一种封装结构及其形成方法、封装系统技术方案

本公开提供了一种封装结构及其形成方法、封装系统，所述封装结构包括：沿第一方向堆叠排布的第一半导体结构和第二半导体结构；所述第一半导体结构接近所述第二半导体结构的一侧包括第一键合层；所述第二半导体结构接近所述第一半导体结构的一侧包括第二键合层；所述第一键合层和所述第二键合层构成混合键合层；所述第一半导体结构和/或所述第二半导体结构包括散热通道；所述散热通道至少部分位于所述混合键合层内；所述散热通道与冷却装置连接。所述散热通道与冷却装置连接。所述散热通道与冷却装置连接。

【技术实现步骤摘要】
一种封装结构及其形成方法、封装系统


[0001]本公开涉及半导体
，尤其涉及一种封装结构及其形成方法、封装系统。

技术介绍

[0002]为了进一步提高芯片封装的集成度，已提出通过三维集成技术(3DIC)使芯片在垂直方向上堆叠，并利用混合键合(Hybrid Bonding)实现芯片之间的高密度互连。
[0003]然而，通过混合键合得到的封装结构中芯片一般采用面对面的堆叠方式，相互键合的两个芯片在远离混合键合层的方向上都具有导热系数较小的层，导致封装结构的散热效率较低，进而会对芯片的性能造成负面影响。

技术实现思路

[0004]有鉴于此，本公开实施例为解决现有技术中存在的至少一个问题而提供一种封装结构及其形成方法、封装系统。
[0005]为达到上述目的，本公开实施例的技术方案是这样实现的：
[0006]第一方面，本公开实施例提供一种封装结构，包括：
[0007]沿第一方向堆叠排布的第一半导体结构和第二半导体结构；所述第一半导体结构接近所述第二半导体结构的一侧包括第一键合层；所述第二半导体结构接近本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种封装结构，其特征在于，包括：沿第一方向堆叠排布的第一半导体结构和第二半导体结构；所述第一半导体结构接近所述第二半导体结构的一侧包括第一键合层；所述第二半导体结构接近所述第一半导体结构的一侧包括第二键合层；所述第一键合层和所述第二键合层构成混合键合层；所述第一半导体结构和/或所述第二半导体结构包括散热通道；所述散热通道至少部分位于所述混合键合层内；所述散热通道与冷却装置连接。2.根据权利要求1所述的封装结构，其特征在于，所述第一半导体结构在所述第一方向上远离所述混合键合层的一侧包括第一衬底，所述第二半导体结构在所述第一方向上远离所述混合键合层的一侧包括第二衬底，所述第一衬底的导热系数和所述第二衬底的导热系数均小于所述混合键合层的导热系数。3.根据权利要求1所述的封装结构，其特征在于，所述散热通道包括通道入口和通道出口，所述冷却装置包括接入管和接出管；所述通道入口与所述接入管连接，所述通道出口与所述接出管连接；所述冷却装置通过所述接入管向所述散热通道输送冷却气体或者冷却液体，并通过所述接出管将流经所述散热通道的所述冷却气体或者所述冷却液体回收。4.根据权利要求3所述的封装结构，其特征在于，所述封装结构还包括：位于所述第一半导体结构和所述第二半导体结构外侧且与所述第一半导体结构和/或所述第二半导体结构接触的散热管道；所述散热管道包括管道入口和管道出口，所述管道入口和所述管道出口分别与所述通道入口和所述通道出口连接。5.根据权利要求3所述的封装结构，其特征在于，所述散热通道包括多个延伸部分，所述多个延伸部分在所述第一方向上高度相同；所述通道入口与所述通道出口在所述第一方向上的高度相同。6.根据权利要求3所述的封装结构，其特征在于，所述散热通道包括多个延伸部分，所述多个延伸部分在所述第一方向上的高度不同；所述通道入口与所述通道出口在所述第一方向上的高度不同。7.根据权利要求6所述的封装结构，其特征在于，所述通道入口和所述通道出口中的一者位于所述封装结构的多面中与所述第一方向垂直的一面，所述通道入口和所述通道出口中的另一者位于所述封装结构的多面中与所述第一方向平行的一面；或，所述通道入口和所述通道出口均位于所述封装结构的多面中与所述第一方向平行的一面。8.根据权利要求1所述的封装结构，其特征在于，所述散热通道在所述第一方向上的尺寸范围为0.5微米至5毫米。9.一种封装结构的形成方法，...

【专利技术属性】
技术研发人员：王俊文，宋倩倩，华文宇，洪齐元，
申请(专利权)人：芯盟科技有限公司，
类型：发明
国别省市：