增益可调低噪声放大器以及射频前端模组制造技术

本申请实施例提供一种增益可调低噪声放大器以及射频前端模组，增益可调低噪声放大器包括：第一信号输入端、第一信号输出端、逻辑控制单元以及第一信号输入端和第一信号输出端之间依次连接的第一级放大电路、第二级放大电路和第一增益调节电路；第一级放大电路和第二级放大电路用于对信号依次进行两级放大；第一增益调节电路用于对经两级放大的信号进行衰减；第一增益调节电路包括至少两个增益调节单元，至少两个增益调节单元包括不同的增益档位；逻辑控制单元用于控制第一增益调节电路的工作状态，以调节增益可调低噪声放大器的增益档位。在实现高增益放大的同时，实现了多个增益调节档位的调节，提高了增益调节范围。提高了增益调节范围。提高了增益调节范围。

【技术实现步骤摘要】
增益可调低噪声放大器以及射频前端模组


[0001]本申请涉及射频
，特别是涉及一种增益可调低噪声放大器以及射频前端模组。

技术介绍

[0002]低噪声放大器(LowNoiseAmplifier，LNA)作为射频接收机关键模块，其增益对接收系统灵敏度及动态范围至关重要。可变增益的低噪声放大器可改善系统动态范围、简化系统设计、降低系统成本。传统的增益可调放大器通过改变输出放大电路的负载电阻的大小来改变LNA输出端负载阻抗大小，从而改变LNA增益。但电阻的变化受限于LNA的电源电压和输出匹配性能等因素，因此，增益可调范围窄。
[0003]如何对LNA可调节增益进行优化设计，提高其增益可调节的档位或范围，是本领域一直致力解决的重要技术问题。

