半导体结构及其制造方法技术

本公开提供一种半导体结构及其制造方法，所述半导体结构包括：半导体衬底；所述半导体衬底上设置有第一对准标记和第二对准标记；所述第一对准标记包括沿第一方向排列的第一对准图案，所述第一对准图案之间具有第一间隔区，所述第二对准标记位于所述第一间隔区内；所述第一对准标记的类型和所述第二对准标记的类型不同。本公开通过在同一半导体衬底上，利用第一对准标记的第一对准图案之间的空间设置第二对准标记，提高半导体结构的空间利用率和使用率，满足研发设计的多样性需求，提升研发效率。研发效率。研发效率。

【技术实现步骤摘要】
半导体结构及其制造方法


[0001]本公开涉及半导体
，尤其涉及一种半导体结构及其制造方法。

技术介绍

[0002]半导体工艺曝光机对准是曝光机曝光前提，曝光对准图形(Alignment mark)是曝光机对准的基础。当前主流曝光机系统的对准图形中，曝光对准图形的整体设计尺寸要求较大，占用空间和面积较大，对晶圆(Wafer)的产品利用率有较大的影响。

技术实现思路

[0003]以下是对本公开详细描述的主题的概述。本概述并非是为了限制权利要求的保护范围。
[0004]本公开提供一种半导体结构及其制造方法，提高半导体结构的空间利用率和使用率。
[0005]本公开的第一方面提供一种半导体结构，所述半导体结构包括：
[0006]半导体衬底，所述半导体衬底上设置有第一对准标记和第二对准标记；
[0007]所述第一对准标记包括沿第一方向排列的第一对准图案，所述第一对准图案之间具有第一间隔区，所述第二对准标记位于所述第一间隔区内；
[0008]所述第一对准标记的类型和所述第二对准标记的类型不同。
[0009]根据本公开的一些实施例，所述第二对准标记包括沿第二方向排列的第二对准图案和沿第三方向排布的第三对准图案，所述第二方向与所述第三方向不同，所述第二方向与所述第一方向相同或不同。
[0010]根据本公开的一些实施例，所述第二对准标记中的所述第二对准图案具有第一密度，所述第二对准标记中的所述第三对准图案具有第二密度，所述第一密度与所述第二密度相同或不同。<br/>[0011]根据本公开的一些实施例，所述半导体结构至少还包括第一材料层，所述第一材料层覆盖所述第一对准标记和所述第二对准标记；
[0012]所述第一材料层上设置有第三对准标记，所述第三对准标记的类型与所述第一对准标记或所述第二对准标记的类型相同。
[0013]根据本公开的一些实施例，所述第一材料层上还包括第四对准标记，所述第四对准标记与所述第三对准标记的类型不同。
[0014]根据本公开的一些实施例，所述半导体结构还包括第二材料层，所述第二材料层位于所述第三对准标记与所述第四对准标记之间。
[0015]根据本公开的一些实施例，所述第一材料层包括第一填充层和隔离层；
[0016]所述第一填充层填充所述第一对准标记和所述第二对准标记之间的间隙；所述第一填充层的上表面与所述第一对准标记的上表面和所述第二对准标记的上表面平齐；
[0017]所述隔离层设置在所述第一填充层上。
[0018]根据本公开的一些实施例，所述第一对准图形的类型包括：至少一种基于光学衍射的叠对标记；
[0019]所述第二对准图形的类型包括：至少一种基于图像识别技术的标记。
[0020]本公开的第二方面提供一种半导体结构的制造方法，所述制造方法包括：
[0021]提供半导体衬底；
[0022]在所述半导体衬底的上表面上形成第一对准标记和第二对准标记，所述第一对准标记包括沿第一方向排列的第一对准图案，所述第一对准图案之间具有第一间隔区，所述第二对准标记位于所述第一间隔区内；
[0023]所述第一对准标记的类型和所述第二对准标记的类型不同。
[0024]根据本公开的一些实施例，所述第二对准标记包括沿第二方向排列的第二对准图案和沿第三方向排列的第三对准图案，所述第二方向与所述第三方向不同，所述第二方向与所述第一方向相同或不同。
[0025]根据本公开的一些实施例，所述第二对准标记中的所述第二对准图案具有第一密度，所述第二对准标记中的第三对准图案具有第二密度，所述第一密度与所述第二密度相同或不同。
[0026]根据本公开的一些实施例，所述制造方法还包括：
[0027]形成第一材料层，所述第一材料层覆盖所述第一对准标记和所述第二对准标记；
[0028]在所述第一材料层上形成第三对准标记，所述第三对准标记的类型与所述第一对准标记或所述第二对准标记的类型相同。
[0029]根据本公开的一些实施例，所述制造方法还包括：
[0030]在所述第一材料层上形成第四对准标记，所述第四对准标记与所述第三对准标记的类型不同。
[0031]根据本公开的一些实施例，所述制造方法还包括：
