一种空穴注入材料及其制备方法和应用技术

本发明专利技术提供了一种空穴注入材料及其制备方法和应用，所述空穴注入材料的结构如式I所示：其中，R1‑

【技术实现步骤摘要】
一种空穴注入材料及其制备方法和应用


[0001]本专利技术属于材料领域，具体涉及一种空穴注入材料及其制备方法和应用，尤其涉及一种具有良好的交叉超共轭特性的空穴注入材料及其制备方法和应用。

技术介绍

[0002]能级匹配对于有机电致发光器件至关重要，以经典的有机电致发光器件为例，其层叠结构包括：阴极、电子传输层、发光层、空穴传输层以及阳极，一般使用ITO作为阳极，但是它的功函数较高，与大部分空穴传输材料的能级相差达到0.4eV左右。因此，如果在阳极以及空穴传输层之间加入一层空穴注入层，一方面可以增加电荷的注入，另一方面还可以提高器件的整体效率以及寿命。
[0003]将某些强氧化剂掺杂到空穴传输层中作为空穴注入层也是另一种提高有机电致发光器件的空穴注入效率的途径。不过该方法对于主体材料以及掺杂材料的能级有要求。一般，主体材料的HOMO能级需要与客体材料的LUMO能级接近，这样，HOMO能级的电子就能更跳跃至掺杂剂的LUMO能级，从而使得空穴传输层形成自由空穴，实现器件电导率的提升。同时，掺杂还可以使界面能带发生弯曲，空穴就能够以穿隧的方式注本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种空穴注入材料，其特征在于，所述空穴注入材料的结构如式I所示：其中，R
1-R
12
独立地选自氰基、二氰基乙烯基、氟基、三氟甲基、取代或未取代的C1-C6的烷基、取代或未取代的C1-C6的烷氧基、取代或未取代的C6-C12的芳基或取代或未取代的C4-C12的杂芳基中任意一种。2.根据权利要求1所述的空穴注入材料，其特征在于，所述烷基、烷氧基、芳基和杂芳基中的取代基独立地选自氟基、三氟甲基或氰基中任意一种。3.根据权利要求1或2所述的空穴注入材料，其特征在于，所述空穴注入材料的结构选自：自：中任意一种。4.根据权利要求1-3中任一项所述的空穴注入材料的制备方法，其特征在于，所述制备方法包括以下步骤：将化合物A、化合物B和催化剂混合反应，得到所述空穴注入材料，反应式如式II所示：
所述R
1-R
12

【专利技术属性】
技术研发人员：张双，
申请(专利权)人：上海和辉光电股份有限公司，
类型：发明
国别省市：