晶圆上料方法、晶圆加工方法及晶圆加工设备技术

技术编号:38762012 阅读:16 留言:0更新日期:2023-09-10 10:35
本发明专利技术揭示了晶圆上料方法、晶圆加工方法及晶圆加工设备,其中晶圆上料方法通过检测装置来确定待加工晶圆的晶圆主体是否贴偏,并在确定待加工晶圆的晶圆主体贴偏时,根据晶圆主体的圆心偏差来调节待加工晶圆在预对准机构上的位置以及调节工作台的位置,从而使晶圆主体与工作台处于同心状态,这样能够有效避免晶圆主体贴偏时,通过对中机构调整容易对晶圆主体造成伤害以及无法保证晶圆主体与工作台处于同心状态的问题,同时,这种方法能够有效地省去通过对中机构调整的过程,简化了作业流程,效率更高,并且可以省去对中机构,有利于简化结构。化结构。化结构。

【技术实现步骤摘要】
晶圆上料方法、晶圆加工方法及晶圆加工设备


[0001]本专利技术涉及半导体器件加工领域,尤其是晶圆上料方法、晶圆加工方法及晶圆加工设备。

技术介绍

[0002]在太鼓晶圆环切加工时,可以采用授权公告号为CN114582713B的中国专利技术专利所揭示的结构和方法,所述专利技术专利中是通过供料机构供料,并通过移料机构将待加工晶圆移动到预对准机构上的固定位置,然后再通过移料机构将预对准机构上的晶圆吸附并下移到处于标准接料位置的工作台上,后续通过对中机构来将待加工晶圆调整到与工作台同心的位置。
[0003]这种方法对于晶圆主体和晶圆外框同心的标准晶圆来说是可行的。
[0004]但是,在实际加工时,太鼓晶圆的晶圆主体在膜上存在贴偏的情况或膜贴在晶圆外框上存在贴偏的情况,此时,晶圆主体与晶圆外框将不再保持同心状态,如果按照上述方法进行上料,在通过对中机构进行工作台上的太鼓晶圆调整时,存在使晶圆主体损坏的风险,并且很难保证对中机构将晶圆主体调整到与工作台同心的状态;同时,这种加工方法需要通过对中机构来调整待加工晶圆在工作台上的位置,增加了作业流程且设备结构也更复杂。

