半导体结构及其制备方法技术

本公开提供一种半导体结构及其制备方法。该方法包括：提供衬底，衬底包括NMOS区域和PMOS区域；在NMOS区域和PMOS区域外延生长单晶硅层；在单晶硅层上外延生长第一硅锗层；去除位于NMOS区域的第一硅锗层，露出单晶硅层；在NMOS区域中露出的单晶硅层上形成第一氧化物层，第一氧化物层的厚度与位于PMOS区域的第一硅锗层的厚度相同；对位于PMOS区域的第一硅锗层进行氧化处理，使位于PMOS区域的第一硅锗层转化为第二氧化物层，位于PMOS区域的单晶硅层转化为第二硅锗层；在位于NMOS区域的单晶硅层和位于PMOS区域的第二硅锗层之间以及衬底中形成沟槽隔离结构。本公开实施例的方法能够降低PMOS晶体管的阈值电压，并且避免在沟槽隔离结构的表面产生凹坑，提高半导体结构的电学性能。能。能。

【技术实现步骤摘要】
半导体结构及其制备方法


[0001]本公开涉及半导体制备
，尤其涉及一种半导体结构及其制备方法。

技术介绍

[0002]CMOS(互补金属氧化物半导体，Complementary Metal Oxide Semiconductor)电路中包括NMOS(N Metal Oxide Semiconductor，N型金属
‑
氧化物半导体)和PMOS(P Metal Oxide Semiconductor，P型金属
‑
氧化物半导体)，为了使NMOS和PMOS的速度和性能匹配，NMOS和PMOS的栅极结构中使用不同的金属栅极，但是PMOS的阈值电压仍然较高，NMOS和PMOS的性能不匹配，影响半导体结构的电学性能，且在CMOS的制备过程中，通常最先形成沟槽隔离结构，在进行后续的清洗工艺时，沟槽隔离结构的表面容易受清洗剂的影响而产生凹坑(divot)，凹坑中容易隐藏杂质且不易去除，进一步影响半导体结构的电学性能。
[0003]在所述
技术介绍
部分公开的上述信息仅用于加强对本公开的背景的理解，因此它可以包括不构本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种半导体结构的制备方法，其特征在于，包括：提供衬底，所述衬底包括NMOS区域和PMOS区域；在所述NMOS区域和所述PMOS区域外延生长单晶硅层；在所述单晶硅层上外延生长第一硅锗层；去除位于所述NMOS区域的所述第一硅锗层，露出所述单晶硅层；在所述NMOS区域中露出的所述单晶硅层上形成第一氧化物层，所述第一氧化物层的厚度与位于所述PMOS区域的所述第一硅锗层的厚度相同；对位于所述PMOS区域的所述第一硅锗层进行氧化处理，使位于所述PMOS区域的所述第一硅锗层转化为第二氧化物层，位于所述PMOS区域的所述单晶硅层转化为第二硅锗层；在位于所述NMOS区域的所述单晶硅层和位于所述PMOS区域的所述第二硅锗层之间以及所述衬底中形成沟槽隔离结构。2.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，所述单晶硅层与所述第一硅锗层的厚度的比值为1：(1.5～3)。3.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，去除位于所述NMOS区域的所述第一硅锗层，露出所述单晶硅层，包括：在所述第一硅锗层上形成第一光刻胶层；去除位于所述NMOS区域的所述第一光刻胶层，露出位于所述NMOS区域的所述第一硅锗层；蚀刻去除位于所述NMOS区域的所述第一硅锗层，露出所述单晶硅层；去除位于所述PMOS区域的所述第一光刻胶层，露出所述第一硅锗层。4.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，在所述NMOS区域中露出的所述单晶硅层上形成第一氧化物层，包括：在所述NMOS区域中露出的所述单晶硅层上和所述PMOS区域的所述第一硅锗层上形成第一氧化物层；去除位于所述第一硅锗层上的所述第一氧化物层，露出所述第一硅锗层。5.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，对所述PMOS区域的所述第一硅锗层进行氧化处理，包括：在氧气氛围下对所述第一硅锗层进行第一阶段氧化处理，所述第一阶段氧化处理的温度为1020℃～1080℃；在氧气氛围下对所述第一硅锗层进行第二阶段退火处理，所述第二阶段退火处理的温度为920℃～980℃；其中，所述第一阶段氧化处理的时间小于所述第二阶段退火处理的时间。6.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，在位...

【专利技术属性】
技术研发人员：张圆喜，
申请(专利权)人：长鑫科技集团股份有限公司，
类型：发明
国别省市：