一种正装高压LED芯片及其制备方法技术

本发明专利技术公开了一种正装高压LED芯片及其制备方法，该制备方法包括：在外延片的表面制作电流阻挡层，按照第一预设图形对电流阻挡层进行光刻，形成基片；在基片上制作透明导电层，在透明导电层的表面光刻形成第二预设图形；在第二预设图形的表面进行Mesa光刻，按照第三预设图形对基片进行刻蚀，并对透明导电层进行湿法腐蚀以暴露出形成于N型半导体层表面的Mesa台阶；按照第四预设图形在基片上光刻金属电极图形，按照金属电极图形蒸镀金属电极；在基片上制作绝缘层，按照第五预设图形光刻与刻蚀去除部分的绝缘层材料，形成高压LED芯片。本发明专利技术解决了现有技术中正装高压LED芯片技术路线中光刻次数多，工序复杂，导致了芯片的产出效率较低的技术问题。低的技术问题。低的技术问题。

【技术实现步骤摘要】
一种正装高压LED芯片及其制备方法


[0001]本专利技术涉及半导体器件
，具体涉及一种正装高压LED芯片及其制备方法。

技术介绍

[0002]高压(HV)LED芯片是在LED芯片制备段将多颗芯片串联发光，减少下游封装厂焊线次数，提高其生产效率并节约成本，且封装体的可靠性随着焊线次数的减少有所提升。
[0003]目前国内外主流LED芯片生产厂家采用的技术路线为6道光刻(mask)：分别为Mesa光刻、ISO深刻蚀光刻(Isolation)、CBL(Current barrier layer)光刻、ITO光刻、PN金属光刻、SiO2光刻。
[0004]现有正装高压LED芯片技术路线光刻次数多，工序复杂，产出效率低；随着LED行业竞争加剧，成本控制变得越来越重要，需要减少制备成本、加快产出效率。

技术实现思路

[0005]针对现有技术的不足，本专利技术的目的在于提供一种正装高压LED芯片及其制备方法，旨在解决现有技术中正装高压LED芯片技术路线中光刻次数多，工序复杂，导致了芯片的产出效率较低的技术问题。
...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种正装高压LED芯片的制备方法，其特征在于，所述制备方法包括：提供一外延片；在所述外延片的表面制作电流阻挡层，按照第一预设图形对所述电流阻挡层进行光刻，形成基片；在所述基片上制作透明导电层，在所述透明导电层的表面光刻形成第二预设图形；在所述第二预设图形的表面进行Mesa光刻，按照第三预设图形对所述基片进行刻蚀，并对所述透明导电层进行湿法腐蚀以暴露出形成于N型半导体层表面的Mesa台阶；按照第四预设图形在所述基片上光刻金属电极图形，按照所述金属电极图形蒸镀金属电极；在所述基片上制作绝缘层，按照第五预设图形光刻与刻蚀去除部分的绝缘层材料，形成高压LED芯片。2.根据权利要求1所述的正装高压LED芯片的制备方法，其特征在于，在所述外延片的表面制作电流阻挡层，按照第一预设图形对所述电流阻挡层进行光刻，形成基片的步骤，包括：对外延片进行清洁处理；在所述外延片的表面沉积第一预设厚度的第一材料，形成电流阻挡层；按照第一预设图形，对所述电流阻挡层进行光刻；腐蚀去除所述第一预设图形以外的所述第一材料；去除光刻胶并进行清洗，得到基片。3.根据权利要求2所述的正装高压LED芯片的制备方法，其特征在于，所述第一预设厚度为360nm
‑
400nm，所述第一材料为SiO2。4.根据权利要求1所述的正装高压LED芯片的制备方法，其特征在于，在所述基片上制作透明导电层，在所述透明导电层的表面光刻形成第二预设图形的步骤，包括：在所述基片的表面溅射第二预设厚度的第二材料，形成透明导电层；在所述基片的表面进行光刻，形成第二预设图形；并对所述基片进行烘烤；其中，烘烤温度为110℃
‑
170℃。5.根据权利要求4所述的正装高压LED芯片的制备方法，其特征在于，所述第二预设厚度为25nm
‑
110nm，所述第二材料为ITO。6.根据权利要求1所述的正装高压LED芯片的制备方法，其特征在于，在所述第二预设图形的表面进行Mesa光刻，按照第三预设图形对所述基片进行刻蚀，并对所述透明导电层进行湿法腐蚀以暴露出形成于N型半导体层表面的Mesa台阶的步骤，包括：在所述第二预设图形的表面进行Mesa光刻；按照第三预设图形对所述基片进行深刻蚀，以暴露出所述外延片的N型半导体层；对所述透明导电层进行湿法刻蚀，暴露出形成于所述N型半导体层表面的Mesa台阶；去除光刻胶并进行清洗；其中，对基片进行深刻蚀后的裸露部分的刻蚀深度为5.5μm

【专利技术属性】
技术研发人员：王雪峰，张星星，林潇雄，胡加辉，金从龙，
申请(专利权)人：江西兆驰半导体有限公司，
类型：发明
国别省市：