出气板及进气装置制造方法及图纸

本实用新型专利技术属于ALD镀膜技术领域，公开了出气板及进气装置。该出气板沿气体的输送方向设置于匀流板的下游，出气板开设有第一出气槽和第二出气槽，第一出气槽用于输出第一反应源，第二出气槽用于输出第二反应源，第一出气槽与第二出气槽不同时输出，至少部分第一出气槽的外周设置有第一沉积部，至少部分第二出气槽的外周设置有第二沉积部。第一沉积部能够将残留的第二反应源沉积，使第二反应源与后输入的第一反应源产生的粉尘沉积至第一沉积部，而第二沉积部能够将残留的第一反应源进行沉积，使第一反应源与后输入的第二反应源混合产生的粉尘沉积至第二沉积部，避免粉尘堵塞出气板的出气槽，降低出气不顺的隐患，且便于维护清理，降低维保频次。降低维保频次。降低维保频次。

【技术实现步骤摘要】
出气板及进气装置


[0001]本技术涉及ALD镀膜
，尤其涉及出气板及进气装置。

技术介绍

[0002]ALD(原子层沉积)技术是通过将气相前驱体脉冲交替地通入反应室并在沉积基体上发生表面化学反应形成薄膜的一种技术，该技术是将物质以单原子膜的形式一层一层地沉积在基体表面。ALD的进气装置是ALD设备的核心组件之一，会影响沉积效果。
[0003]进气装置通常用于将不同的气体进行均匀混合，但是有机源气体和氧源气体在高温中会发生反应，产生粉尘，在实际使用过程中，不同的气体在反应室中反应后经过出气孔流出，少量气体横向窜动在出气板的表面也可能产生一定的粉尘，这些粉尘会堆积在出气孔处，导致出气孔堵塞，不仅会降低生产效率，而且还会增加清理难度。
[0004]因此，亟需一种出气板及进气装置以解决上述问题。

