硅棒切割方法、棱柱体硅棒及硅片技术

本申请实施例提供一种硅棒切割方法及硅片，其中，方法包括：以平行于硅棒长度方向的两个第一切割面对硅棒进行切割；两个第一切割面平行且对称位于硅棒中心线的两侧；将硅棒旋转N次，每次旋转预设角度；每旋转一次之后以两个所述第一切割面对硅棒进行切割，直至将硅棒切割成横截面为正多边形的棱柱体；N为大于或等于2的正整数。本申请实施例提供的硅棒切割方法及硅片能够提高硅材料的利用率，减少材料浪费，降低成本。降低成本。降低成本。

【技术实现步骤摘要】
硅棒切割方法、棱柱体硅棒及硅片


[0001]本申请涉及硬脆材料切割技术，尤其涉及一种硅棒切割方法、棱柱体硅棒及硅片。

技术介绍

[0002]在光伏半导体领域中，由于硅材料的价格较为昂贵，因此其材料的损耗成本控制在加工环节尤为重要。传统方案中，先将圆柱形的硅棒进行开方，得到截面为正方形的中间方棒及四块边皮料，再对方棒进行切片得到大片硅片，然后采用激光技术对大片硅片进行划片切割形成小片硅片，但在激光划片的过程中，会对小片硅片的横断面产生损伤和缺陷态，严重影响最终形成电池的转换效率。而且，虽然目前很多厂商对边皮料进行了回收利用，但受边皮料形状和尺寸的限制，其利用率并不高，使得硅棒的损耗较多，成本较高。

