一种抗干扰气隙铁氧体磁芯制造技术

本实用新型专利技术涉及一种抗干扰气隙铁氧体磁芯，涉及磁芯技术领域，解决了现有的磁芯屏蔽效果不佳，电流储存较小、电感不稳定的问题，包括基板，所述基板上端面沿着其宽度方向的两侧边缘均设置有磁柱，两个所述磁柱相对设置，所述基板上端面沿着其长度方向的两侧边缘均设置有屏蔽立柱，两个所述屏蔽立柱也相对设置，所述磁柱的高度小于所述屏蔽立柱的高度。具有较好的磁屏蔽效果，工作时减少磁芯对周边的其他电子产品的干扰，可减小磁导率、增大饱和电流、增大储存能量的能力、也可以减小剩磁的效果。果。果。

【技术实现步骤摘要】
一种抗干扰气隙铁氧体磁芯


[0001]本技术涉及磁芯
，特别是涉及一种抗干扰气隙铁氧体磁芯。

技术介绍

[0002]铁氧体磁芯，是一种高频导磁材料，常用于变压器等产品中，主要作用是屏蔽电磁噪声、增大导磁率、提高电感品质。
[0003]现有的专利公告号“CN203165628U”公告了一种锰锌铁氧体高阻抗磁芯， 由竖条1、顶条2、底条3组成，其特征在于：所述的顶条2通过竖条1与底条3固定连接。本技术的优点：结构简单，设计巧妙， 顶条通过竖条与底条固定连接， 该锰锌铁氧体磁芯设计成U 字型结构、 体积较小、 磁性较强、 能耗较低且抗干扰，应用范围广泛，使用本技术锰锌铁氧体高阻抗磁芯极大地节约了器件内的空间。
[0004]上述内容描述存在以下缺点，此U型的磁芯虽然具有结构简单，体积较小，但在实际工作中，其易对周边的其他电子产品的干扰，影响安装有此磁芯的设备的正常工作，除此之外，此结构的磁芯储存的电流较少，电感不稳定。