技术实现思路

[0004]有鉴于此，本申请实施例为解决
技术介绍
中存在的至少一个问题而提供一种增益可调低噪声放大器以及射频前端模组。
[0005]第一方面，本申请一实施例提供了一种增益可调低噪声放大器，包括：第一信号输入端、第一信号输出端、逻辑控制单元以及第一信号输入端和第一信号输出端之间依次连接的第一级放大电路、第二级放大电路和第一增益调节电路；
[0006]所述第一信号输入端用于输入信号；所述第一信号输出端用于输出信号；
[0007]所述第一级放大电路和第二级放大电路用于对所述信号依次进行两级放大；
[0008]所述第一增益调节电路用于对经所述两级放大的信号进行衰减；所述第一增益调节电路包括至少两个增益调节单元，所述至少两个增益调节单元包括不同的增益档位；
[0009]所述逻辑控制单元用于控制所述第一增益调节电路的工作状态，以调节所述增益可调低噪声放大器的增益档位。
[0010]结合本申请的第一方面，在一可选实施方式中，所述第一增益调节电路包括第一开关组件和至少一个衰减网络，所述第一开关组件用于在所述逻辑控制单元的控制下控制所述至少一个衰减网络的工作状态，以调节所述第一增益调节电路的增益档位。
[0011]结合本申请的第一方面，在一可选实施方式中，所述至少一个衰减网络包括：T型衰减网络，包括第一电阻、第二电阻和第三电阻，所述第一电阻和所述第二电阻串联，所述第三电阻的一端连接在所述第一电阻和所述第二电阻之间，所述第三电阻的另一端接射频地；或，所述至少一个衰减网络包括：π型衰减网络，包括第四电阻、第五电阻和第六电阻；所述第四电阻的一端和所述第六电阻的一端之间连接所述第五电阻，所述第四电阻的另一端和所述第六电阻的另一端接射频地。
[0012]结合本申请的第一方面，在一可选实施方式中，所述至少一个衰减网络包括第一衰减网络和第二衰减网络；
[0013]所述第一衰减网络包括第一电阻、第二电阻和第三电阻；所述第二电阻连接在所述第一电阻的一端和所述第三电阻的一端之间，所述第一电阻的另一端和所述第三电阻的另一端接射频地；
[0014]所述第二衰减网络包括第四电阻、第五电阻和第六电阻；所述第五电阻连接在所述第四电阻的一端和所述第六电阻的一端之间，所述第四电阻的另一端和所述第六电阻的另一端接射频地；所述第二电阻和所述第五电阻串联连接在所述第二级放大电路的信号输出端和所述第一信号输出端之间。
[0015]结合本申请的第一方面，在一可选实施方式中，所述第一开关组件包括第一晶体管、第二晶体管、第三晶体管、第四晶体管、第五晶体管、第六晶体管和第七晶体管；所述第一晶体管的源极连接所述第二级放大电路的信号输出端；所述第一晶体管的漏极连接所述第一信号输出端；所述第二晶体管的源极连接所述第二级放大电路的信号输出端；所述第二晶体管的漏极连接所述第五晶体管的源极；所述第五晶体管的漏极连接所述第一信号输出端；所述第一电阻连接在所述第二晶体管的源极和漏极之间；所述第三晶体管的漏极通过所述第二电阻连接所述第二晶体管的源极，所述第三晶体管的源极接射频地；所述第四晶体管的漏极通过所述第三电阻连接所述第二晶体管的漏极，所述第四晶体管的源极接射频地；所述第五电阻连接在所述第五晶体管的源极和漏极之间；所述第六晶体管的漏极通过所述第四电阻连接所述第五晶体管的源极，所述第六晶体管的源极接射频地；所述第七晶体管的漏极通过所述第六电阻连接所述第五晶体管的漏极，所述第七晶体管的源极接射频地；所述第一晶体管的栅极、所述第二晶体管的栅极、所述第三晶体管的栅极、所述第四晶体管的栅极、所述第五晶体管的栅极、所述第六晶体管的栅极和所述第七晶体管的栅极用于接收所述逻辑控制单元的导通控制信号。
[0016]结合本申请的第一方面，在一可选实施方式中，所述第一级放大电路为至少两级增益可调放大电路，所述逻辑控制单元还用于控制所述第一级放大电路的增益。
[0017]结合本申请的第一方面，在一可选实施方式中，所述第一级放大电路还包括：第二增益调节电路，用于在所述逻辑控制单元的控制下调节所述第一级放大电路的阻抗值，以调节所述第一级放大电路的增益档位。
[0018]结合本申请的第一方面，在一可选实施方式中，所述第一级放大电路包括第一共源管和第一共栅管，所述第一共源管的漏极连接所述第一共栅管的源极，所述第一共源管的栅极连接所述第一信号输入端，所述第一共源管的源极通过所述第二增益调节电路接地。
