真空泵和其旋转体制造技术

本发明专利技术提供一种能够有效地防止旋转体的应力腐蚀破裂、耐腐蚀性优异的真空泵和其旋转体。在通过旋转体(103)的旋转将气体排出的真空泵(例如涡轮分子泵(100))中，旋转体(103)在其表面具有被第1表面处理层(1A)覆盖的第1区域(1)和被第2表面处理层(2A)覆盖的第2区域(2)；第1区域(1)和第2区域(2)之间的边界部(3)有各自的表面处理层(1A、2A)重叠的区域。2A)重叠的区域。2A)重叠的区域。

【技术实现步骤摘要】
【国外来华专利技术】真空泵和其旋转体


[0001]本专利技术涉及作为半导体制造装置、平板显示器制造装置、太阳能面板制造装置中的工艺腔室或其他腔室的气体排出机构使用的真空泵和其旋转体，特别涉及能够有效地防止旋转体的应力腐蚀破裂、耐腐蚀性优异的真空泵和其旋转体。

技术介绍

[0002]以往，作为这种真空泵，已知有例如在专利文献1中记载的涡轮分子泵。同文献的涡轮分子泵(以下称作“以往的真空泵”)为通过具备多个旋转叶片(动叶片12)的旋转体(泵转子10)的旋转将气体排出的构造。
[0003]另外，在以往的真空泵中，欲通过在旋转体(泵转子10)的表面上设置黑Ni镀层的表面处理层(S1)和Ni镀层的表面处理层(S4)，而在旋转体表面的放射率上设计差异，并且防止由工艺气体造成的旋转体的腐蚀。
[0004]但是，根据以往的真空泵，在黑Ni镀层的表面处理层(S1)与Ni镀层的表面处理层(S4)之间的边界部，存在旋转体(泵转子10)的母材露出的区域(S5)等，而对这样的边界部处的母材并未采取任何防腐蚀对策，不能有效地防止旋转体的应力腐蚀破裂，不能说耐腐蚀性优异。
[0005]现有技术文献
[0006]专利文献
[0007]专利文献1：日本特开2015
‑
229949号

