括复数形式。还应当进一步理解，在本申请说明书和权利要求书本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种晶圆对焦方法，其特征在于，包括：对吸附于陶瓷吸盘载台表面的晶圆标准片进行扫描，得到所述晶圆标准片的每一坐标位置对应的参考高度数据；基于每一坐标位置对应的参考高度数据确定所述陶瓷吸盘载台的平面度数据；以及基于所述平面度数据调节待测晶圆样片的对焦距离。2.根据权利要求1所述的晶圆对焦方法，其特征在于，所述基于每一坐标位置对应的参考高度数据确定所述陶瓷吸盘载台的平面度数据包括：基于每一坐标位置对应的参考高度数据形成点云数据；对所述点云数据进行拟合处理，得到高度曲面数据；以及将所述高度曲面数据作为所述平面度数据。3.根据权利要求2所述的晶圆对焦方法，其特征在于，所述基于每一坐标位置对应的参考高度数据形成点云数据包括：将每一坐标位置对应的参考高度数据和每一坐标位置的坐标信息导入点云文件，形成所述点云数据。4.根据权利要求2所述的晶圆对焦方法，其特征在于，所述对所述点云数据进行拟合处理包括：通过最小二乘法对所述点云数据进行拟合处理。5.根据权利要求4所述的晶圆对焦方法，其特征在于，所述通过最小二乘法对所述点云数据进行拟合处理包括：构建曲面模型；所述曲面模型为，其中，A、B、C、D、E和F为曲面系数；基于所述最小二乘法和所述点云数据对所述曲面模型进行拟合以确定所述曲面系数。6....

【专利技术属性】
技术研发人员：请求不公布姓名，
申请(专利权)人：苏州高视半导体技术有限公司，
类型：发明
国别省市：