【技术实现步骤摘要】
一种低频微波热法制大片高质量二维纳米片的方法
[0001]本专利技术属于二维材料制备领域，具体的说是涉及一种低频微波热法制大片高质量二维纳米片的方法。
技术介绍
[0002]纳米材料是指材料在某一维、二维或三维方向上的尺度达到纳米尺度，纳米材料可以分为零维材料、一维材料、二维材料、三维材料。二维材料是指电子仅可在两个维度的纳米尺度(1
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100nm)上平面运动的材料，如纳米薄膜。二维材料因其载流子迁移和热量扩散都被限制在二维平面内，使得这种材料展现出许多奇特的性质，其带隙可调的特性在场效应管、光电器件、热电器件等领域应用广泛。
[0003]现有的二维纳米材料在采用插层处理时，分离生成二维纳米材料效果较差，不能有效的对二维纳米片进行大面积的制备，同时一般生成后的二维纳米片表面较为粗糙，实用效果较差，不能有效投入使用的问题，并且现有技术中二维材料纳米片制备工艺复杂、成本高、难以实现大规模生产的问题。
技术实现思路
[0004]为了解决现有技术中提出的问题，本专利技术提供了一种低频微波热法...
【技术保护点】
【技术特征摘要】
1.一种低频微波热法制大片高质量二维纳米片的方法，其特征在于：该方法通过采用低频微波辅助法对无机层状材料进行插层剥离，具体包括如下步骤：步骤1、将无机层状材料与插层剂混合，加热搅拌；步骤2、在加热搅拌插层剂过程中加入低频微波处理，使插层剂迅速均匀分散在无机层状材料内，所述插层剂含阳离子；步骤3、冷却至室温后用稀释剂稀释；步骤4、采用超声震荡对插层对步骤3的得到的材料进行剥离；步骤5、用去离子水洗涤3
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6次,离心提纯；步骤6、用分子膜过滤获得大片高质量二维纳米片材料。2.根据权利要求1所述的一种低频微波热法制大片高质量二维纳米片的方法，其特征在于：步骤2中微波处理功率为200MHz
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600MHz，处理时间为0.5
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2h。3.根据权利要求1或2所述的一种低频微波热法制大片高质量二维纳米片的方法，其特征在于：步骤6制备的大片高质量二维纳米片单层厚度为1.5
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5nm，长宽均为95
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105nm。4.根据权利要求3所述的一种低频微波热法制大片高质量二维纳米片的方法，其特征在于：步骤1中，所述无机层状材料与插层剂混...
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