半导体器件结构、图像传感器及其制备方法、电子设备技术

本发明专利技术提供一种半导体器件结构、图像传感器及制备方法、电子设备，半导体器件结构适用于图像传感器，包括：半导体基底，半导体基底包括若干个芯片区域及位于芯片区域外围的切割区域；切割区域包括界面阻隔切割区，芯片区域包括辅助切割区；其中，辅助切割区与切割区域邻接设置，且切割外缘与界面阻隔切割区相对应并与辅助切割区之间具有间距。通过本发明专利技术的上述设计，可以有效的缓解在切割获取芯片的过程中切割工艺对芯片核心区的影响。中切割工艺对芯片核心区的影响。中切割工艺对芯片核心区的影响。

【技术实现步骤摘要】
半导体器件结构、图像传感器及其制备方法、电子设备


[0001]本专利技术属于图像获取
，特别是涉及一种半导体器件结构、图像传感器及其制备方法、电子设备。

技术介绍

[0002]图像传感器是组成数字摄像头的重要组成部分。根据元件的不同，可分为CCD(电荷耦合元件)和CMOS(金属氧化物半导体元件)两大类。随着CMOS集成电路制造工艺特别是CMOS图像传感器(CIS，CMOS Image Sensor)设计及制造工艺的不断发展，CMOS图像传感器已经逐渐取代CCD图像传感器成为主流。CMOS图像传感器相比较具有工业集成度更高、功率更低等优点。
[0003]现有图像传感器在芯片分割过程中往往会出现干扰成像或撕裂(chipping)现象，导致芯片核心区域受到不同程度的损伤，进而直接影响图像传感器的性能及其成像效果。从而对于芯片切割过程的改善成为亟待解决的问题。
[0004]因此，如何提供一种半导体器件结构、图像传感器及其制备方法、电子设备，以解决现有技术中的上述问题实属必要。
[0005]应该注意，上述对技术背景的介绍只是本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种半导体器件结构，适用于图像传感器，其特征在于，包括：半导体基底，包括若干个芯片区域及位于所述芯片区域外围的切割区域；所述切割区域包括界面阻隔切割区，所述芯片区域包括辅助切割区；其中，所述辅助切割区与所述切割区域邻接设置，且切割外缘与所述界面阻隔切割区相对应并与所述辅助切割区之间具有间距。2.如权利要求1所述的半导体器件结构，其特征在于，所述切割区域还包括外围功能区，所述界面阻隔切割区位于所述外围功能区与所述芯片区域之间，所述外围功能区包括材料不同的第一材料结构与第二材料结构，所述界面阻隔切割区和/或辅助切割区包括与二者界面位于同一结构层的裂纹缓解材料层。3.如权利要求2所述的半导体器件结构，其特征在于，所述外围功能区包括多个芯片检测结构，所述芯片检测结构与邻近侧的所述界面阻隔切割区之间设置有第一缓冲区；和/或，沿所述芯片区域与所述切割区域布置的方向上，相邻的所述芯片检测结构之间设置有第二缓冲区；和/或，所述第一材料结构为金属，所述第二材料结构为层间电介质，所述裂纹缓解材料层为层间电介质。4.如权利要求3所述的半导体器件结构，其特征在于，所述多个芯片检测结构形成至少一条检测结构带，所述第一缓冲区位于所述检测结构带与邻近的所述界面阻隔切割区之间；当所述检测结构带的数量为至少两条时，所述第二缓冲区位于相邻的所述检测结构带之间，所述切割外缘的不同侧均与所述界面阻隔切割区对应或者分别与所述界面阻隔切割区和所述第二缓冲区对应。5.如权利要求1所述的半导体器件结构，其特征在于，所述半导体基底包括叠置的半导体衬底和互连结构层，所述芯片区域包括芯片主体区，所述辅助切割区位于所述芯片主体区与所述切割区域之间，所述互连结构层包括与所述界面阻隔切割区对应的第一净空区和/或与所述辅助切割区对应的第二净空区。6.如权利要求5所述的半导体器件结构，其特征在于，所述互连结构层还包括与所述辅助切割区对应的虚拟布线区，所述第二净空区邻接于所述切割区域与所述虚拟布线区之间，所述虚拟布线区包括布线缓冲结构区及保护环结构区中至少一者，二者均存在时，所述布线缓冲结构区靠近所述第二净空区设置。7.如权利要求6所述的半导体器件结构，其特征在于，所述保护环结构区包括多个保护环结构，所述多个保护环结构呈环状设置于所述芯片主体区的外围；和/或，所述布线缓冲结构区包括多个布线缓冲结构，所述多个布线缓冲结构在所述芯片主体区的外围形成若干缓冲结构行和/或缓冲结构列；和/或，所述第一净空区的宽度大于或等于4μm；所述第二净空区的宽度大于或等于3μm；所述布线缓冲结构区与所述第二净空区的宽度之和大于或等于18μm；所述切割外缘与靠近侧的所述保护环结构区之间的距离大于或等于20μm。8.如权利要求5所述的半导体器件结构，其特征在于，所述半导体衬底包括与所述辅助切割区对...

【专利技术属性】
技术研发人员：许书洋，万皓，
申请(专利权)人：思特威上海电子科技股份有限公司，
类型：发明
国别省市：