温馨提示:您尚未登录,请点 登陆 后下载,如果您还没有账户请点 注册 ,登陆完成后,请刷新本页查看技术详细信息。
本发明提供一种半导体器件结构、图像传感器及制备方法、电子设备,半导体器件结构适用于图像传感器,包括:半导体基底,半导体基底包括若干个芯片区域及位于芯片区域外围的切割区域;切割区域包括界面阻隔切割区,芯片区域包括辅助切割区;其中,辅助切割区与...该专利属于思特威(上海)电子科技股份有限公司所有,仅供学习研究参考,未经过思特威(上海)电子科技股份有限公司授权不得商用。
温馨提示:您尚未登录,请点 登陆 后下载,如果您还没有账户请点 注册 ,登陆完成后,请刷新本页查看技术详细信息。
本发明提供一种半导体器件结构、图像传感器及制备方法、电子设备,半导体器件结构适用于图像传感器,包括:半导体基底,半导体基底包括若干个芯片区域及位于芯片区域外围的切割区域;切割区域包括界面阻隔切割区,芯片区域包括辅助切割区;其中,辅助切割区与...