技术实现思路

[0005]本技术目的是要提供一种抗干扰气隙铁氧体磁芯，解决了现有的磁芯屏蔽效果不佳，电流储存较小、电感不稳定的问题。
[0006]为达到上述目的，本技术采用的技术方案是：
[0007]本技术提供了一种抗干扰气隙铁氧体磁芯，包括基板，所述基板上端面沿着其宽度方向的两侧边缘均设置有磁柱，两个所述磁柱相对设置，所述基板上端面沿着其长度方向的两侧边缘均设置有屏蔽立柱，两个所述屏蔽立柱也相对设置，所述磁柱的高度小于所述屏蔽立柱的高度。
[0008]进一步地，所述基板呈八边形设置。
[0009]进一步地，所述磁柱呈腰形设置。
[0010]进一步地，两个所述屏蔽立柱相对的侧面呈平面设置。
[0011]进一步地，所述屏蔽立柱与所述磁柱相对的面设置成与磁柱的外圆面相吻合的弧形面。
[0012]进一步地，所述屏蔽立柱与所述磁柱之间具有间隙。
[0013]进一步地，所述基板、磁柱以及屏蔽立柱为一体成型结构设置。
[0014]由于上述技术方案运用，本技术与现有技术相比具有下列优点：
[0015]本技术的一种抗干扰气隙铁氧体磁芯，包括基板，基板上端面沿着其宽度方向的两侧边缘均设置有磁柱，两个磁柱相对设置，基板上端面沿着其长度方向的两侧边缘均设置有屏蔽立柱，两个屏蔽立柱也相对设置，通过设置屏蔽立柱起到磁屏蔽的作用，工作时减少磁芯对周边的其他电子产品的干扰，保证安装有此磁芯的设备的正常工作；
[0016]通过将磁柱的高度小于屏蔽立柱的高度的设置，使磁芯增加气隙，通过开气隙可
减小磁导率、增大饱和电流、增大储存能量的能力、也可以减小剩磁。
[0017]进一步的，两个屏蔽立柱相对的侧面呈平面设置，方便对此磁芯的加工，在加工时，屏蔽立柱不易损坏，提高此磁芯的成品率。
附图说明
[0018]后文将参照附图以示例性而非限制性的方式详细描述本技术的一些具体实施例。附图中相同的附图标记标示了相同或类似的部件或部分。本领域技术人员应该理解，这些附图未必是按比例绘制的。附图中：
[0019]图1是本技术实施例中的整体结构示意图；
[0020]图2是本技术实施例中的整体结构俯视图；
[0021]图3是本技术实施例中的两个磁芯配合的剖视图。
[0022]其中，附图标记说明如下：
[0023]1、基板；2、磁柱；3、屏蔽立柱；4、间隙。
具体实施方式
[0024]下面将结合附图对本技术的技术方案进行清楚、完整地描述，显然，所描述的实施例是本技术一部分实施例，而不是全部的实施例。基于本技术中的实施例，本领域普通技术人员在没有做出创造性劳动前提下所获得的所有其他实施例，都属于本技术保护的范围。
[0025]在本技术的描述中，需要说明的是，术语“中心”、“上”、“下”、“左”、“右”、“竖直”、“水平”、“内”、“外”等指示的方位或位置关系为基于附图所示的方位或位置关系，仅是为了便于描述本技术和简化描述，而不是指示或暗示所指的装置或元件必须具有特定的方位、以特定的方位构造和操作，因此不能理解为对本技术的限制。此外，术语“第一”、“第二”、“第三”仅用于描述目的，而不能理解为指示或暗示相对重要性。
[0026]此外，下面所描述的本技术不同实施方式中所涉及的技术特征只要彼此之间未构成冲突就可以相互结合。
[0027]参考图1、图2和图3，为本技术提供一种抗干扰气隙铁氧体磁芯，包括基板1，基板1上端面沿着其宽度方向的两侧边缘均设置有磁柱2，两个磁柱2相对设置，磁柱2呈腰形设置，基板1上端面沿着其长度方向的两侧边缘均设置有屏蔽立柱3，两个屏蔽立柱3也相对设置，通过设置屏蔽立柱3起到磁屏蔽的作用，工作时减少磁芯对周边的其他电子产品的干扰，保证安装有此磁芯的设备的正常工作；磁柱2的高度小于屏蔽立柱3的高度，在实际工作中是两个磁芯配合使用，通过将磁柱2的高度小于屏蔽立柱3的高度，使磁芯增加气隙，通过开气隙可减小磁导率、增大饱和电流、增大储存能量的能力、也可以减小剩磁。基板1、磁柱2以及屏蔽立柱3为一体成型结构设置，方便对此磁芯的加工制造。
[0028]参考图1、图2和图3，基板1呈八边形设置，在保证磁路连通均匀的情况下，减少加工磁芯材料的使用，降低生产成本。两个屏蔽立柱3相对的侧面呈平面设置，方便对此磁芯的加工，在加工时，屏蔽立柱3不易损坏，提高此磁芯的成品率。屏蔽立柱3与磁柱2相对的面设置成与磁柱2的外圆面相吻合的弧形面，可以使缠绕在磁柱2上的导线与屏蔽立柱3的侧面贴合的更加紧密。屏蔽立柱3与磁柱2之间具有间隙4，当磁芯长时间工作，其易产生大量
的热量，此时产生的热量可从屏蔽立柱3与磁柱2之间的间隙4中散发，保证磁芯的正常工作。
[0029]综上所述：此结构的磁芯结构简单，方便加工，安装简便，且通过设置屏蔽立柱3起到磁屏蔽的作用，工作时减少磁芯对周边的其他电子产品的干扰，保证安装有此磁芯的设备的正常工作；磁柱2的高度小于屏蔽立柱3的高度，在实际工作中是两个磁芯配合使用，通过将磁柱2的高度小于屏蔽立柱3的高度，使磁芯增加气隙，通过开气隙可减小磁导率、增大饱和电流、增大储存能量的能力、也可以减小剩磁。基板1、磁柱2以及屏蔽立柱3为一体成型结构设置，方便对此磁芯的加工制造。
[0030]上述实施例只为说明本技术的技术构思及特点，其目的在于让熟悉此项技术的人士能够了解本技术的内容并据以实施，并不能以此限制本技术的保护范围，凡根据本技术精神实质所作的等效变化或修饰，都应涵盖在本技术的保护范围之内。
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【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种抗干扰气隙铁氧体磁芯，包括基板（1），其特征在于，所述基板（1）上端面沿着其宽度方向的两侧边缘均设置有磁柱（2），两个所述磁柱（2）相对设置，所述基板（1）上端面沿着其长度方向的两侧边缘均设置有屏蔽立柱（3），两个所述屏蔽立柱（3）也相对设置，所述磁柱（2）的高度小于所述屏蔽立柱（3）的高度。2.根据权利要求1所述的抗干扰气隙铁氧体磁芯，其特征在于，所述基板（1）呈八边形设置。3.根据权利要求1或2所述的抗干扰气隙铁氧体磁芯，其特征在于，所述磁柱（2）呈腰形设置。4.根据权...

【专利技术属性】
技术研发人员：崔冯兴，卜简，
申请(专利权)人：苏州天源磁业股份有限公司，
类型：新型
国别省市：