技术实现思路

[0003]为了解决上述技术缺陷之一，本申请实施例中提供了一种硅棒切割方法、棱柱体硅棒及硅片。
[0004]根据本申请实施例的第一个方面，提供了一种硅棒切割方法，包括：
[0005]以平行于硅棒长度方向的两个第一切割面对硅棒进行切割；两个第一切割面平行且对称位于硅棒中心线的两侧；
[0006]将硅棒旋转N次，每次旋转预设角度；每旋转一次之后以两个所述第一切割面对硅棒进行切割，直至将硅棒切割成横截面为正多边形的棱柱体；N为大于或等于2的正整数。
[0007]根据本申请实施例的第二个方面，提供了一种棱柱体硅棒，所述棱柱体硅棒为采用如上所述方法得到的产品。
[0008]根据本申请实施例的第三个方面，提供了一种硅片，述硅片为对如上棱柱体硅棒进行切片得到的产品。r/>[0009]本申请实施例所提供的技术方案，以平行于硅棒长度方向的两个第一切割面对硅棒进行切割；两个第一切割面平行且对称位于硅棒中心线的两侧；然后将硅棒旋转N次，每次旋转预设角度；每旋转一次之后以两个所述第一切割面对硅棒进行切割，直至将硅棒切割成横截面为正多边形的棱柱体，N为大于或等于2的正整数。当切割次数大于或者等于3次形成横截面为正多边形时，相比于横截面为正方形，棱柱体的横截面积更大，切割剩下的边皮料更小，后续对棱柱体进行切片能够得到更大面积的硅片，从而减少了边皮料所占的面积，提高了硅棒的利用率，降低成本。
附图说明
[0010]此处所说明的附图用来提供对本申请的进一步理解，构成本申请的一部分，本申请的示意性实施例及其说明用于解释本申请，并不构成对本申请的不当限定。在附图中：
[0011]图1为本申请实施例一提供的硅棒切割方法的流程图；
[0012]图2为本申请实施例一提供的硅棒切割方法应用于对硅棒进行切割的各步骤示意
图；
[0013]图3为本申请实施例一提供的另一硅棒切割方法的流程图；
[0014]图4为本申请实施例二提供的硅棒切割方法的流程图；
[0015]图5为本申请实施例二提供的硅棒切割方法应用于对硅棒进行切割的各步骤示意图；
[0016]图6为本申请实施例三提供的硅棒切割方法的流程图；
[0017]图7为本申请实施例四提供的硅棒切割方法的流程图；
[0018]图8为本申请实施例四提供的硅棒切割方法应用于对硅棒进行切割的各步骤示意图；
[0019]图9为本申请实施例五提供的硅棒切割方法的流程图；
[0020]图10为本申请实施例六提供的硅棒切割方法的流程图；
[0021]图11为本申请实施例六提供的硅棒切割方法应用于对硅棒进行切割的各步骤示意图；
[0022]图12为本申请实施例七提供的硅棒切割方法的流程图；
[0023]图13为本申请实施例八提供的硅棒切割方法的流程图；
[0024]图14为本申请实施例八提供的硅棒切割方法应用于对硅棒进行切割的各步骤示意图；
[0025]图15为本申请实施例九提供的硅棒切割方法的流程图。
[0026]附图标记：
[0027]1‑
硅棒；2
‑
棱柱体；3
‑
第一半棒；4
‑
第二半棒；5
‑
小硅棒；
[0028]61
‑
正多边形硅片；62
‑
第一硅片；63
‑
第二硅片；64
‑
小硅片。
具体实施方式
[0029]为了使本申请实施例中的技术方案及优点更加清楚明白，以下结合附图对本申请的示例性实施例进行进一步详细的说明，显然，所描述的实施例仅是本申请的一部分实施例，而不是所有实施例的穷举。需要说明的是，在不冲突的情况下，本申请中的实施例及实施例中的特征可以相互组合。
[0030]本实施例提供一种硅棒切割方法，用于对硅棒进行切割，得到小片状的硅片。硅棒可以为多晶硅材料、单晶硅材料等，本实施例仅以单晶硅材料为例，对切割方法进行具体说明。本领域技术人员可以将本实施例所提供的技术方案直接应用于对其他材料进行切割，也可以进行适应性改进后应用于对其他材料进行切割。
[0031]实施例一
[0032]图1为本申请实施例一提供的硅棒切割方法的流程图，图2为本申请实施例一提供的硅棒切割方法应用于对硅棒进行切割的各步骤示意图。如图1和图2所示，本实施例所提供的硅棒切割方法包括如下步骤：
[0033]步骤101、以平行于硅棒长度方向的两个第一切割面对硅棒进行切割；两个第一切割面平行且对称位于硅棒中心线的两侧。
[0034]步骤102、将硅棒旋转N次，每次旋转预设角度；每旋转一次之后以两个第一切割面对硅棒进行切割，直至将硅棒切割成横截面为正多边形的棱柱体；N为大于或等于2的正整
数。
[0035]本实施例中，硅棒1为单晶硅硅棒，其形状为圆柱体，硅棒的长度方向为圆柱体的中心线方向，也可以称为轴线方向。
[0036]第一步，以两个与硅棒1长度方向平行的第一切割面对硅棒进行切割，切掉两块边皮料。第一切割面为平面，在硅棒1的侧面形成相对且平行的两个平面。例如：经一个第一切割面切割后形成平面21
‑
21
’‑
22
’‑
22。
[0037]第二步，将硅棒绕其中心线旋转预设角度，然后仍以上述两个第一切割面对硅棒进行切割，切掉两块边皮料，在硅棒1的侧面形成相对且平行的两个平面，该平面与第一步所形成的平面相交。例如：经一个第一切割面切割后形成平面22
‑
22
’‑
23
’‑
23。
[0038]第三步，再次将硅棒绕其中心线旋转预设角度，然后仍以上述两个第一切割面对硅棒进行切割。
[0039]一共将硅棒旋转N次，切割N+1次，直至将硅棒切割为棱柱体2，其横截面为正多边形。
[0040]当N为2时，切割3次，得到横截面为正六边形的棱柱体2，如图1所示；当N为3时，切割4次，得到横截面为正八边形的棱柱体2。N还可以为4、5、6等正整数。
[0041]后续可以对横截面为正多边形的棱柱体进行切片，得到硅片。本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种硅棒切割方法，其特征在于，包括：以平行于硅棒长度方向的两个第一切割面对硅棒进行切割；两个第一切割面平行且对称位于硅棒中心线的两侧；将硅棒旋转N次，每次旋转预设角度；每旋转一次之后以两个所述第一切割面对硅棒进行切割，直至将硅棒切割成横截面为正多边形的棱柱体；N为大于或等于2的正整数。2.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，还包括：对所述棱柱体的侧面进行磨削，所述侧面为平行于棱柱体长度方向的表面；以垂直于棱柱体长度方向对棱柱体进行切割，形成正多边形硅片。3.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，还包括：对所述棱柱体的侧面进行磨削，所述侧面为平行于棱柱体长度方向的表面；以平行于棱柱体长度方向的第二切割面对棱柱体进行切割，所述第二切割面垂直于棱柱体的侧面且经过棱柱体的中心线，切割后形成两个第一半棒；对第一半棒中由第二切割面切割所形成的表面进行磨削；以垂直于第一半棒长度方向的切割面对第一半棒进行切割，形成第一硅片。4.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，还包括：以平行于棱柱体长度方向的第二切割面对棱柱体进行切割，所述第二切割面垂直于棱柱体的侧面且经过棱柱体的中心线，切割后形成两个第一半棒；对第一半棒的侧面进行磨削，所述侧面为平行于第一半棒长度方向的表面；以垂直第一半棒长度方向对第一半棒进行切割，形成第一硅片。5.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，还包括：对所述棱柱体的侧面进行磨削，所述侧面为平行于棱柱体长度方向的表面；以平行于棱柱体长度方向的第二切割面对棱柱体进行切割，所述第二切割面经过相对的两条棱，切割后形成两个第二半棒；对第二半棒中由第二切割面切割所形成的表面进行磨削；以垂直于第二半棒长度方向的切割面对第二半棒进行切割，形成第二硅片。6.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，还包括：以平行于棱柱体长度方向的第二切割面对棱柱体进行切割，所述第二切割面经过相对的两条棱，切割后形成两个第二半棒；对第二半棒的侧面进行磨削，所述侧面为平行于第二半棒长度方向的表面；以垂直第二半棒长度方向的切割面对第二半棒进行切割，形成第二硅片。7.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，所述棱柱体的横截面为六边形。8.根据权利要求7所述的方法，其特征在于，还包括：对所述棱柱体的侧面进行磨削，所述侧面为平行于棱柱体长度方向的表面；以平行...

【专利技术属性】
技术研发人员：范国强，于文文，王叶兰，王子跃，
申请(专利权)人：青岛高测科技股份有限公司，
类型：发明
国别省市：