技术实现思路

[0005]本技术的目的在于提供一种出气板及进气装置，该出气板能够避免氧源气体和有机源气体混合产生的粉尘堵塞出气板的出气槽，不仅能够降低出气不畅的隐患，提升硅片的沉积效果，还能够便于清理，降低维保的频次。
[0006]为达此目的，本技术采用以下技术方案：
[0007]出气板，所述出气板至少开设有第一出气槽和第二出气槽，所述第一出气槽用于输出第一反应源，所述第二出气槽用于输出第二反应源，且所述第一出气槽与所述第二出气槽不同时输出反应源，至少部分所述第一出气槽的外周设置有第一沉积部，至少部分所述第二出气槽的外周设置有第二沉积部。
[0008]作为一种可选的技术方案，所述第一出气槽与所述第二出气槽均为长孔。
[0009]作为一种可选的技术方案，所述第一出气槽与所述第二出气槽均设置有多个，多个所述第一出气槽与多个所述第二出气槽平行且间隔设置。
[0010]作为一种可选的技术方案，所述第一沉积部包括第一沉积槽，所述第一出气槽的两侧均设置有所述第一沉积槽，所述第二沉积部包括第二沉积槽，所述第二出气槽的两侧均设置有所述第二沉积槽。
[0011]作为一种可选的技术方案，位于所述第一出气槽两侧的两个所述第一沉积槽与所述第一出气槽的距离相等，且位于所述第二出气槽两侧的两个所述第二沉积槽与所述第二出气槽的距离相等。
[0012]作为一种可选的技术方案，至少所述第二沉积槽靠近所述第二出气槽的一侧的侧壁具有倾斜面。
[0013]作为一种可选的技术方案，位于所述第二沉积槽两侧的两个所述第二沉积槽的两个所述倾斜面首尾连接形成环形沉积面。
[0014]作为一种可选的技术方案，所述第一沉积槽与所述第二沉积槽均设置有至少一个
加强筋。
[0015]作为一种可选的技术方案，所述出气板开设有连接孔。
[0016]本技术还采用以下技术方案：
[0017]进气装置，所述进气装置包括如上述的出气板。
[0018]本技术的有益效果：
[0019]本技术公开一种出气板，该出气板沿气体的输送方向设置于匀流板的下游，出气板开设有第一出气槽和第二出气槽，第一出气槽用于输出第一反应源，第二出气槽用于输出第二反应源，且第一出气槽与第二出气槽不同时输出反应源，至少部分第一出气槽的外周设置有第一沉积部，至少部分第二出气槽的外周设置有第二沉积部。这种出气板不同时输入反应源，设置的第一沉积部能够将残留的第二反应源进行沉积，使得第二反应源与后输入的第一反应源混合产生的粉尘沉积至第一沉积部，而设置的第二沉积部能够将残留的第一反应源进行沉积，使得第一反应源与后输入的第二反应源混合产生的粉尘沉积至第二沉积部，避免粉尘堵塞出气板的出气槽，降低出气不顺的隐患，提高硅片沉积的效果，且便于维护清理，降低维保频次。
[0020]本技术还公开一种进气装置，包括上述的出气板，该出气板能够有效避免出现出气不畅的问题，且能够便于维护清理，降低维保频次。
附图说明
[0021]图1是本技术实施例的出气板的结构示意图一；
[0022]图2是本技术实施例的出气板的主视图；
[0023]图3是本技术实施例的出气板的俯视图及局部剖视图；
[0024]图4是图3中A的局部放大图；
[0025]图5是图3中B的局部放大图。
[0026]图中：
[0027]1、出气板；
[0028]10、第一出气槽；11、第一沉积槽；
[0029]20、第二出气槽，21、第二沉积槽；23、环形沉积面；24、加强筋；
[0030]30、连接孔。
具体实施方式
[0031]下面结合附图和实施例对本技术作进一步的详细说明。可以理解的是，此处所描述的具体实施例仅仅用于解释本技术，而非对本技术的限定。另外还需要说明的是，为了便于描述，附图中仅示出了与本技术相关的部分而非全部结构。
[0032]在本技术的描述中，除非另有明确的规定和限定，术语“相连”、“连接”、“固定”应做广义理解，例如，可以是固定连接，也可以是可拆卸连接，或成一体；可以是机械连接，也可以是电连接；可以是直接相连，也可以通过中间媒介间接相连，可以是两个元件内部的连通或两个元件的相互作用关系。对于本领域的普通技术人员而言，可以具体情况理解上述术语在本技术中的具体含义。
[0033]在本技术中，除非另有明确的规定和限定，第一特征在第二特征之“上”或之
“
下”可以包括第一和第二特征直接接触，也可以包括第一和第二特征不是直接接触而是通过它们之间的另外的特征接触。而且，第一特征在第二特征“之上”、“上方”和“上面”包括第一特征在第二特征正上方和斜上方，或仅仅表示第一特征水平高度高于第二特征。第一特征在第二特征“之下”、“下方”和“下面”包括第一特征在第二特征正下方和斜下方，或仅仅表示第一特征水平高度小于第二特征。
[0034]在本实施例的描述中，术语“上”、“下”、“右”、等方位或位置关系为基于附图所示的方位或位置关系，仅是为了便于描述和简化操作，而不是指示或暗示所指的装置或元件必须具有特定的方位、以特定的方位构造和操作，因此不能理解为对本技术的限制。此外，术语“第一”、“第二”仅仅用于在描述上加以区分，并没有特殊的含义。
[0035]如图1至图5所示，本实施例提供一种出气板1，该出气板1沿反应源的输送方向设置于匀流板的下游，用于向反应腔室输送反应源，出气板1开设有第一出气槽10和第二出气槽20，第一出气槽10用于输出第一反应源，第二出气槽20用于输出第二反应源，且第一出气槽10与第二出气槽20不同时输出反应源，至少部分第一出气槽10的外周设置有第一沉积部，至少部分第二出气槽20的外周设置有第二沉积部。具体地，本实施例中，出气板1设置于匀流板的下游，第一出气槽10用于输出第一反应源，第二出气槽20用于输出第二反应源，第一反应源为氧源气体，第二反应源为有机源气体，有机源气体和氧源气体在高温中混合会发生反应，产生粉尘，在本实施例中，有机源气体本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.出气板，其特征在于，所述出气板(1)开设有第一出气槽(10)和第二出气槽(20)，所述第一出气槽(10)用于输出第一反应源，所述第二出气槽(20)用于输出第二反应源，且所述第一出气槽(10)与所述第二出气槽(20)不同时输出反应源，至少部分所述第一出气槽(10)的外周设置有第一沉积部，至少部分所述第二出气槽(20)的外周设置有第二沉积部。2.根据权利要求1所述的出气板，其特征在于，所述第一出气槽(10)与所述第二出气槽(20)均为长孔。3.根据权利要求2所述的出气板，其特征在于，所述第一出气槽(10)与所述第二出气槽(20)均设置有多个，多个所述第一出气槽(10)与多个所述第二出气槽(20)平行且间隔设置。4.根据权利要求3所述的出气板，其特征在于，所述第一沉积部包括第一沉积槽(11)，所述第一出气槽(10)的两侧均设置有所述第一沉积槽(11)，所述第二沉积部包括第二沉积槽(21)，所述第二出气槽(20)的两侧均设置有所述第二沉积槽(21)。5.根...

【专利技术属性】
技术研发人员：戴佳，朱鹤囡，董雪迪，张武，林佳继，
申请(专利权)人：拉普拉斯无锡半导体科技有限公司，
类型：新型
国别省市：