电子部件制造技术

电子部件(1)具备包含Cu元素的陶瓷的坯体(10)、覆盖上述坯体的表面的一部分的外部电极(20)、以及包含Cu元素的Cu偏析物(30)，上述外部电极具有配置在上述坯体(10)上的基底电极层(21)，上述基底电极层(21)具有包含导体的导体部(25)、和包含玻璃的玻璃部(23)，上述Cu偏析物(30)在上述坯体(10)与上述玻璃部(23)的界面，与上述坯体(10)和上述玻璃部(23)接触。与上述坯体(10)和上述玻璃部(23)接触。与上述坯体(10)和上述玻璃部(23)接触。

【技术实现步骤摘要】
【国外来华专利技术】电子部件


[0001]本专利技术涉及电子部件。

技术介绍

[0002]已知有在由铁素体烧结体构成的坯体的表面形成了包含玻璃的外部电极的层叠线圈部件。
[0003]在专利文献1公开了具备由铁素体烧结体构成的坯体、在坯体内并排设置的多个内部导体电连接构成的线圈、以及配置在坯体的端面侧的外部电极，并通过包含玻璃的绝缘层覆盖坯体的表面的层叠线圈部件。
[0004]专利文献1：日本特开2017－204565号公报
[0005]然而，在专利文献1所记载的层叠线圈部件中，坯体与外部电极的紧贴性较低，有使紧贴性提高的余地。