[0019]结合本申请的第一方面，在一可选实施方式中，所述第二增益调节电路包括电感组件和第二开关组件；所述电感组件包括第一退化电感、第二退化电感和第十四电阻；所述第二开关组件包括第八晶体管和第九晶体管；所述第一退化电感的一端连接所述第一共源管的源极，所述第一退化电感的另一端连接所述第八晶体管的漏极；所述第八晶体管的源极接地；所述第二退化电感的一端连接所述第八晶体管的漏极，所述第二退化电感的另一端通过所述第十四电阻接地；所述第九晶体管的漏极连接所述第二退化电感的另一端，所述第九晶体管的源极接地；所述第八晶体管的栅极和所述第九晶体管的栅极用于接收所述逻辑控制单元的导通控制信号。
[0020]结合本申请的第一方面，在一可选实施方式中，所述增益可调低噪声放大器还包
括：偏置电路，用于向所述第一级放大电路和/或所述第二级放大电路输出工作电压；所述偏置电路用于在所述逻辑控制单元的控制下改变所述工作电压，以调节所述增益可调低噪声放大器的增益档位。
[0021]结合本申请的第一方面，在一可选实施方式中，所述第一级放大电路和所述第一信号输入端之间设置有输入匹配网络，所述输入匹配网络包括输入匹配调节电路，用于调节所述增益可调低噪声放大器的输入阻抗。
[0022]结合本申请的第一方面，在一可选实施方式中，所述输入匹配调节电路包括：至少一个调节支路，包括第十二晶体管和第三电容，所述第十二晶体管的源极连接所述第一级放大电路的共源管的栅极，所述第十二晶体管的漏极通过所述第三电容连接所述第一级放大电路的共源管的源极，所述第十二晶体管的栅极用于接收所述逻辑控制单元的导通控制信号。
[0023]第二方面，本申请实施例提供了一种射频前端模组，包括上述任意一方面的增益可调低噪本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种增益可调低噪声放大器，其特征在于，包括：第一信号输入端、第一信号输出端、逻辑控制单元以及第一信号输入端和第一信号输出端之间依次连接的第一级放大电路、第二级放大电路和第一增益调节电路；所述第一信号输入端用于输入信号；所述第一信号输出端用于输出信号；所述第一级放大电路和所述第二级放大电路用于依次对所述信号进行两级放大；所述第一增益调节电路用于对经所述两级放大的信号进行衰减；所述第一增益调节电路包括至少两个增益调节单元，所述至少两个增益调节单元包括不同的增益档位；所述逻辑控制单元用于控制所述第一增益调节电路的工作状态，以调节所述增益可调低噪声放大器的增益档位。2.根据权利要求1所述的增益可调低噪声放大器，其特征在于，所述第一增益调节电路包括第一开关组件和至少一个衰减网络，所述第一开关组件用于在所述逻辑控制单元的控制下控制所述至少一个衰减网络的工作状态，以调节所述第一增益调节电路的增益档位。3.根据权利要求2所述的增益可调低噪声放大器，其特征在于，所述至少一个衰减网络包括：T型衰减网络，包括第一电阻、第二电阻和第三电阻，所述第一电阻和所述第二电阻串联，所述第三电阻的一端连接在所述第一电阻和所述第二电阻之间，所述第三电阻的另一端接射频地；或所述至少一个衰减网络包括：π型衰减网络，包括第四电阻、第五电阻和第六电阻；所述第五电阻连接在所述第四电阻的一端和所述第六电阻的一端之间，所述第四电阻的另一端和所述第六电阻的另一端接射频地。4.根据权利要求2所述的增益可调低噪声放大器，其特征在于，所述至少一个衰减网络包括第一衰减网络和第二衰减网络；所述第一衰减网络包括第一电阻、第二电阻和第三电阻；所述第二电阻连接在所述第一电阻的一端和所述第三电阻的一端之间，所述第一电阻的另一端和所述第三电阻的另一端接射频地；所述第二衰减网络包括第四电阻、第五电阻和第六电阻；所述第五电阻连接在所述第四电阻的一端和所述第六电阻的一端之间，所述第四电阻的另一端和所述第六电阻的另一端接射频地；所述第二电阻和所述第五电阻串联连接在所述第二级放大电路的信号输出端和所述第一信号输出端之间。5.根据权利要求4所述的增益可调低噪声放大器，其特征在于，所述第一开关组件包括第一晶体管、第二晶体管、第三晶体管、第四晶体管、第五晶体管、第六晶体管和第七晶体管；所述第一晶体管的源极连接所述第二级放大电路的信号输出端；所述第一晶体管的漏极连接所述第一信号输出端；所述第二晶体管的源极连接所述第二级放大电路的信号输出端；所述第二晶体管的漏极连接所述第五晶体管的源极；所述第五晶体管的漏极连接所述第一信号输出端；所述第一电阻连接在所述第二晶体管的源极和漏极之间；所述第三晶体管的漏极通过所述第二电阻连接所述第二晶体管的源极，所述第三晶体管的源极接射频地；所述第四晶体管的漏极通过所述第三电阻连接所述第二晶体管的漏极，所述第四晶体管的源极接射频地；所述第五电阻连接在所述第五晶体管的源极和漏极之间；所述第六晶体管的...

【专利技术属性】
技术研发人员：赖志国，杨清华，
申请(专利权)人：苏州汉天下电子有限公司，
类型：发明
国别省市：