本发明专利技术公开了一种含螺芴结构的OLED化合物及其制备方法，制备时先将邻溴碘苯制备成格氏试剂进攻芴酮及其衍生物，制备得叔醇，接着在低温下叔醇与苯进行偶联反应得到中间体D，中间体D再通过弱碱关环反应得到含螺芴结构的OLED化合物，本发明专利技术提出了一种新的合成制备方法，其反应温和，转化率和收率都很高，易于放大生产。生产。生产。
【技术实现步骤摘要】
一种含螺芴结构的OLED化合物及其制备方法
[0001]本专利技术属于有机化学合成
，涉及含螺芴结构材料的合成方法，具体涉及一种含螺芴结构的OLED化合物及其制备方法。
技术介绍
[0002]目前，螺芴广泛应用于电致发光材料，螺芴具有如下的优点：
[0003]1、螺芴的正交三维空间结构可以避免分子中发色团的紧密堆积，从而减少聚集体或激基缔合物的形成，降低材料发光的淬灭；
[0004]2、分子在SP3杂化的C原子，在保持两条正交的分子链的电子和光学性能的基础上，实现了有效共轭长度的控制；
[0005]3、改善材料的热性能，有效提高材料的Tg，降低分子结晶的趋势，得到比较稳定的无定性材料；
[0006]4、2，2
’
，7，7
’
位具有很好的反应活性，为其结构向三维空间的延伸提供便利，有利于改善电致发光材料的溶解性。
[0007]因此含螺芴结构的材料的合成有着重要的意义，目前含螺芴结构的材料的合成方法包括以下两种。
[0008]专利1、CN 111592464A中报道
[0009][0010]上述通式是关于苯并萘环螺芴的合成报道，原料A在正丁基锂试剂作用下与溴代芴酮加成，得到中间体醇B，酸性条件脱水生成二卤代苯并螺二芴C。
[0011]存在的缺点如下：
[0012]1.第一步使用超低温反应，芴酮在低温下溶解差，所以消耗的溶剂和能耗都比较高，对设备要求苛刻，反应条件苛刻，放大制备受限。
[0013]2.第二步酸关环受位阻的影响，很多需要强酸、浓硫酸、多聚磷酸等高温合环，产生大量的废酸，给后处理及设备选择造成困难，高温强酸关环对设备和环境不友好，污染
大，不利于放大生产。
[0014]专利2、CN 108779103 B中报道
[0015][0016]上述通式是关于螺二芴的合成报道，制备方法及弊端类似专利1CN 111592464A。
[0017]现有技术的缺点是：反应位阻比较大，酸关环受位阻的影响，很多需要强酸、浓硫酸、多聚磷酸等高温合环，产生大量的废酸，给后处理造成困难，因此急需开发一种含螺芴结构的材料的新型制备方法。
技术实现思路
[0018]本专利技术的目的在于克服上述现有技术的不足，提供了一种含螺芴结构的OLED化合物及其制备方法。
[0019]为了解决技术问题，本专利技术的技术方案是：一种含螺芴结构的OLED化合物的制备方法，包括以下步骤：
[0020]步骤1：将邻溴碘苯与异丙基氯化镁的格氏试剂发生交换，然后进攻芴酮及其衍生物，制备得到中间体叔醇C，邻溴碘苯与异丙基氯化镁的摩尔比为1∶1～1.3，邻溴碘苯与芴酮及其衍生物的摩尔比为1～1.3∶1；所述芴酮及其衍生物的结构式为中间体叔醇C的结构式为R1和R2分别为H、F、C1或Br中的一种；
[0021]步骤2：中间体叔醇C再与苯在三氯化铝的催化下发生偶联反应，制备得到中间体D，中间体叔醇C与苯的用量比为0.01mol∶41～43ml，中间体叔醇C与三氯化铝的摩尔比为1∶
1.4～1.6；所述中间体D的结构式为R1和R2分别为H、F、Cl或Br中的一种；
[0022]步骤3：中间体D在醋酸钯催化剂的催化下发生偶联反应，制备得到目标含螺芴结构的OLED化合物，中间体D与醋酸钯催化剂的摩尔比为1∶0.02～0.05，所述含螺芴结构的OLED化合物的结构式为R1和R2分别为H、F、Cl或Br中的一种。
[0023]优选的，所述步骤1具体为：氮气保护下，在反应瓶中加入THF和邻溴碘苯，控温10～15℃，加入异丙基氯化镁的格氏试剂，搅拌30min后，加入芴酮及其衍生物的THF溶液，升温至50℃反应，通过液相色谱检测芴酮及其衍生物反应完全后停止反应，得到中间体叔醇C溶液，其中邻溴碘苯与THF的用量比为0.01mol：18～19ml，芴酮及其衍生物与THF的用量比为0.01mol∶7.5～12.5ml。
[0024]优选的，所述中间体叔醇C溶液的后处理为：在中间体叔醇C溶液中加入水和乙酸乙酯提取，水洗，无水硫酸镁干燥有机相，滤去干燥剂，浓缩，正己烷重结晶得中间体叔醇C。
[0025]优选的，所述步骤2具体为：向反应瓶中加入中间体叔醇C和苯，在0℃下分批加入三氯化铝，继续搅拌5h，通过液相色谱检测中间体叔醇C反应完全后停止反应，得到中间体D溶液，其中中间体叔醇C与苯的用量比为0.01mol∶41～43ml，中间体叔醇C与三氯化铝的摩尔比为1∶1.4～1.5。
