一种拉晶装置制造方法及图纸

本说明书实施例提供一种拉晶装置，包括坩埚、加热器、隔热层和生长室，所述隔热层置于所述生长室内，所述隔热层环绕所述加热器设置，所述加热器设置于所述隔热层和所述坩埚之间，所述装置还包括若干磁场探测器，所述隔热层外周开设有用于安装若干所述磁场探测器的若干放置槽。通过在隔热层的外周开设若干放置槽，通过在若干放置槽内放置磁场探测器，隔热层可以隔绝大部分热量，避免磁场探测器受到损伤，通过磁场探测器可以直接测量磁场强度，可以更精确的控制超导磁场的输出磁场，从而实现更稳定的单晶生长环境。定的单晶生长环境。定的单晶生长环境。

【技术实现步骤摘要】
一种拉晶装置


[0001]本说明书涉及半导体制造
，具体涉及一种拉晶装置。

技术介绍

[0002]在半导体的制造过程中，需要使用拉晶装置对材料进行拉晶处理。中国专利网申请号201910863523.1提供了一种拉晶装置、设备及方法，拉晶装置包括：坩埚，包括一用于容纳硅熔液的容纳空间；磁场发射部，用于向坩埚处输出磁场；温度测量部，用于测量一个或多个指定位置的硅熔液的温度值；控制部，控制部分别与磁场发射部和温度测量部连接，控制部用于接收温度测量部发送的一个或多个指定位置的硅熔液的温度值，根据一个或多个指定位置的硅熔液的温度值，确定磁场发射部输出磁场的目标磁场强度，并控制磁场发射部输出强度为目标磁场强度的磁场。
[0003]上述申请确定磁场强度的方式是通过判断硅溶液的温度值间接测量的，磁场强度的测量值精确度较低。

