一种导流筒及单晶炉制造技术

本申请涉及一种导流筒及单晶炉，其中，所述导流筒包括筒体以及设置于所述筒体上端并径向向外延伸的环形支撑板；所述环形支撑板上设置有密封件，所述密封件包括设置在所述环形支撑板的上端面并与所述环形支撑板的上端面形成密封的第一密封环以及设置在所述第一密封环的径向外侧并向下延伸至所述环形支撑板的下端面的下方的第二密封环。本方案通过密封件的设置，既能确保导流筒与水冷屏的对中性，又能通过第一密封环和第二密封环确保导流筒与炉内盖板之间的密闭性，从而稳定炉内的生长环境，提高单晶硅的成晶率，极大的提高单晶炉的产能。的产能。的产能。

【技术实现步骤摘要】
一种导流筒及单晶炉


[0001]本申请涉及单晶炉设备
，特别是涉及一种导流筒及单晶炉。

技术介绍

[0002]在RCZ(复投直拉法)生产单晶硅的过程中，导流筒需要反复升降，其中在复投加料时需要将导流筒上升以避免导流筒占用装料空间，装料完成后需要将导流筒下降至热场的盖板上形成密封，防止漏热。在导流筒下降至盖板上时，导流筒整体被支撑在盖板上。
[0003]但是，单晶炉内的盖板易受到炉内热场的影响而发生偏斜，使得将导流筒放置在盖板上后，导流筒也会受到盖板的影响而偏斜，从而导致导流筒不对中，引起炉内的气流和热量不平衡，直接影响着单晶硅的正常生长。

