用于半导体暗场检测的照明装置以及检测系统制造方法及图纸

本披露公开了一种用于半导体暗场检测的照明装置以及检测系统

【技术实现步骤摘要】
用于半导体暗场检测的照明装置以及检测系统


[0001]本披露一般涉及半导体检测

。
更具体地，本披露涉及一种用于半导体暗场检测的照明装置以及检测系统
。

技术介绍

[0002]随着电子产业的不断发展，工业上对于半导体的质量要求也越来越高，半导体的缺陷检测已成为目前半导体生产中非常重要的一环
。
人工目测的检测方式由于普遍存在检测效率低下
、
人为误差较大
、
检测标准不统一且不可量化等缺点，已逐渐被基于机器视觉的自动化检测方式所替代
。
[0003]机器视觉检测主要是通过摄像头等图像采集设备实时抓取半导体图像，再通过分析处理图像来得到图像的各项参数，继而与预先设置好的检测标准进行比较计算，进而判断半导体产品是否存在缺陷
。
图像的成像质量对于检测结果具有较大的影响，而图像的成像质量与成像时的光照条件紧密相关
。
因此，为了保证成像均匀性，传统的机器视觉检测会使用环形光源来保证稳定
、
均匀的光照条件
。
[0004]然而，目前的芯粒产品表面大多数都会进行镀膜处理，不同的镀膜工艺会对环形光源的成像产生干扰，导致检测图像中出现类似于干涉条纹的灯珠投影的现象
。
这一现象严重影响了成像均匀性，导致半导体缺陷检测结果的可靠性受到影响，因此传统的环形光源无法满足目前半导体行业的高精度的检测要求
。
[0005]有鉴于此，亟需提供一种用于半导体暗场检测的照明方案，以便在半导体检测时，消除光源灯珠成像在半导体表面的现象，从而解决镀膜工艺所采用的金属材质的反光性对成像质量的影响，保障半导体检测结果的可靠性和准确性
。