[0026]优选的，所述中间体D溶液的后处理为：在中间体D溶液中加入稀盐酸酸化，分液，有机相用氯化钠水溶液水洗，滤去干燥剂，浓缩，用乙酸乙酯/石油醚过硅胶柱，得中间体D。
[0027]优选的，所述步骤3具体为：向反应瓶中加入中间体D、醋酸钯、二氮杂二环和N
‑
甲基吡咯烷酮，加热至150℃反应12h，通过液相色谱检测中间体D反应完全后停止反应，得到含螺芴结构的OLED化合物的溶液，中间体D和二氮杂二环的摩尔比为1∶3，中间体D与N
‑
甲基吡咯烷酮的用量比为0.01mol∶45ml。
[0028]优选的，所述中间体D与醋酸钯催化剂的摩尔比为1∶0.025。
[0029]优选的，所述含螺芴结构的OLED化合物的溶液后处理为：将含螺芴结构的OLED化合物的溶液减压浓缩除去溶剂，加入甲苯水搅拌洗涤，分液，有机相干燥，浓缩，正己烷重结晶得含螺芴结构的OLED化合物。
[0030]优选的，一种含螺芴结构的OLED化合物，所述含螺芴结构的OLED化合物的结构式
为R1和R2分别为H、F、Cl或Br中的一种。
[0031]优选的，所述含螺芴结构的OLED化合物的具体结构为：
[0032][0033]与现有技术相比，本专利技术的优点在于：
[0034](1)本专利技术提供了一种含螺芴结构的OLED化合物的制备方法，先将邻溴碘苯制备
成格氏试剂进攻芴酮及其衍生物，制备得叔醇，接着在低温下叔醇与苯进行偶联反应得到中间体D，中间体D再通过弱碱关环反应得到含螺芴结构的OLED化合物，本专利技术提出了一种新的合成制备方法，其反应温和，转化率和收率都很高，易于放大生产；
[0035](2)本专利技术第一步用格式交换法发制备格氏试剂，将邻溴碘苯制备成格氏试剂进攻芴酮及其衍生物，制备得叔醇，该反应温度为50℃左右，反应条件温和；反应完全后加入水和EA提取，水洗，无水硫酸镁干燥有机相，滤去干燥剂，浓缩，正己烷重结晶得叔醇，后处理简单方便；
[0036](3)本专利技术第二步采用低温偶联反应，第三步采用弱碱关环，对设备和环境友好，污染小，降低成本，有利于放大生产；
[0037](4)本专利技术合成路线不会产生异构体，结构选择性很好，产品结构单一，无位置异构，无偶联产物，无多卤代物，并且适用性广，针对螺芴上引入其他卤素、芳环、烷基等的衍生结构都适用；
[0038本文档来自技高网...
【技术保护点】
【技术特征摘要】
1.一种含螺芴结构的OLED化合物的制备方法，其特征在于，包括以下步骤：步骤1：将邻溴碘苯与异丙基氯化镁的格氏试剂发生交换，然后进攻芴酮及其衍生物，制备得到中间体叔醇C，邻溴碘苯与异丙基氯化镁的摩尔比为1∶1～1.3，邻溴碘苯与芴酮及其衍生物的摩尔比为1～1.3∶1；所述芴酮及其衍生物的结构式为中间体叔醇C的结构式为R1和R2分别为H、F、C1或Br中的一种；步骤2：中间体叔醇C再与苯在三氯化铝的催化下发生偶联反应，制备得到中间体D，中间体叔醇C与苯的用量比为0.01mol∶41～43ml，中间体叔醇C与三氯化铝的摩尔比为1：1.4～1.6；所述中间体D的结构式为R1和R2分别为H、F、Cl或Br中的一种；步骤3：中间体D在醋酸钯催化剂的催化下发生偶联反应，制备得到目标含螺芴结构的OLED化合物，中间体D与醋酸钯催化剂的摩尔比为1∶0.02～0.05，所述含螺芴结构的OLED化合物的结构式为R1和R2分别为H、F、Cl或Br中的一种。2.根据权利要求1所述的一种含螺芴结构的OLED化合物的制备方法，其特征在于，所述步骤1具体为：氮气保护下，在反应瓶中加入THF和邻溴碘苯，控温10～15℃，加入异丙基氯化镁的格氏试剂，搅拌30min后，加入芴酮及其衍生物的THF溶液，升温至50℃反应，通过液相色谱检测芴酮及其衍生物反应完全后停止反应，得到中间体叔醇C溶液，其中邻溴碘苯与THF的用量比为0.01mol∶18～19ml，芴酮及其衍生物与THF的用量比为0.01mol∶7.5～12.5ml。3.根据权利要求2所述的一种含螺芴结构的OLED化合物的制备方法，其特征在于，所述中间体叔醇C溶液的后处理为：在中间体叔醇C溶液中加入水和乙酸乙酯提取，水洗，无水硫酸镁干燥有机相，滤去干燥剂，浓缩，正己烷重结晶得中间体叔醇C。4.根据权利要求1所述的一种含螺芴结构的OLED化合物的制备方法，...
【专利技术属性】
技术研发人员：郭红梅，任莺歌，张言峰，郭随林，刘强，
申请(专利权)人：西安欧得光电材料有限公司，
类型：发明
国别省市：
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