技术实现思路

[0004]有鉴于此，本说明书实施例提供一种拉晶装置，通过安装磁场探测器可以直接测量磁场强度，可以更精确的控制超导磁场的输出磁场，从而实现更稳定的单晶生长环境。
[0005]本说明书实施例提供以下技术方案：一种拉晶装置，包括坩埚、加热器、隔热层和生长室，所述隔热层置于所述生长室内，所述隔热层环绕所述加热器设置，所述加热器设置于所述隔热层和所述坩埚之间，所述装置还包括若干磁场探测器，所述隔热层外周开设有用于安装若干所述磁场探测器的若干放置槽。
[0006]优选的，每个所述放置槽内均设置有多个磁场探测器，多个所述磁场探测器采用三种轴方向依次安装。
[0007]优选的，相邻所述磁场探测器之间依次间隔100mm安装在放置槽内。
[0008]优选的，所述放置槽设置有四组，四组所述放置槽均匀分布在所述隔热层外周。
[0009]优选的，所述装置还包括若干冷却机构，若干所述冷却机构安装于所述放置槽内，以降低所述磁场探测器周围的温度。
[0010]优选的，所述冷却机构包括水冷管道，所述水冷管道设置于所述磁场探测器旁侧。
[0011]优选的，每个所述放置槽内均设置有两组水冷管道。
[0012]与现有技术相比，本说明书实施例采用的上述至少一个技术方案能够达到的有益效果至少包括：
[0013]通过在隔热层的外周开设若干放置槽，通过在若干放置槽内放置磁场探测器，隔热层可以隔绝大部分热量，避免磁场探测器受到损伤，通过磁场探测器可以直接测量磁场强度，可以更精确的控制超导磁场的输出磁场，从而实现更稳定的单晶生长环境。
附图说明
[0014]为了更清楚地说明本申请实施例的技术方案，下面将对实施例中所需要使用的附图作简单地介绍，显而易见地，下面描述中的附图仅仅是本申请的一些实施例，对于本领域普通技术人员来讲，在不付出创造性劳动的前提下，还可以根据这些附图获得其它的附图。
[0015]图1是本技术提供的拉晶装置的整体结构示意图；
[0016]图2是本技术提供的拉晶装置的隔热层俯观结构示意图；
[0017]图3是本技术提供的拉晶装置的磁场探测器与水冷管道分布俯视图；
[0018]图4是本技术提供的拉晶装置的磁场探测器与水冷管道分布主视图。
[0019]1、生长室；2、籽晶绳；3、单晶硅棒；4、多晶硅熔汤；5、坩埚；6、支撑轴；7、加热器；8、隔热层；9、超导磁场；10、磁场探测器；11、水冷管道；12、防水隔层。
具体实施方式
[0020]下面结合附图对本申请实施例进行详细描述。
[0021]以下通过特定的具体实例说明本申请的实施方式，本领域技术人员可由本说明书所揭露的内容轻易地了解本申请的其他优点与功效。显然，所描述的实施例仅仅是本申请一部分实施例，而不是全部的实施例。本申请还可以通过另外不同的具体实施方式加以实施或应用，本说明书中的各项细节也可以基于不同观点与应用，在没有背离本申请的精神下进行各种修饰或改变。需说明的是，在不冲突的情况下，以下实施例及实施例中的特征可以相互组合。基于本申请中的实施例，本领域普通技术人员在没有作出创造性劳动前提下所获得的所有其他实施例，都属于本申请保护的范围。
[0022]要说明的是，下文描述在所附权利要求书的范围内的实施例的各种方面。应显而易见，本文中所描述的方面可体现于广泛多种形式中，且本文中所描述的任何特定结构及/或功能仅为说明性的。基于本申请，所属领域的技术人员应了解，本文中所描述的一个方面可与任何其它方面独立地实施，且可以各种方式组合这些方面中的两者或两者以上。举例来说，可使用本文中所阐述的任何数目和方面来实施设备及/或实践方法。另外，可使用除了本文中所阐述的方面中的一或多者之外的其它结构及/或功能性实施此设备及/或实践此方法。
[0023]还需要说明的是，以下实施例中所提供的图示仅以示意方式说明本申请的基本构想，图式中仅显示与本申请中有关的组件而非按照实际实施时的组件数目、形状及尺寸绘制，其实际实施时各组件的型态、数量及比例可为一种随意的改变，且其组件布局型态也可能更为复杂。
[0024]另外，在以下描述中，提供具体细节是为了便于透彻理解实例。然而，所属领域的技术人员将理解，可在没有这些特定细节的情况下实践所述方面。
[0025]以下结合附图，说明本申请各实施例提供的技术方案。
[0026]如图1
‑
图4所示，一种拉晶装置，包括坩埚5、加热器7、隔热层8和生长室1，所述隔热层8置于所述生长室1内，所述隔热层8环绕所述加热器7设置，所述加热器7设置于所述隔热层8和所述坩埚5之间，加热器7对坩埚5进行加热，隔热层8可以起到隔绝热量的效果，所述装置还包括若干磁场探测器10，所述隔热层8外周开设有用于安装若干所述磁场探测器10的若干放置槽。
[0027]通过在隔热层8的外周开设若干放置槽，通过在若干放置槽内放置磁场探测器10，隔热层8可以隔绝大部分热量，使得放置槽内的温度不会很高，可以安装磁场探测器10，避免磁场探测器10受到损伤，通过磁场探测器10可以直接测量磁场强度，可以更精确的控制超导磁场9的输出磁场，从而实现更稳定的单晶生长环境。
[0028]需要说明的是，放置槽即在生长室1和隔热层8之间预留一部分空间，用于放置磁场探测器10，隔热层8可以隔绝大部分热量，使得这个区域的温度不会很高，因此安装磁场探测器10是可行的。
[0029]还需要说明的是，坩埚5底部设置有支撑轴6，以对坩埚5进行支撑，坩埚5内装有多晶硅熔汤4，坩埚5内上方设有单晶硅棒3，单晶硅棒3顶部连接有籽晶绳，籽晶绳从生长室1的顶部穿出，通过籽晶绳带动单晶硅棒3向上运动，对坩埚5内的多晶硅熔汤4进行拉晶操作。
[0030]如图2
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图4所示，在一些实施方式中，每个所述放置槽内均设置有多个磁场探测器10，多个所述磁场探测器10采用三种轴方向依次安装，用以探测该位置的磁场分布和磁场强度，磁场探测器10使用X，Y，Z三种轴方向依次安装，其中，X方向与Y方向是两个相反的方向本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种拉晶装置，包括坩埚、加热器、隔热层和生长室，其特征在于，所述隔热层置于所述生长室内，所述隔热层环绕所述加热器设置，所述加热器设置于所述隔热层和所述坩埚之间，所述装置还包括若干磁场探测器，所述隔热层外周开设有用于安装若干所述磁场探测器的若干放置槽。2.根据权利要求1所述的拉晶装置，其特征在于，每个所述放置槽内均设置有多个磁场探测器，多个所述磁场探测器采用三种轴方向依次安装。3.根据权利要求2所述的拉晶装置，其特征在于，相邻所述磁场探测器之间依次间隔100mm安装在放置槽内。4.根...

【专利技术属性】
技术研发人员：冯睿超，赵言，金光勳，
申请(专利权)人：上海新昇半导体科技有限公司，
类型：新型
国别省市：