技术实现思路

[0005]本专利技术的目的就是为了解决现有技术中存在的上述问题,提供一种晶圆上料方法、晶圆加工方法及晶圆加工设备。
[0006]本专利技术的目的通过以下技术方案来实现:晶圆上料方法,在通过移料机构将待加工晶圆从供料机构的料盒移动到预对准机构上时,根据检测装置的信号确定所述待加工晶圆的晶圆主体是否贴偏,在确定待加工晶圆的晶圆主体贴偏时,确定所述晶圆主体的圆心偏差,根据所述晶圆主体的圆心偏差确定所述待加工晶圆在预对准机构上应移动到第一位置和确定所述工作台应移动到的第二位置,定义所述待加工晶圆在所述预对准机构上的移动方向为第一水平方向,定义所述工作台的移动方向为第二水平方向,所述第一水平方向垂直于第二水平方向;通过所述移料机构将所述待加工晶圆沿第一水平方向移动到所述第一位置,使所述工作台沿第二水平方向移动到所述第二位置以使所述晶圆主体与所述工作台同心;通过所述移料机构将处于第一位置的待加工晶圆吸附,使所述预对准机构的两个支撑杆移动到所述待加工晶圆的两侧外,所述移料机构将其吸附的待加工晶圆直线下移并放置于处于第二位置的工作台上。
[0007]优选的,所述检测装置是设置在所述料盒的出料口外侧且向下测距的一排等间距分布的测距传感器或一测高光幕,一排所述测距传感器沿第二水平方向排布;所述测高光幕沿第二水平方向延伸。
[0008]优选的,在确定晶圆主体未贴偏时,所述移料机构将所述待加工晶圆移动到其在预对准机构上应移动到的基准位置以及使所述工作台移动到标准接料位置,在标准接料位置时,所述工作台的台面中心到所述预对准机构的两个支撑杆的距离相同;在基准位置时,所述待加工晶圆的晶圆外框与所述工作台同心。
[0009]优选的,所述晶圆主体的圆心偏差包括所述晶圆主体的圆心在第一水平方向上的第一距离偏差和所述晶圆主体的圆心在第二水平方向上的第二距离偏差。
[0010]优选的,所述第一距离偏差按照如下过程确定:获取第一弦心距,所述第一弦心距是根据第一宽度和晶圆主体的半径确定,所述第一宽度是标准晶圆以第一速度匀速移动经过所述检测装置时,检测装置在T时测得的标准晶圆的晶圆主体的宽度;使待加工晶圆以第一速度匀速移动经过所述检测装置,确定所述检测装置在T时测得的待加工晶圆的晶圆主体的第二宽度;根据所述第二宽度和晶圆主体的半径确定第二弦心距;根据所述第一弦心距和第二弦心距确定所述晶圆主体的圆心在第一水平方向上的第一距离偏差。
[0011]优选的,所述第一位置是根据标准晶圆在预对准机构上应移动到的基准位置与所述晶圆主体的圆心在第一水平方向上的第一距离偏差来确定,处于基准位置的标准晶圆与处于标准接料位置的所述工作台处于共轴状态,所述标准接料位置满足,所述工作台的台面中心到所述预对准机构的两个支撑杆的距离相同;所述第二位置是根据工作台应移动到的标准接料位置与所述晶圆主体的圆心在第二水平方向上的第二距离偏差来确定。
[0012]优选的,通过比较检测装置开始检测到待加工晶圆和标准晶圆的晶圆主体的时间来确定待加工晶圆的晶圆主体在第一水平方向的偏移方向;通过比较检测装置检测到所述待加工晶圆和标准晶圆的晶圆主体的检测点的位置来确定待加工晶圆的晶圆主体在第二水平方向的偏移方向;并根据确定的待加工晶圆的晶圆主体在第一水平方向的偏移方向确定所述第一位置和根据确定的待加工晶圆的晶圆主体在第二水平方向的偏移方向确定所述第二位置。
[0013]晶圆加工方法,包括如上任一所述的晶圆上料方法。
[0014]优选的,在待加工晶圆固定在工作台上后,使所述工作台移动到加工机构处进行加工。
[0015]晶圆加工设备,包括供料机构、预对准机构、移料机构、工作台及控制装置,所述供料机构的料盒的出料口外侧设置有用于确定进入到预对准机构上的待加工晶圆的晶圆主体是否贴偏以及在确定所述晶圆主体贴偏时,确定所述晶圆主体的圆心偏差的检测装置,所述检测装置连接控制装置。
[0016]本专利技术技术方案的优点主要体现在:本专利技术的方法通过检测装置来确定待加工晶圆的晶圆主体是否贴偏,并在确定待加工晶圆的晶圆主体贴偏时,根据晶圆主体的圆心偏差来调节待加工晶圆在预对准机构上的位置以及调节工作台的位置,从而使晶圆主体与工作台处于同心状态,这样能够有效避免晶圆主体贴偏时,通过对中机构调整容易对晶圆主体造成伤害以及无法保证晶圆主体与
工作台处于同心状态的问题,同时,这种方法能够有效地省去通过对中机构调整的过程,简化了作业流程,效率更高,并且可以省去对中机构,有利于简化结构。
[0017]本专利技术通过测高光幕或一排等间距分布的测距传感器来进行晶圆主体是否贴偏的检测,结构简单,易于实现,同时,没有复杂的数据处理和计算过程,数据处理效率高。
[0018]本专利技术通过第一弦心距和第二弦心距来确定第一距离偏差,这种方法受设备因素影响更小,准确性更高,且计算简单,易于实现。
附图说明
[0019]图1是标准晶圆上料时的过程及结构示意图;图2是本专利技术中通过检测装置对标准晶圆进行检测的示意图;图3是本专利技术中通过检测装置对晶圆主体贴偏的待加工晶圆进行检测的示意图;图4是本专利技术中标准晶圆的俯视图;图5是本专利技术中待加工晶圆的晶圆主体贴偏的俯视图;图6是晶圆主体贴偏的待加工晶圆上料至第一位置和工作台移动至第二位置的俯视图;图7是本专利技术确定第一距离偏差的过程所对应的原理示意图。
具体实施方式
[0020]本专利技术的目的、优点和特点,将通过下面优选实施例的非限制性说明进行图示和解释。这些实施例仅是应用本专利技术技术方案的典型范例,凡采取等同替换或者等效变换而形成的技术方案,均落在本专利技术要求保护的范围之内。
[0021]在方案的描述中,需要说明的是,术语“中心”、“上”、“下”、“左”、“右”、“前”、“后”、“竖直”、“水平”、“内”、“外”等指示的方位或位置关系为基于附图所本文档来自技高网
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【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.晶圆上料方法,其特征在于:在通过移料机构将待加工晶圆从供料机构的料盒移动到预对准机构上时,根据检测装置的信号确定所述待加工晶圆的晶圆主体是否贴偏,在确定待加工晶圆的晶圆主体贴偏时,确定所述晶圆主体的圆心偏差,根据所述晶圆主体的圆心偏差确定所述待加工晶圆在预对准机构上应移动到第一位置和确定工作台应移动到的第二位置,定义所述待加工晶圆在所述预对准机构上的移动方向为第一水平方向,定义所述工作台的移动方向为第二水平方向,所述第一水平方向垂直于第二水平方向;通过所述移料机构将所述待加工晶圆沿第一水平方向移动到所述第一位置,使所述工作台沿第二水平方向移动到所述第二位置以使所述晶圆主体与所述工作台同心;通过所述移料机构将处于第一位置的待加工晶圆吸附,使所述预对准机构的两个支撑杆移动到所述待加工晶圆的两侧外,所述移料机构将其吸附的待加工晶圆直线下移并放置于处于第二位置的工作台上。2.根据权利要求1所述的晶圆上料方法,其特征在于:所述检测装置是设置在所述料盒的出料口外侧且向下测距的一排等间距分布的测距传感器或一测高光幕,一排所述测距传感器沿第二水平方向排布;所述测高光幕沿第二水平方向延伸。3.根据权利要求1所述的晶圆上料方法,其特征在于:在确定晶圆主体未贴偏时,所述移料机构将所述待加工晶圆移动到其在预对准机构上应移动到的基准位置以及使所述工作台移动到标准接料位置,在标准接料位置时,所述工作台的台面中心到所述预对准机构的两个支撑杆的距离相同;在基准位置时,所述待加工晶圆的晶圆外框与所述工作台同心。4.根据权利要求1所述的晶圆上料方法,其特征在于:所述晶圆主体的圆心偏差包括所述晶圆主体的圆心在第一水平方向上的第一距离偏差和所述晶圆主体的圆心在第二水平方向上的第二距离偏差。5.根据权利要求4所述的晶圆上料方法,其特征在于:所述第一距离偏差按照如下过程确定:获取第一弦心距,所述第一弦心距是根据第一宽度和晶圆主体的半径确定,所述第一宽度...

【专利技术属性】
技术研发人员:高阳曹伟孙志超葛凡
申请(专利权)人:江苏京创先进电子科技有限公司
类型:发明
国别省市:

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