一种硅晶片镀膜装置上腔体提升机构制造方法及图纸

本实用新型专利技术公开了一种硅晶片镀膜装置上腔体提升机构，包括架体和提升装置；所述架体为中空框架结构，所述架体内设有上腔体和下腔体；所述提升装置包括动力装置、传动装置、丝杠和与所述丝杠配合的螺母；所述动力装置设于所述架体顶部，且通过所述传动装置与所述丝杠连接；所述上腔体上固定有提升柱，所述提升柱固定设有所述螺母，所述提升柱能够与所述丝杠沿轴向相对运动；所述架体设有滑轨，所述上腔体安装有与所述滑轨配合的滑块，所述滑轨与所述丝杠方向相同，在检维修工作中通过该装置辅助提升上腔体，提高了工作效率的同时保证了工作安全。安全。安全。

【技术实现步骤摘要】
一种硅晶片镀膜装置上腔体提升机构


[0001]本技术涉及半导体芯片制造
，尤其涉及一种硅晶片镀膜装置上腔体提升机构。

技术介绍

[0002]在半导体行业中，半导体芯片产业是信息技术产业群的核心和基础，是信息技术的重要保障，半导体芯片制造工艺流程复杂，其中薄膜制备工艺在制造中有着非常广泛的应用，薄膜制备过程中通过等离子增强型CVD(PECVD)淀积的薄膜具有优良的电学性能、良好的衬底附着性以及极佳的台阶覆盖性，正由于这些优点使其在超大规模集成电路、光电器件、MEMS等领域具有广泛的应用。
[0003]PECVD借助微波或射频等含有薄膜组成原子的气体电力，在局部形成等离子体，等离子体的化学活性很强，容易发生反应，进而在衬底上沉积出所需薄膜。PECVD工艺腔体在进行检维修时，上腔体与下腔体需要分离，由于上腔体重量大，不便于提升，因此需要一种能够稳定提升上腔体的提升机构，方便检维修工作进行同时保证后续合模时硅片工位对接准确，进一步保证多个硅片表面沉积薄膜的均匀性。

技术实现思路

[0004]本技术提供一种硅晶片镀膜装置上腔本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种硅晶片镀膜装置上腔体提升机构，其特征在于，包括架体(1)和提升装置(2)；所述架体(1)为中空框架结构，所述架体(1)内设有上腔体(3)和下腔体(4)；所述提升装置(2)包括动力装置(21)、传动装置(22)、丝杠(23)和与所述丝杠配合的螺母(24)；所述动力装置(21)设于所述架体(1)顶部，且通过所述传动装置(22)与所述丝杠(23)连接；所述上腔体(3)上固定有提升柱(25)，所述提升柱(25)固定设有所述螺母(24)，所述提升柱(25)能够与所述丝杠(23)沿轴向相对运动；所述架体(1)设有滑轨(5)，所述上腔体(3)安装有与所述滑轨(5)配合的滑块(6)，所述滑轨(5)与所述丝杠(23)方向相同。2.根据权利要求1所述的一种硅晶片镀膜装置上腔体提升机构，其特征在于，所述动力装置(21)包括伺服电机(211)与减速机(212)，所述伺服电机(211)与所述减速机(212)连接；所述传动装置(22)包括换向器(221)、光轴(222)和提升机(223)；所述光轴(222)包括第一光轴(222a)与第二光轴(222b)，所述第一光轴(222a)与所述第二光轴(222b)设置在所述架体(1)的顶部并相互垂直，所述提升机(223)包括第一提升机(223a)与第二提升机(223b)，所述第一提升机(223a)与所述第二提升机(223b)设置在所述架体(1)顶部的对角端上，所述减速机(212)包括第一输出端和第二输出端，所述第一输出端通过所述第一光轴(222a)与所述第一提升机(223a)连接，所述第二输出端通过所述换向器(221)、所述第二光轴(222b)与所述第二提升机(223b)连接；所述丝杠(23)包括第一丝杠(23a)和第二丝杠(23b)，所述提升柱(25)包括第一提升柱(25a)和第二提升柱(25b)；所述第一提升机(223a)...

【专利技术属性】
技术研发人员：包驷璋，徐家庆，唐丽娜，
申请(专利权)人：大连皓宇电子科技有限公司，
类型：新型
国别省市：