驱动电路、逆变器和车辆制造技术

本实用新型专利技术公开了一种驱动电路、逆变器和车辆。驱动电路包括三相全桥电路，每一相全桥电路包括两个半桥电路，半桥电路包括单管级联结构，单管级联结构包括并联连接的多个碳化硅晶体管。本实用新型专利技术的技术方案中，采用单管SIC并联的驱动电路，可以实现高压大电流输出，适用于800V

【技术实现步骤摘要】
驱动电路、逆变器和车辆


[0001]本技术涉及车辆控制
，更具体而言，涉及一种驱动电路、逆变器和车辆。

技术介绍

[0002]在相关技术中，SIC级联封装模块采用HPD形式，这种封装形式需要SIC拓扑高度集成，可靠性较高，但是功率输出限定。

技术实现思路

[0003]本技术实施方式提供一种驱动电路、逆变器和车辆。
[0004]本技术实施方式提供一种驱动电路，所述驱动电路包括三相全桥电路，每一相所述全桥电路包括两个半桥电路，所述半桥电路包括单管级联结构，所述单管级联结构包括并联连接的多个碳化硅晶体管。
[0005]如此，采用单管SIC并联的驱动电路，可以实现高压大电流输出，适用于800V
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1200V高压动力平台。相较于HPD形式的SIC级联封装模块，器件寿命长，半桥电路组成灵活(可以扩展并联连接的SIC的数量)，可以实现不同等级的功率输出需求，并且降本效果显著。
[0006]在某些实施方式中，所述半桥电路还包括散热壳体，所述单管级联结构连接所述散热壳体。
[0007]如此，单管级联结构通过连接散热壳体，可以形成半桥电路。
[0008]在某些实施方式中，所述驱动电路还包括电源和驱动芯片，每个所述半桥电路均对应一个所述电源和一个所述驱动芯片。
[0009]如此，可以使每个半桥电路的供电形式更加灵活。
[0010]在某些实施方式中，所述电源为隔离电源，所述驱动芯片为隔离驱动芯片。
[0011]如此，通过使用隔离电源和隔离驱动芯片能够减少驱动电路中存在的干扰，提高驱动电路的安全性。
[0012]在某些实施方式中，所有所述半桥电路的所述驱动芯片采用一个菊花链与控制单元进行SPI通信。
[0013]如此，可以通过菊花链SPI通信，实现寄存器配置，实现温度、故障状态等信息的传递。
[0014]在某些实施方式中，每一相所述全桥电路的两个所述半桥电路包括上桥电路和下桥电路，所有所述上桥电路的所述驱动芯片采用一个菊花链与控制单元进行SPI通信，所有所述下桥电路的所述驱动芯片采用另一个菊花链与所述控制单元进行SPI通信。
[0015]如此，可以通过双菊花链的方式进行SPI通信，使得驱动电路的配置更加灵活，且具有较高的安全冗余等级。
[0016]在某些实施方式中，所述驱动电路还包括串联连接的匹配电阻和共模电感，所述
碳化硅晶体管的栅极与所述匹配电阻和所述共模电感连接。
[0017]如此，通过采用G极串联匹配电阻与共模电感的方式，可以消除多管同时开通关断过程中电压应力带来的GS干扰。
[0018]在某些实施方式中，所述驱动电路还包括连接所述碳化硅晶体管的栅极和源极的电流检测器件和连接所述电流检测器件的线圈，所述共模电感和所述线圈形成三绕组共模电感。
[0019]如此，可以抑制半桥电路单管间GS的振荡和相间电路的互感振荡。
[0020]本技术实施方式提供一种逆变器，所述逆变器包括上述任意一种实施方式的驱动电路和控制单元，所述控制单元用于控制所述碳化硅晶体管的通断。
[0021]如此，采用单管SIC并联的驱动电路，可以实现高压大电流输出，适用于800V
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1200V高压动力平台。相较于HPD形式的SIC级联封装模块，器件寿命长，半桥电路组成灵活(可以扩展并联连接的SIC的数量)，可以实现不同等级的功率输出需求，并且降本效果显著。
[0022]本技术实施方式提供一种车辆，所述车辆包括上述实施方式的逆变器、直流电源和交流电机，所述逆变器用于将所述直流电源的直流电转换为交流电以供所述交流电机使用。
[0023]如此，采用单管SIC并联的驱动电路，可以实现高压大电流输出，适用于800V