技术实现思路

[0004]基于此，本技术提供了一种导流筒及单晶炉，以解决现有技术中导流筒易受盖板偏斜的影响发生偏斜，导致导流筒不对中的问题。
[0005]为了达到上述目的，本技术的技术方案如下：
[0006]一方面，本申请提供了一种导流筒，所述导流筒包括筒体以及设置于所述筒体上端并径向向外延伸的环形支撑板；
[0007]所述环形支撑板上设置有密封件，所述密封件包括设置在所述环形支撑板的上端面并与所述环形支撑板的上端面形成密封的第一密封环以及设置在所述第一密封环的径向外侧并向下延伸至所述环形支撑板的下端面的下方的第二密封环。
[0008]在其中一个实施例中，所述第一密封环与所述第二密封环的相接处设置有环形的应力释放沟。
[0009]在其中一个实施例中，所述应力释放沟为形成在所述第一密封环和所述第二密封环的相接处的底部并向下开口的环形槽。
[0010]在其中一个实施例中，所述环形支撑板的下端面与所述第二密封环的底面之间的高度差为3
‑
8mm。
[0011]在其中一个实施例中，所述第二密封环与所述第一密封环由石墨毡制成。
[0012]在其中一个实施例中，所述第一密封环的内径小于所述环形支撑板的外径，所述第一密封环的外径大于或等于所述环形支撑板的外径。
[0013]在其中一个实施例中，所述第二密封环的内径大于或等于所述环形支撑板的外径并且等于所述第一密封环的外径。
[0014]另一方面，本申请还提供了一种单晶炉，包括升降装置、与所述升降装置连接的水冷屏以及悬挂于所述水冷屏上的导流筒，所述导流筒为上述任一实施例所述的导流筒。
[0015]在其中一个实施例中，所述水冷屏上设置有挂持件，所述挂持件包括分别设置于所述水冷屏的每个冷却水管道上的挂板，所述挂板上设置有卡槽；所述导流筒上设置有悬挂件，所述悬挂件包括设置于所述导流筒的所述环形支撑板上并且与所述挂板一一对应的
挂杆，所述挂杆上端设置有限位头，其中所述挂杆穿设所述卡槽并且所述限位头卡在所述卡槽上方。
[0016]在其中一个实施例中，所述水冷屏的冷却水管道包括一个进水管道和两个回水管道，其中一个进水管道和两个出水管道沿周向均匀分布。
[0017]本方案的有益效果：本方案由于第二密封环的下端位于环形支撑板的下端面的下方，因此，当第二密封环的下端面与盖板接触时，环形支撑板还悬空位于盖板的上方，即导流筒的环形支撑板未与盖板形成接触，使导流筒脱离了炉内盖板的支撑，使其不再受盖板偏斜的影响，能够与单晶炉保持对中，保持炉内气流和热量平衡。同时，本方案通过密封件的设置，在确保导流筒与单晶炉的对中性的前提下，又能保证导流筒与炉内盖板之间的密闭性，稳定炉内的生长环境，提高单晶硅的成晶率，极大的提高单晶炉的产能。
附图说明
[0018]图1为本技术一实施例导流筒上设置有密封件的结构示意图；
[0019]图2为图1中A
‑
A的剖视图；
[0020]图3为本技术一实施例挂板与水冷屏的结构示意图；
[0021]图4为本技术一实施例导流筒与水冷屏配合的结构示意图；
[0022]图5为本技术一实施例挂杆与挂板的配合示意图。
[0023]说明书附图中的附图标记包括：1
‑
导流筒、101
‑
筒体、1011
‑
内筒体、1012
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外筒体、102
‑
环形支撑板、2
‑
密封件、201
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第一密封环、202
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第二密封环、203
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应力释放沟、3
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盖板、4
‑
挂杆、5
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限位头、6
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水冷屏、7
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挂板、8
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卡槽、9
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定位环、10
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防脱柱。
具体实施方式
[0024]为了使本申请的目的、技术方案及优点更加清楚明白，以下结合附图及实施例，对本申请进行进一步详细说明。应当理解，此处描述的具体实施例仅仅用以解释本申请，并不用于限定本申请。
[0025]需要说明的是，本实施例中所提供的图示仅以示意方式说明本技术的基本构想，遂图式中仅显示与本技术中有关的组件而非按照实际实施时的组件数目、形状及尺寸绘制，其实际实施时各组件的型态、数量及比例可为一种随意的改变，且其组件布局型态也可能更为复杂。
[0026]本说明书所附图式所绘示的结构、比例、大小等，均仅用以配合说明书所揭示的内容，以供熟悉此技术的人士了解与阅读，并非用以限定本技术可实施的限定条件，故不具技术上的实质意义，任何结构的修饰、比例关系的改变或大小的调整，在不影响本技术所能产生的功效及所能达成的目的下，均应仍落在本技术所揭示的
技术实现思路
得能涵盖的范围内。
[0027]本说明书中所引用的如“上”、“下”、“左”、“右”、“中间”、“纵向”、“横向”、“水平”、“内”、“外”、“径向”、“周向”等指示的方位或位置关系为基于附图所示的方位或位置关系，亦仅为了便于简化叙述，而不是指示或暗示所指的装置或元件必须具有特定的方位、以特定的方位构造和操作，因此不能理解为对本技术的限制。此外，术语“第一”、“第二”仅用于描述目的，而不能理解为指示或暗示相对重要性。
[0028]现有技术中，导流筒升降过程中，当下降至最低位置时会放置在盖板上，容易会到盖板偏斜的影响而偏斜，从而导致导流筒不对中，引起炉内的气流和热量不平衡。针对上述问题，本申请实施例提供了一种导流筒，使导流筒在下降至最低位置时脱离炉内盖板的支撑，进而避免偏斜的盖板影响导流筒的对中。
[0029]具体地，本申请至少一实施例提供一种导流筒，包括筒体以及设置于筒体上端并径向向外延伸的环形支撑板；
[0030]环形支撑板上设置有密封件，密封件包括设置在环形支撑板的上端面并与环形支撑板的上端面形成密封的第一密封环以及设置在第一密封环的径向外侧并向下延伸至环形支撑板的下端面的下方的第二密封环。
[0031]基于上述实施例提供的导流筒，在安装时，通过水冷屏带动导流筒下降至单晶炉中，直到本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种导流筒，其特征在于，所述导流筒(1)包括筒体(101)以及设置于所述筒体(101)上端并径向向外延伸的环形支撑板(102)；所述环形支撑板(102)上设置有密封件(2)，所述密封件(2)包括设置在所述环形支撑板(102)的上端面并与所述环形支撑板(102)的上端面形成密封的第一密封环(201)以及设置在所述第一密封环(201)的径向外侧并向下延伸至所述环形支撑板(102)的下端面的下方的第二密封环(202)。2.根据权利要求1所述的导流筒，其特征在于：所述第一密封环(201)与所述第二密封环(202)的相接处设置有环形的应力释放沟(203)。3.根据权利要求2所述的导流筒，其特征在于，所述应力释放沟(203)为形成在所述第一密封环(201)和所述第二密封环(202)的相接处的底部并向下开口的环形槽。4.根据权利要求1所述的导流筒，其特征在于：所述环形支撑板(102)的下端面与所述第二密封环(202)的下端面之间的高度差为3
‑
8mm。5.根据权利要求1所述的导流筒，其特征在于：所述第二密封环(202)与所述第一密封环(201)由石墨毡制成。6.根据权利要求1所述的导流筒，其特征在于：所述第一密封环(201)的内径小于...

【专利技术属性】
技术研发人员：李卓越，闫广宁，赵书良，
申请(专利权)人：包头晶澳太阳能科技有限公司，
类型：新型
国别省市：