半导体热氧化工艺所需点火器制造技术

本申请提供了一种半导体热氧化工艺所需点火器。所述半导体热氧化工艺所需点火器包括：一腔体；第一气体管路，所述第一气体管路设置于所述腔体内，用于向所述腔体内通入第一气体；第二气体管路，所述第二气体管路设置于所述第一气体管路内，用于向所述腔体内通入第二气体，所述第二气体与所述第一气体发生燃烧反应；所述第一气体管路的出气口为多个，且相对于所述第二气体管路的出气口环绕设置。本申请设置第一气体管路的出气口为多个，并相对于第二气体管路的出气口环绕设置。在使用该半导体热氧化工艺所需点火器时点火正常，并且没有出气口被高温烧结的现象，可以延长半导体热氧化工艺所需点火器的使用寿命，提升了工艺硅片的合格率。合格率。合格率。

【技术实现步骤摘要】
半导体热氧化工艺所需点火器


[0001]本申请涉及半导体加工生产
，尤其涉及一种半导体热氧化工艺所需点火器。

技术介绍

[0002]在硅片表面生长一层优质的氧化层对整个半导体集成电路制作过程具有极为重要的意义。硅氧化层可以作为离子注入或者热扩散的掩蔽层，也可以作为保证器件表面不受周围气氛影响的钝化层，还可以作为器件与器件之间电学隔离的绝缘层，并且也是金属氧化物半导体场效应管工艺中保证电隔离的主要组成部分。在硅片表面形成氧化层(即SiO2)的方法主要有热分解淀积、热氧化生长、外延生长等。其中热氧化生长在半导体工艺中用的最多，并且通过热氧化生长形成的氧化层具有更好的致密性和更高的均匀性。热氧化生长方式分为干氧氧化、水汽氧化和湿氧氧化三种。干氧氧化是以干燥纯净的氧气作为氧化气氛，在高温下氧直接与硅反应生成二氧化硅。水汽氧化是以高纯水蒸汽为氧化气氛，由硅片表面的硅原子和水分子反应生成二氧化硅。而湿氧氧化则是采用干燥氧气通过加热的水所形成的氧和水汽混合物形成氧化气氛。湿氧氧化实质上是干氧氧化和水汽氧化的混合，氧化速率介于二者之间。
[0003]现有的半导体热氧化工艺所需点火器设计为氧气出口包围中间凸出的氢气管出口。在湿氧氧化中发现该点火器经过较长时间燃烧后，氢气管出口被火焰燃烧形成高温烧结。产生此现象的原因是因为氢氧燃烧时火焰的高温被传导到点火器的氢气管出口，该氢气管出口的石英在高温作用下被烧结为白色粉末和白色烧结物。该烧结白色粉末和白色烧结物在湿氧氧化工艺中会影响工艺硅片的颗粒度参数，降低工艺硅片的合格率以及产生其他不可控的工艺缺陷。
[0004]因此需要对半导体热氧化工艺所需点火器进行改进，减少石英出口被高温烧结的现象，延长半导体热氧化工艺所需点火器的使用寿命，提升工艺硅片的合格率。

