本发明专利技术实施例公开一种转接板的测试方法及用于转接板测试的结构。该转接板的测试方法，包括提供衬底；在衬底的一侧形成第一导电结构，至少部分第一导电结构埋入衬底并沿衬底的厚度方向延伸；在所述第一导电结构的远离所述衬底的一侧形成测试层，并将所述测试层与所述第一导电结构电连接；在所述第一导电结构远离所述测试层的一侧，形成第二导电结构，所述第二导电结构与所述第一导电结构电连接；将测试探针与所述第二导电结构电接触，对所述第一导电结构进行测试，其中，转接板包括所述衬底、所述第一导电结构和所述第二导电结构。本实施例提供的技术方案提高了对转接板的测试效率。例提供的技术方案提高了对转接板的测试效率。例提供的技术方案提高了对转接板的测试效率。
【技术实现步骤摘要】
一种转接板的测试方法及用于转接板测试的结构
[0001]本专利技术实施例涉及电路板
，尤其涉及一种转接板的测试方法及用于转接板测试的结构。
技术介绍
[0002]随着半导体技术的发展，芯粒(chiplet)技术得到越来越多的应用。而目前主流且先进的chiplet封装技术主要是2.5D硅转接板技术。现有的转接板的2.5D封装测试方案主要包括将需要封装的芯片进行晶圆级测试筛选，这样就会得到KGD(已知合格芯片，Known Good Die)用于封装。
[0003]根据不同的加工步骤，转接板有不同的测试思路。现有的转接板的测试方法存在测试效率较低的问题，影响具有转接板的封装成品的良率。
技术实现思路
[0004]本专利技术实施例提供一种转接板的测试方法及用于转接板测试的结构，以解决转接板的测试方法存在测试效率较低的问题。
[0005]为实现上述技术问题，本专利技术采用以下技术方案：
[0006]本专利技术实施例提供了一种转接板的测试方法，包括：
[0007]提供衬底；
[0008]在衬底的一侧形成第一导电结构，至少部分所述第一导电结构埋入所述衬底并沿所述衬底的厚度方向延伸；
[0009]在所述第一导电结构的远离所述衬底的一侧形成测试层，并将所述测试层与所述第一导电结构电连接；
[0010]在所述第一导电结构远离所述测试层的一侧形成第二导电结构，所述第二导电结构与所述第一导电结构电连接；
[0011]将测试探针与所述第二导电结构电接触，对所述第一导电结构进行测试；
[0012]转接板包括所述衬底、所述第一导电结构和所述第二导电结构。
[0013]可选的，所述在衬底的一侧形成第一导电结构，转接板包括所述衬底、所述第一导电结构和所述第二导电结构，包括：
[0014]在所述衬底的第一表面进行刻蚀，形成至少两个盲孔；
[0015]在衬底的所述第一表面以及所述盲孔的侧边进行第一介质层的沉积；
[0016]通过电镀方式对所述盲孔进行电镀形成信号线；所述信号线沿所述衬底的厚度方向延伸；
[0017]在所述信号线靠近所述衬底的第一表面的一侧，形成第一导电层；所述第一导电结构包括信号线和第一导电层；
[0018]在所述第一导电结构远离所述测试层的一侧形成第二导电结构，所述第二导电结构与所述第一导电结构电连接，包括：
[0019]对所述衬底的第二表面进行研磨，至所述第二表面与所述信号线平齐，所述第一表面与所述第二表面相对设置；
[0020]在所述信号线靠近所述第二表面的一侧，形成第二导电层，所述第二导电层与对应的所述信号线电连接；
[0021]在所述第二导电层远离所述衬底的一侧形成焊盘，每个焊盘对应至少一条所述信号线；所述第二导电结构包括第二导电层和焊盘。
[0022]可选的，在所述第一导电结构的远离所述衬底的一侧形成测试层，并将所述测试层与所述第一导电结构电连接，包括：
[0023]在所述第一导电结构远离所述衬底的一侧形成第二介质层；
[0024]在所述第二介质层远离所述衬底的一侧形成测试层；所述测试层包括至少一个互连结构，所述互连结构用于通过菊花链的方式将预设的测试范围内所有所述第一导电结构电连接。
[0025]可选的，在所述第一导电结构的远离所述衬底的一侧形成测试层，并将所述测试层与所述第一导电结构电连接之后，并且在所述第二导电层远离所述衬底的一侧形成焊盘之前，还包括：
[0026]通过临时键合的方式将所述转接板的第三表面的测试层键合到第一载板上。
[0027]可选的，将测试探针与所述第二导电结构电接触，对所述第一导电结构进行测试，包括：
[0028]将测试探针与所述焊盘电接触，所述测试探针连接至测试机，通过测试机向所述焊盘传输测试信号，并接收从所述焊盘反馈的电信号；
[0029]所述测试机根据所述电信号和所述测试信号，确定所述信号线的良率。
[0030]可选的，在所述将测试探针与所述第二导电结构电接触，对所述第一导电结构进行测试之后，还包括：
[0031]将第一载板与所述转接板的所述第三表面解键合；
[0032]将测试完成的所述转接板的所述第四表面键合到第二载板上，所述第三表面与所述第四表面相对设置；
[0033]通过刻蚀的方式将测试层去除；
[0034]通过光刻电镀的方式在所述第一导电结构远离所述衬底的一侧形成第三导电层。