技术实现思路

[0008]专利技术要解决的技术问题
[0009]本专利技术是为了解决前述问题而做出的，其目的是提供一种能够有效地防止旋转体的应力腐蚀破裂、耐腐蚀性优异的真空泵和其旋转体。
[0010]用来解决技术问题的手段
[0011]为了达成前述目的，本专利技术在借助旋转体的旋转将气体排出的真空泵中，其特征在于，前述旋转体在其表面具有被第1表面处理层覆盖的第1区域和被第2表面处理层覆盖的第2区域；前述第1区域和前述第2区域之间的边界部有各自的表面处理层重叠的区域。
[0012]在前述本专利技术中，其特征也可以在于，前述旋转体为在圆筒部的外周部形成有旋转叶片的形状；前述边界部位于前述圆筒部的内表面。
[0013]在前述本专利技术中，其特征也可以在于，前述边界部位于前述圆筒部的内表面的端部附近。
[0014]在前述本专利技术中，其特征也可以在于，在前述旋转体的中心，经由紧固部安装着转子轴；在前述紧固部，为前述转子轴的末端部与前述旋转体侧的第1孔嵌合的状态；前述边界部位于前述第1孔的开口边缘部或其周围。
[0015]在前述本专利技术中，其特征也可以在于，在与前述第1孔的前述开口边缘部或其周围
对置的部件的面上，设置有与前述边界部对应的避让部。
[0016]在前述本专利技术中，其特征也可以在于，在前述旋转体的中心设置有用于供转子轴的末端部嵌合的第1孔；在前述第1孔的内表面没有前述边界部。
[0017]在前述本专利技术中，其特征也可以在于，在前述旋转体的中心，经由紧固部安装着转子轴；在前述紧固部，为用来将前述旋转体与前述转子轴紧固的螺栓被从前述旋转体侧的第2孔插入的状态；前述边界部位于前述第2孔的内表面。
[0018]在前述本专利技术中，其特征也可以在于，前述第1区域设置在前述圆筒部的外表面及前述旋转叶片的表面；前述第2区域设置在前述圆筒部的内表面。
[0019]在前述本专利技术中，其特征也可以在于，前述第2表面处理层与前述第1表面处理层相比放射率较高。
[0020]此外，本专利技术是将气体排出的真空泵的旋转体，其特征在于，前述旋转体在其表面具有被第1表面处理层覆盖的第1区域和被第2表面处理层覆盖的第2区域，前述第1区域和前述第2区域之间的边界部有各自的表面处理层重叠的区域。
[0021]专利技术效果
[0022]在本专利技术中，作为真空泵和其旋转体的具体的结构，采用旋转体在其表面具有被第1表面处理层覆盖的第1区域和被第2表面处理层覆盖的第2区域、第1区域和第2区域之间的边界部有各自的表面处理层重叠的区域的结构，所以旋转体的母材在边界部不露出，在几乎没有露出的母材暴露在腐蚀性气体中的情况这一点上，能够有效地防止旋转体的应力腐蚀破裂，能够提供耐腐蚀性优异的真空泵和其旋转体。
附图说明
[0023]图1是应用了有关本专利技术的真空泵的涡轮分子泵的纵剖视图。
[0024]图2是放大器电路的电路图。
[0025]图3是表示电流指令值比检测值大的情况下的控制的时序图。
[0026]图4是表示电流指令值比检测值小的情况下的控制的时序图。
[0027]图5(a)是构成图1的涡轮分子泵的旋转体和转子轴的说明图，图5(b)是图5(a)中的A向视图。
[0028]图6(a)是在图1的涡轮分子泵中采用的表面处理结构的说明图，图6(b)是图6(a)中的B部的放大图，图6(c)是图6(a)中的C部的放大图。
[0029]图7是图1的D部的放大图。
具体实施方式
[0030]图1是应用了有关本专利技术的真空泵的涡轮分子泵的纵剖视图，图2是放大器电路的电路图，图3是表示电流指令值比检测值大的情况下的控制的时序图，图4是表示电流指令值比检测值小的情况下的控制的时序图。
[0031]参照图1，在该图的涡轮分子泵100中，在圆筒状的外筒127的上端形成有吸气101。并且，在外筒127的内侧具备旋转体103，所述旋转体103在周部以放射状且多级地形成有用来将气体抽吸和排出的作为涡轮扇叶的多个旋转叶片102(102a、102b、102c
…
)。作为该旋转体103的具体的结构例，在图1的涡轮分子泵100中，该旋转体103为在第1圆筒部102e的外
周部形成有旋转叶片102的形状(参照图5(a))。
[0032]在旋转体103的中心经由紧固部CN安装着转子轴113，转子轴113例如由5轴控制的磁轴承悬浮支承在空中并进行位置控制。旋转体103一般由铝或铝合金等金属构成。
[0033]作为磁轴承的具体的结构例，在图1的涡轮分子泵100中，上侧径向电磁铁104在X轴和Y轴上成对而配置有4个电磁铁。与该上侧径向电磁铁104接近，并且与上侧径向电磁铁104分别对应，具备4个上侧径向传感器107。上侧径向传感器107使用例如具有传导线圈的电感传感器或涡电流传感器等，基于对应于转子轴113的位置而变化的该传导线圈的电感的变化来检测转子轴113的位置。该上侧径向传感器107构成为，检测转子轴113即固定于其上的旋转体103的径向位移并向控制装置200发送。
[0034]在控制装置200中，例如具有PID调节功能的补偿电路基于由上侧径向传感器107检测到的位置信号，生成上侧径向电磁铁104的励磁控制指令信号，图2所示的放大器电路150(后述)通过基于该励磁控制指令信号对上侧径向电磁铁104进行励磁控制，调整转子轴113的上侧的径向位置。
[0035]转子轴113由高透磁率材料(铁、不锈钢等)等形成，被上侧径向电磁铁104的磁力吸引。该调整在X轴方向和Y轴方向上分别独立地进行。此外，下侧径向电磁铁105及下侧径向传感器108与本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
【国外来华专利技术】1.一种真空泵，借助旋转体的旋转将气体排出，其特征在于，前述旋转体在其表面具有被第1表面处理层覆盖的第1区域和被第2表面处理层覆盖的第2区域；前述第1区域和前述第2区域之间的边界部有各自的表面处理层重叠的区域。2.如权利要求1所述的真空泵，其特征在于，前述旋转体为在圆筒部的外周部形成有旋转叶片的形状；前述边界部位于前述圆筒部的内表面。3.如权利要求2所述的真空泵，其特征在于，前述边界部位于前述圆筒部的内表面的端部附近。4.如权利要求1所述的真空泵，其特征在于，在前述旋转体的中心，经由紧固部安装着转子轴；在前述紧固部，为前述转子轴的末端部与前述旋转体侧的第1孔嵌合的状态；前述边界部位于前述第1孔的开口边缘部或其周围。5.如权利要求4所述的真空泵，其特征在于，在与前述第1孔的前述开口边缘部或其周围对置的部件的面上，设置有与前述边界部对应的避让部。6.如权利要求1所述的真空泵，其特征在...

【专利技术属性】
技术研发人员：三轮田透，坂口祐幸，
申请(专利权)人：埃地沃兹日本有限公司，
类型：发明
国别省市：