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1200V高压动力平台。相较于HPD形式的SIC级联封装模块，器件寿命长，半桥电路组成灵活(可以扩展并联连接的SIC的数量)，可以实现不同等级的功率输出需求，并且降本效果显著。
[0024]本技术的实施方式的附加方面和优点将在下面的描述中部分给出，部分将从下面的描述中变得明显，或通过本技术的实施方式的实践了解到。
附图说明
[0025]本技术的上述和/或附加的方面和优点从结合下面附图对实施方式的描述中将变得明显和容易理解，其中：
[0026]图1是本技术某些实施方式驱动电路的示意图；
[0027]图2是本技术某些实施方式逆变器的示意图；
[0028]图3是本技术某些实施方式驱动电路的示意图；
[0029]图4是本技术某些实施方式驱动电路的示意图。
具体实施方式
[0030]下面详细描述本技术的实施方式，实施方式的示例在附图中示出，相同或类似的标号自始至终表示相同或类似的元件或具有相同或类似功能的元件。下面通过参考附图描述的实施方式是示例性的，仅用于解释本技术，而不能理解为对本技术的限制。
[0031]下文的公开提供了许多不同的实施方式或例子用来实现本技术的实施方式的不同结构。为了简化本技术的实施方式的公开，下文中对特定例子的部件和设置进行描述。当然，它们仅仅为示例，并且目的不在于限制本技术。
[0032]在相关技术中，SIC级联封装模块采用HPD形式，这种封装形式需要SIC拓扑高度集成，可靠性较高，但是功率输出限定。
[0033]请参阅图1，本技术实施方式提供一种驱动电路100，驱动电路100包括三相(UVW)全桥电路110，每一相全桥电路110包括两个半桥电路111，半桥电路111包括单管级联结构，单管级联结构包括并联连接的多个碳化硅晶体管。
[0034]具体地，驱动电路100采用SIC(碳化硅)单管并联的方式，单管并联组合数量自由，可以根据不同等级的电机电流需求匹配设计，推荐为3
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4个单管为一个半桥电路111，单个管采用TPAK的封装形式，多个单管并联形成半桥电路111。
[0035]如此，采用单管SIC并联的驱动电路100，可以实现高压大电流输出，适用于800V
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1200V高压动力平台。相较于HPD形式的SIC级联封装模块，器件寿命长，半桥电路111组成灵活(可以扩展并联连接的SIC的数量)，降本效果显著。
[0036]在某些实施方式中，半桥电路111还包括散热壳体，单管级联结构连接散热壳体。
[0037]具体地，单管级联结构通过银烧结工艺焊接在散热壳体上，形成单管SIC并联的驱动电路100。
[0038]如此，单管级联结构通过连接散热壳体，可以形成半桥电路111。
[0039]请参阅图2，在某些实施方式中，驱动电路100还包括电源120和驱动芯片130，每个半桥电路111均对应一个电源120和一个驱动芯片130。
[0040]具体地，每个并联后的半桥电路111搭配独立控制电源，单相上下桥本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种驱动电路，其特征在于，所述驱动电路包括三相全桥电路，每一相所述全桥电路包括两个半桥电路，所述半桥电路包括单管级联结构，所述单管级联结构包括并联连接的多个碳化硅晶体管。2.根据权利要求1所述的驱动电路，其特征在于，所述半桥电路还包括散热壳体，所述单管级联结构连接所述散热壳体。3.根据权利要求1所述的驱动电路，其特征在于，所述驱动电路还包括电源和驱动芯片，每个所述半桥电路均对应一个所述电源和一个所述驱动芯片。4.根据权利要求3所述的驱动电路，其特征在于，所述电源为隔离电源，所述驱动芯片为隔离驱动芯片。5.根据权利要求3所述的驱动电路，其特征在于，所有所述半桥电路的所述驱动芯片采用一个菊花链与控制单元进行SPI通信。6.根据权利要求3所述的驱动电路，其特征在于，每一相所述全桥电路的两个所述半桥电路包括上桥电路和下桥电路，所有所述上桥电路的所述驱动芯片采用一...

【专利技术属性】
技术研发人员：李贤隆，唐家栋，蒋建军，胡忠魁，周海莹，胡文波，
申请(专利权)人：广州小鹏汽车科技有限公司，
类型：新型
国别省市：