[0035]根据本专利技术的第二方面，本专利技术提供了一种用于转接板测试的结构，用于对包括衬底、第一导电结构和第二导电结构的转接板进行测试，所述结构，包括：
[0036]测试层，位于所述第一导电结构的远离所述衬底的一侧，所述测试层与所述第一导电结构电连接；
[0037]测试探针，与第二导电结构电接触，对所述第一导电结构进行测试；
[0038]其中，所述第一导电结构形成于衬底的一侧，至少部分所述第一导电结构贯穿所述衬底；第二导电结构形成于所述第一导电结构远离所述测试层的一侧，所述第二导电结构与所述第一导电结构电连接，所述第二导电结构用于与测试探针电接触，以对所述第一导电结构进行测试。
[0039]可选的，所述第一导电结构，包括：信号线和第一导电层，所述信号线沿所述衬底的厚度方向延伸；所述第一导电层设置于所述信号线靠近所述衬底的第一表面的一侧，所
述第一导电层与所述信号线电连接；所述衬底的第二表面与所述信号线平齐，所述第一表面与所述第二表面相对设置；
[0040]所述第二导电结构，包括：第二导电层和焊盘，所述第二导电层设置于所述信号线靠近所述衬底的第二表面的一侧，其中，所述第二导电层与对应的所述信号线电连接；所述焊盘设置于所述第二导电层远离所述衬底的一侧，每个焊盘对应至少一条所述信号线。
[0041]可选的，所述用于转接板测试的结构，还包括：
[0042]第二介质层，所述第二介质层设置于所述第一导电结构远离所述衬底的一侧；
[0043]所述测试层设置于所述第二介质层远离所述衬底的一侧，所述测试层包括至少一个互连结构，所述互连结构用于通过菊花链的方式将预设的测试范围内所有所述第一导电结构电连接。
[0044]可选的，所述测试层远离所述衬底的一侧以临时键合方式设置有第一载板。
[0045]根据本专利技术的第三方面，本专利技术提供一种转接板，包括：采用第一方面任意项提出的转接板的测试方法测试得到。
[0046]根据本专利技术的第四方面，本专利技术提供一种电子设备，包括：第三方面提供的转接板。
[0047]本实施提供的转接板的测试方法通过提供衬底，在衬底的一侧形成第一导电结构，至少部分第一导电结构埋入衬底并沿衬底的厚度方向延伸。在第一导电结构的远离衬底的一侧形成测试层，并将测试层与第一导电结构电连接。在第一导电结构远离测试层的一侧形成第二导电结构，第二导电结构与第一导电结构电连接。将测试探针与第二导电结构电接触，对第一导电本文档来自技高网...
【技术保护点】
【技术特征摘要】
1.一种转接板的测试方法，其特征在于，包括：提供衬底；在衬底的一侧形成第一导电结构，至少部分所述第一导电结构埋入所述衬底并沿所述衬底的厚度方向延伸；在所述第一导电结构的远离所述衬底的一侧形成测试层，并将所述测试层与所述第一导电结构电连接；在所述第一导电结构远离所述测试层的一侧形成第二导电结构，所述第二导电结构与所述第一导电结构电连接；将测试探针与所述第二导电结构电接触，对所述第一导电结构进行测试；转接板包括所述衬底、所述第一导电结构和所述第二导电结构。2.根据权利要求1所述方法，其特征在于，所述在衬底的一侧形成第一导电结构，至少部分所述第一导电结构埋入所述衬底并沿所述衬底的厚度方向延伸，包括：在所述衬底的第一表面进行刻蚀，形成至少两个盲孔；在衬底的所述第一表面以及所述盲孔的侧边进行第一介质层的沉积；通过电镀方式对所述盲孔进行电镀形成信号线；所述信号线沿所述衬底的厚度方向延伸；在所述信号线靠近所述衬底的第一表面的一侧，形成第一导电层；所述第一导电结构包括信号线和第一导电层；在所述第一导电结构远离所述测试层的一侧形成第二导电结构，所述第二导电结构与所述第一导电结构电连接，包括：对所述衬底的第二表面进行研磨，至所述第二表面与所述信号线平齐，所述第一表面与所述第二表面相对设置；在所述信号线靠近所述第二表面的一侧，形成第二导电层，所述第二导电层与对应的所述信号线电连接；在所述第二导电层远离所述衬底的一侧形成焊盘，每个所述焊盘对应至少一条所述信号线；所述第二导电结构包括第二导电层和焊盘。3.根据权利要求1所述方法，其特征在于，在所述第一导电结构的远离所述衬底的一侧形成测试层，并将所述测试层与所述第一导电结构电连接，包括：在所述第一导电结构远离所述衬底的一侧形成第二介质层；在所述第二介质层远离所述衬底的一侧形成测试层；所述测试层包括至少一个互连结构，所述互连结构用于通过菊花链的方式将预设的测试范围内所有所述第一导电结构电连接。4.根据权利要求2所述方法，其特征在于，在所述第一导电结构的远离所述衬底的一侧形成测试层，并将所述测试层与所述第一导电结构电连接之后，并且在所述第二导电层远离所述衬底的一侧形成焊盘之前，还包括：通过临时键合的方式将所述转接板的第三表面的测试层键合到第一载板上。5.根据权利要求4所述方法，其特征在于，将测试探针与所述第二导电结构电接触，对所述第一导电结构进...
【专利技术属性】
技术研发人员：刘军，郝沁汾，
申请(专利权)人：无锡芯光互连技术研究院有限公司，
类型：发明
国别省市：
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