技术实现思路

[0006]本专利技术是为了解决上述的问题而完成的，目的在于提供坯体与外部电极的紧贴性较高的电子部件。
[0007]本专利技术的电子部件的一实施方式具备包含Cu元素的陶瓷的坯体、覆盖上述坯体的表面的一部分的外部电极、以及包含Cu元素的Cu偏析物，上述外部电极具有配置在上述坯体上的基底电极层，上述基底电极层具有包含导体的导体部、和包含玻璃的玻璃部，在上述坯体与上述玻璃部的界面上，上述Cu偏析物与上述坯体和上述玻璃部接触。
[0008]根据本专利技术，能够提供坯体与外部电极的紧贴性较高的电子部件。
附图说明
[0009]图1是示意地表示本专利技术的实施方式的电子部件的一个例子的立体图。
[0010]图2是图1中的II－II线剖视图。
[0011]图3是示意地表示本专利技术的实施方式的电子部件的其它的一个例子的立体图。
[0012]图4是图3中的IV－IV线剖视图。
[0013]图5是示意地表示本专利技术的电子部件的一实施方式中的坯体与玻璃部的界面的状态的一个例子的剖视图。
[0014]图6是示意地表示本专利技术的电子部件的一实施方式中的坯体与玻璃部的界面的状态的其它的一个例子的剖视图。
[0015]图7是示意地表示本专利技术的电子部件的一实施方式中的坯体与玻璃部的界面的状态的其它的一个例子的剖视图。
[0016]图8是实施例2的电子部件的坯体与玻璃部的界面的Cu的元素映射图像。
[0017]图9是与图8同一视场中的Si的元素映射图像。
[0018]图10是使图8以及图9重叠的图像。
[0019]图11是实施例2的电子部件的坯体与玻璃部的界面的Cu的元素映射图像。
[0020]图12是与图11同一视场中的Si的元素映射图像。
具体实施方式
[0021]以下，对本专利技术的电子部件进行说明。
[0022]然而，本专利技术并不限定于以下的结构，能够在不变更本专利技术的主旨的范围内适当地变更应用。
[0023]以下所示的各实施方式为例示，当然能够进行不同的实施方式所示的结构的部分的置换或者组合。在第二实施方式以后，省略对与第一实施方式相同的事项的记述，仅对不同点进行说明。特别是，并不在每个实施方式依次提及相同的结构所带来的相同的作用效果。
[0024]以下所示的附图是示意性的图，有其尺寸、纵横比的比例尺等与实际的产品不同的情况。
[0025]本专利技术的电子部件的一实施方式具备包含Cu元素的陶瓷的坯体、覆盖上述坯体的表面的一部分的外部电极、以及包含Cu元素的Cu偏析物，上述外部电极具有配置在上述坯体上的基底电极层，上述基底电极层具有包含导体的导体部、和包含玻璃的玻璃部，上述Cu偏析物在上述坯体与上述玻璃部的界面上，与上述坯体和上述玻璃部接触。
[0026]图1是示意地表示本专利技术的实施方式的电子部件的一个例子的立体图。
[0027]图1所示的电子部件1具备坯体10、和覆盖坯体10的表面的一部分的外部电极20。
[0028]坯体10是具有在长度方向L上对置的第一端面10a以及第二端面10b、在与长度方向L正交的宽度方向W上对置的第一侧面10c以及第二侧面10d、以及在与长度方向L以及宽度方向W正交的厚度方向T上对置的上面10e以及底面10f的大致长方体形状。
[0029]外部电极20设置为分别覆盖第一端面10a以及第二端面10b。覆盖第一端面10a的外部电极20的一部分形成为环绕坯体10的第一侧面10c、第二侧面10d、上面10e、以及底面10f的一部分。另外，覆盖第二端面10b的外部电极20的一部分形成为环绕坯体10的第一侧面10c、第二侧面10d、上面10e、以及底面10f的一部分。
[0030]图2是图1中的II－II线剖视图。
[0031]如图2所示，坯体10在内部具有导体层40。导体层40在坯体10的第一端面10a以及第二端面10b露出，并与外部电极20电连接。另外，导体层40作为整体形成线圈。通过导体层40形成的线圈的线圈轴与长度方向L平行。
[0032]外部电极20具有配置在坯体10上的基底电极层21、和配置在基底电极层21的表面的覆盖层27。
[0033]图3是示意地表示本专利技术的实施方式的电子部件的其它的一个例子的立体图。
[0034]图3所示的电子部件2具备坯体11、和覆盖坯体11的表面的一部分的外部电极20。坯体11的形状是具有卷绕了绕组43的柱状的卷芯部60、和分别与卷芯部60的长度方向L的两端部连接的凸缘部61的杠铃形状。绕组43卷绕于坯体11的卷芯部60。此外，虽然未图示，但绕组43的端部与外部电极20连接。
[0035]图4是图3中的IV－IV线剖视图。
[0036]如图4所示，在坯体11的内部未设置导体层。
[0037]外部电极20具有配置在坯体11上的基底电极层21、和配置在基底电极层21的表面的覆盖层27。
[0038][坯体][0039]在本专利技术的电子部件的一实施方式中，坯体是包含Cu元素的陶瓷。
[0040]作为包含Cu元素的陶瓷，例如能够列举使铁素体、氧化铝、钛酸钡、Zn系陶瓷等公知的陶瓷含有Cu元素的陶瓷等。
[0041]包含Cu元素的陶瓷也可以包含Mn3O4、Co3O4、SnO2、Bi2O3、SiO2等添加剂。
[0042]优选坯体中的Cu元素的含量在6mol％以上，且在10mol％以下。
[0043]此外，在坯体中的Cu元素的含量中，构成在坯体的表面偏析的Cu偏析物的Cu元素排除在考虑之外。
[0044]能够通过研磨使从坯体的表面起进入坯体的内侧10μm以上的剖面露出，并通过以上的光点直径进行波长色散型荧光X射线(WD－XRF)测定，来作为排除了偏析的影响后的值来测定坯体中的Cu元素的含量。此外，为了进一步降低测定位置所引起的偏差，也可以通过五个左右的样本进行WD－XRF测定。
[0045]优选坯体中的Fe元素的含量以Fe2O3换算在40mol％以上，并在49.5mol％以下。
[0046]坯体中的Ni/Zn摩尔比并不特别限定，但优选在1.8以上，且在2.8以下。
[0047]坯体的形状并不特别限定，但例如能够列举立方体形状、长方体形状、杠铃形状、H形状、I形状、环状形状等。
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【技术保护点】

【技术特征摘要】
【国外来华专利技术】1.一种电子部件，其中，具备包含Cu元素的陶瓷的坯体、覆盖上述坯体的表面的一部分的外部电极、以及包含Cu元素的Cu偏析物，上述外部电极具有配置在上述坯体上的基底电极层，上述基底电极层具有包含导体的导体部、和包含玻璃的玻璃部，在上述坯体与上述玻璃部的界面，上述Cu偏析物与上述坯体和上述玻璃部接触。2.根据权利要求1所述的电子部件，其中，上述Cu偏析物的形状是上述Cu偏析物的一部分向上述坯体侧突出的楔形。3.根据权利要求1所述的电子部件，其中，在将上述Cu偏析物的、上述坯体与上述玻璃部的界面延伸的方向上的长度设为La，并将与其正交的方向上的长度设为Lb时，上述Cu偏析物的形状是上述长度La相对于上述长度Lb之比[La/Lb]在3以下的粒状。4.根据权利要求2或者3所述的电子部件，其中，与上述Cu偏析物的正上接触的上述玻璃部的厚度小于0.5μm。5.根据权利要求1所述的电子部件，其中，在将上述Cu偏析物的、上述坯体与上...

【专利技术属性】
技术研发人员：星野悠太，喜多代裕树，
申请(专利权)人：株式会社村田制作所，
类型：发明
国别省市：