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本发明公开了一种正装高压LED芯片及其制备方法，该制备方法包括：在外延片的表面制作电流阻挡层，按照第一预设图形对电流阻挡层进行光刻，形成基片；在基片上制作透明导电层，在透明导电层的表面光刻形成第二预设图形；在第二预设图形的表面进行Mesa光...
该专利属于江西兆驰半导体有限公司所有，仅供学习研究参考，未经过江西兆驰半导体有限公司授权不得商用。

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