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本公开提供一种半导体结构及其制备方法。该方法包括：提供衬底，衬底包括NMOS区域和PMOS区域；在NMOS区域和PMOS区域外延生长单晶硅层；在单晶硅层上外延生长第一硅锗层；去除位于NMOS区域的第一硅锗层，露出单晶硅层；在NMOS区域中露...
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