技术实现思路

[0005]本申请所要解决的技术问题是提供一种半导体热氧化工艺所需点火器，可以减少石英出口被高温烧结的现象，延长半导体热氧化工艺所需点火器的使用寿命，提升工艺硅片的合格率。
[0006]为了解决上述问题，本申请提供了一种半导体热氧化工艺所需点火器，包括：一腔体；第一气体管路，所述第一气体管路设置于所述腔体内，用于向所述腔体内通入第一气体；第二气体管路，所述第二气体管路设置于所述第一气体管路内，用于向所述腔体内通入第二气体，所述第二气体与所述第一气体发生燃烧反应；所述第一气体管路的出气口为多个，且相对于所述第二气体管路的出气口环绕设置。
[0007]在一些实施例中，所述第一气体管路的出气口与所述第二气体管路的出气口设置在所述第一气体管路的同侧表面并与所述第一气体管路的侧壁相齐平。
[0008]在一些实施例中，所述第一气体管路的出气口呈环形排布于所述第二气体管路的出气口周围。
[0009]在一些实施例中，所述第二气体管路的出气口沿水平方向设置，所述第一气体管路的出气口与第二气体管路的出气口呈现锐角。
[0010]在一些实施例中，所述第一气体管路的出气口与第二气体管路的出气口所呈现的锐角角度为10
°
～30
°
。
[0011]在一些实施例中，所述第一气体管路的出气口数量大于或等于四个。
[0012]在一些实施例中，所述第一气体管路和第二气体管路的出气口均为圆形出气口。
[0013]在一些实施例中，所述半导体热氧化工艺所需点火器还包括设置于所述第一气体管路内的第一支架，所述第一支架用于支撑固定所述第二气体管路。
[0014]在一些实施例中，所述第一气体为氧气，所述第二气体为氢气。
[0015]在一些实施例中，所述第一气体管路和第二气体管路的材料均为石英。
[0016]以上技术方案，本申请设置第一气体管路的出气口数量为多个，并相对于第二气体管路的出气口环绕设置。在使用该半导体热氧化工艺所需点火器时点火正常，并且没有出气口被高温烧结的现象，可以延长半导体热氧化工艺所需点火器的使用寿命，提升了工艺硅片的合格率。
[0017]应当理解的是，以上的一般描述和后文的细节描述仅是示例性和解释性的，并不能限制本申请。对于相关领域普通技术人员已知的技术、方法和设备可能不作详细讨论，但在适当情况下，所述技术、方法和设备应当被视为授权说明书的一部分。
附图说明
[0018]为了更清楚地说明本申请具体所述方式的技术方案，下面将对本申请的实施例中所需要使用的附图作简单介绍，显而易见地，下面描述中的附图仅仅是本申请的一些实施例，对于本领域普通技术人员来讲，在不付出创造性劳动的前提下，还可以根据这些附图获得其他的附图。
[0019]附图1所示是本申请所述半导体热氧化工艺所需点火器实施例一的示意图；
[0020]附图2所示是附图1中A区域的局部放大示意图；
[0021]附图3所示是附图1中A区域的侧视图；
[0022]附图4所示是本申请所述半导体热氧化工艺所需点火器实施例二的示意图；
[0023]附图5所示是附图4中A区域的局部放大示意图；
[0024]附图6所示是附图4中A区域的侧视图；
[0025]附图7所示是本申请所述半导体热氧化工艺所需点火器实施例三的示意图；
[0026]附图8所示是附图7中A区域的局部放大示意图；
[0027]附图9所示是附图7中A区域的侧视图。
具体实施方式
[0028]下面将结合附图对本申请实施例中的技术方案进行清楚、完整地描述，显然，所描述的实施例仅仅是本申请一部分实施例，而不是全部的实施例。基于本申请中的实施例，本领域普通技术人员在没有做出创造性劳动的前提下所获得的所有其他实施例，都属于本申
请保护的范围。
[0029]实施例一
[0030]图1是本申请所述半导体热氧化工艺所需点火器实施例一的示意图。所述半导体热氧化工艺所需点火器包括：腔体10、第一气体管路11、第二气体管路12、第一气体管路11的出气口112、以及第二气体管路12的出气口122。
[0031]所述腔体10为密闭腔体，用于实施热氧化等常规半导体工艺。所述第一气体管路11设置于所述腔体10内，用于向所述腔体10内通入第一气体。所述第二气体管路12设置于所述第一气体管路11内，用于向所述腔体10内通入第二气体，所述第二气体与所述第一气体发生燃烧反应。设置第一气体管路11的出气口112数量为多个，并相对于第二气体管路12的出气口122环绕设置。在使用上述半导体热氧化工艺所需点火器进行点火操作时，点火正常且符合生产工艺需要、并且没有出气口被高温烧结的现象，可以延长半导体热氧化工艺所需点火器的使用寿命，提升了产品的合格率。
[0032]在本实施例中，所述半导体热氧化工艺所需点火器还包括第一气体管路11的进气口111，所述第一气体管路11的进气口111用于连接第一气体源以通入第一气体。在本实施例中，所述半导体热氧化工艺所需点火器还包括第二气体管路12的进气口121，所述第二气体管路12的进气口121用本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种半导体热氧化工艺所需点火器，其特征在于，包括：一腔体；第一气体管路，所述第一气体管路设置于所述腔体内，用于向所述腔体内通入第一气体；第二气体管路，所述第二气体管路设置于所述第一气体管路内，用于向所述腔体内通入第二气体，所述第二气体与所述第一气体发生燃烧反应；所述第一气体管路的出气口为多个，且相对于所述第二气体管路的出气口环绕设置。2.根据权利要求1所述的半导体热氧化工艺所需点火器，其特征在于，所述第一气体管路的出气口与所述第二气体管路的出气口设置在所述第一气体管路的同侧表面并与所述第一气体管路的侧壁相齐平。3.根据权利要求1所述的半导体热氧化工艺所需点火器，其特征在于，所述第一气体管路的出气口呈环形排布于所述第二气体管路的出气口周围。4.根据权利要求1所述的半导体热氧化工艺所需点火器，其特征在于，所述第二气体管路的出气口沿水平方向设置，所述第一气体管路的出气口与第二气体管路的出气口呈现锐角。5.根据权利...

【专利技术属性】
技术研发人员：徐明，
申请(专利权)人：上海积塔半导体有限公司，
类型：新型
国别省市：