一种铁电晶体管、存储阵列、存储器及制备方法技术

一种铁电晶体管、存储阵列、存储器及制备方法，用以降低铁电晶体管的占用面积。铁电晶体管包括依次层叠的栅极金属层、铁电介质层和沟道层，以及分别接触沟道层的漏极金属层和源极金属层，其中，栅极金属层、漏极金属层和源极金属层呈上下重叠排布且互不接触。通过部分重叠或全部重叠铁电晶体管中的各电极区域，能有效降低单个铁电晶体管的占用面积，有助于在固定面积的存储阵列中布局更多的铁电晶体管，有效提高存储阵列的存储密度。效提高存储阵列的存储密度。效提高存储阵列的存储密度。效提高存储阵列的存储密度。

【技术实现步骤摘要】
【国外来华专利技术】

【技术保护点】

【技术特征摘要】
【国外来华专利技术】

【专利技术属性】
技术研发人员：黄凯亮，景蔚亮，冯君校，王正波，
申请(专利权)人：华为技术有限公司，
类型：发明
国别省市：