技术实现思路

[0006]为了至少解决如上所提到的一个或多个技术问题，本披露在多个方面中提出了用于半导体暗场检测的照明方案
。
[0007]在第一方面中，本披露提供一种用于半导体暗场检测的照明装置包括：环形光纤，其包括两组光纤组，其中每一组光纤组包括相对设置的两段弧形光纤；以及控制元件，其与环形光纤连接，并配置成：根据半导体中芯粒的切割道方向，从两组光纤组中选择一组点亮，以作为半导体的暗场检测光源
。
[0008]在一些实施例中，其中环形光纤由四段弧形光纤构成，四段弧形光纤的弧长相等且所对圆心角相等，并且其中处于相对位置的两段弧形光纤构成一组光纤组
。
[0009]在第二方面中，本披露提供一种用于半导体暗场检测的检测系统包括：如第一方面描述的照明装置，其用于照射半导体以形成检测光束；检测透镜组，其用于接收半导体表面反射检测光束所形成的反射光束；以及成像元件，其用于从检测透镜组接收反射光束，以形成检测图像
。
[0010]在一些实施例中，照明装置中的控制元件与成像元件连接，并配置成：从成像元件
获取第一半导体在明场检测光源下的明场检测图像；根据明场检测图像识别切割道方向；响应于切割道方向满足暗场检测条件，依次点亮每组光纤组，以在每组光纤组照射下形成暗场检测图像；以及根据每组光纤组照射下的暗场检测图像，确定暗场检测所需的光纤组
。
[0011]在一些实施例中，其中暗场检测条件包括要求第一半导体中存在一条切割道，该条切割道的方向与环形光纤中一条弧形光纤的弧高方向平行
。
[0012]在一些实施例中，其中在根据明场检测图像识别切割道方向之后，控制元件还配置成：响应于切割道方向不满足暗场检测条件，旋转第一半导体以调整切割道方向，使其满足暗场检测条件
。
[0013]在一些实施例中，其中在确定暗场检测所需的光纤组之后，控制元件还配置成：点亮暗场检测所需的光纤组，以作为第二半导体的暗场检测光源；其中第二半导体的放置姿态与第一半导体在暗场检测光源下的放置姿态一致，且第二半导体的型号与第一半导体的型号一致；获取第二半导体在暗场检测光源下所形成的暗场检测图像；以及根据第二半导体的暗场检测图像进行缺陷检测
。
[0014]在一些实施例中，其中在从成像元件获取第一半导体在明场检测光源下的明场检测图像之前，控制元件还配置成：点亮环形光纤中所有光纤组，以形成明场检测光源
。
[0015]在一些实施例中，该检测系统还包括：机械臂或可旋转载物台，机械臂或可旋转载物台与控制元件连接；在旋转第一半导体中，控制元件还配置成：控制机械臂旋转第一半导体或控制可旋转载物台旋转
。
[0016]在一些实施例中，其中检测透镜组包括：筒镜和物镜，成像元件
、
筒镜和物镜沿光轴依次设置，环形光纤套设于物镜的外周面
。
[0017]通过如上所提供的用于半导体暗场检测的照明装置，本披露实施例通过分段式的环形光纤能够实现多段可分辨控制出光，从而根据半导体中芯粒的不同切割道方向，控制不同光纤组点亮，实现有针对性地照明控制
。
在半导体检测时，本披露实施例能够通过关闭灯珠反射成像方向上的两段弧形光纤，并开启另一方向上的两段弧形光纤，消除灯珠在半导体表面的反射成像，并为半导体暗场检测提供均匀的检测光源，以此保障检测图像的成像质量，进而提高半导体检测结果的可靠性和准确性
。
附图说明
[0018]通过参考附图阅读下文的详细描述，本披露示例性实施方式的上述以及其他目的
、
特征和优点将变得易于理解
。
在附图中，以示例性而非限制性的方式示出了本披露的若干实施方式，并且相同或对应的标号表示相同或对应的部分，其中：图1示出了本披露一些实施例的用于半导体暗场检测的照明装置的示例性结构图；图2示出了本披露一些实施例的用于半导体暗场检测的检测系统的示例性结构图；图3示出了本披露一些实施例的照明控制方法的示例性流程图；图4示出了本披露一些实施例的半导体暗场检测方法的示例性流程图；图5示出了本披露另一些实施例的照明控制方法的示例性流程图；图6示出了本披露实施例的电子设备的示例性结构框图
。
具体实施方式
[0019]下面将结合本披露实施例中的附图，对本披露实施例中的技术方案进行清楚
、
完整地描述，显然，所描述的实施例是本披露一部分实施例，而不是全部的实施例
。
基于本披露中的实施例，本领域技术人员在没有做出创造性劳动前提下所获得的所有其他实施例，都属于本披露保护的范围
。
[0020]应当理解，本披露的说明书和权利要求书中使用的术语“包括”和“包含”指示所描述特征
、
整体
、
步骤
、
操作
、
元素和
/
或组件的存在，但并不排除一个或多个其它特征
、
整体
、
步骤
、
操作
、
元素
、
组件和
/
...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1. 一种用于半导体暗场检测的照明装置，其特征在于，包括：环形光纤（
10
），其包括两组光纤组，其中每一组光纤组包括相对设置的两段弧形光纤；以及控制元件（
20
），其与所述环形光纤（
10
）连接，并配置成：根据半导体中芯粒的切割道方向，从所述两组光纤组中选择一组点亮，以作为所述半导体的暗场检测光源
。2.
根据权利要求1所述的照明装置，其特征在于，其中所述环形光纤（
10
）由四段弧形光纤构成，所述四段弧形光纤的弧长相等且所对圆心角相等，并且其中处于相对位置的两段弧形光纤构成一组光纤组
。3.
一种用于半导体暗场检测的检测系统，其特征在于，包括：如权利要求1或2所述的照明装置，其用于照射半导体以形成检测光束；检测透镜组（
30
），其用于接收半导体表面反射检测光束所形成的反射光束；以及成像元件（
40
），其用于从所述检测透镜组接收所述反射光束，以形成检测图像
。4.
根据权利要求3所述的检测系统，其特征在于，所述照明装置中的控制元件（
20
）与所述成像元件（
40
）连接，并配置成：从所述成像元件获取第一半导体在明场检测光源下的明场检测图像；根据所述明场检测图像识别切割道方向；响应于所述切割道方向满足暗场检测条件，依次点亮每组光纤组，以在每组光纤组照射下形成暗场检测图像；以及根据每组光纤组照射下的暗场检测图像，确定暗场检测所需的光纤组
。5.
根据权利要求4所述的检测系统，其特征在于，其中所述暗场检测条件包括要求所述第一半导体中存在一条切割道，该条切割道的方向与所述环形光纤中一条弧形光纤的弧高方向平行
。6.<...

【专利技术属性】
技术研发人员：请求不公布姓名，请求不公布姓名，请求不公布姓名，
申请(专利权)人：苏州高视半导体技术有限公司，
类型：发明
国别省市：