[0032]形成第二材料层，所述第二材料层位于所述第三对准标记与所述第四对准标记之间。
[0033]根据本公开的一些实施例，所述形成第一材料层包括：
[0034]形成第一填充层，所述第一填充层填充所述第一对准标记和所述第二对准标记之间的间隙；所述第一填充层的上表面与所述第一对准标记的上表面和所述第二对准标记的上表面平齐；
[0035]在所述第一填充层上形成隔离层。
[0036]根据本公开的一些实施例，所述第一对准图形的类型包括：至少一种基于光学衍射的叠对标记；
[0037]所述第二对准图形的类型包括：至少一种基于图像识别技术的标记。
[0038]本公开实施例所提供的半导体结构及其制造方法，在同一半导体衬底上，利用第一对准标记的第一对准图案之间的空间设置第二对准标记，提高半导体结构的空间利用率和使用率，满足研发设计的多样性需求，提升研发效率。
[0039]在阅读并理解了附图和详细描述后，可以明白其他方面。
附图说明
[0040]并入到说明书中并且构成说明书的一部分的附图示出了本公开的实施例，并且与描述一起用于解释本公开实施例的原理。在这些附图中，类似的附图标记用于表示类似的要素。下面描述中的附图是本公开的一些实施例，而不是全部实施例。对于本领域技术人员来讲，在不付出创造性劳动的前提下，可以根据这些附图获得其他的附图。
[0041]图1是根据一示例性实施例示出的半导体结构的示意图；
[0042]图2是根据一示例性实施例示出的半导体结构的结构示意图；
[0043]图3a
‑
3c是根据一示例性实施例示出的不同第二对准标记的示意图；
[0044]图4a
‑
4c是根据一示例性实施例示出的不同第二对准标记的半导体结构的示意图；
[0045]图5是根据一示例性实施例示出的半导体结构的结构示意图；
[0046]图6是根据一示例性实施例示出的半导体结构的制造方法的流程图；
[0047]图7是根据一示例性实施例示出的半导体结构的制造方法的流程图；
[0048]图8是根据一示例性实施例示出的半导体结构的制造方法的补充流程图；
[0049]图9是根据一示例性实施例示出的半导体结构的制造方法的补充流程图；
[0050]图10是根据一示例性实施例示出的形成第一材料层的流程图；
[0051]图11是根据一示例性实施例示出的标准掩膜板alignment mark A的示意图；
[0052]图12是根据一示例性实施例示出的修改后的掩膜板的示意图；
[0053]图13是根据一示例性本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种半导体结构，其特征在于，所述半导体结构包括：半导体衬底，所述半导体衬底上设置有第一对准标记和第二对准标记；所述第一对准标记包括沿第一方向排列的第一对准图案，所述第一对准图案之间具有第一间隔区，所述第二对准标记位于所述第一间隔区内；所述第一对准标记的类型和所述第二对准标记的类型不同。2.根据权利要求1所述的半导体结构，其特征在于，所述第二对准标记包括沿第二方向排列的第二对准图案和沿第三方向排布的第三对准图案，所述第二方向与所述第三方向不同，所述第二方向与所述第一方向相同或不同。3.根据权利要求2所述的半导体结构，其特征在于，所述第二对准标记中的所述第二对准图案具有第一密度，所述第二对准标记中的所述第三对准图案具有第二密度，所述第一密度与所述第二密度相同或不同。4.根据权利要求1所述的半导体结构，其特征在于，所述半导体结构至少包括第一材料层，所述第一材料层覆盖所述第一对准标记和所述第二对准标记；所述第一材料层上设置有第三对准标记，所述第三对准标记的类型与所述第一对准标记或所述第二对准标记的类型相同。5.根据权利要求4所述的半导体结构，其特征在于，所述第一材料层上还包括第四对准标记，所述第四对准标记与所述第三对准标记的类型不同。6.根据权利要求5所述的半导体结构，其特征在于，所述半导体结构还包括第二材料层，所述第二材料层位于所述第三对准标记与所述第四对准标记之间。7.根据权利要求4所述的半导体结构，其特征在于，所述第一材料层包括第一填充层和隔离层；所述第一填充层填充所述第一对准标记和所述第二对准标记之间的间隙；所述第一填充层的上表面与所述第一对准标记的上表面和所述第二对准标记的上表面平齐；所述隔离层设置在所述第一填充层上。8.根据权利要求1所述的半导体结构，其特征在于，所述第一对准标记的类型包括：至少一种基于图像识别技术的标记；所述第二对准标记的类型包括：至少一种基于光学衍射的叠对标记。9.一种半导体结构的制造方法，其特征在于，所述制造方法包括：提供半导体衬底；...

【专利技术属性】
技术研发人员：程建，
申请(专利权)人：长鑫存储技术有限公司，
类型：发明
国别省市：