比较器电路、集成电路和电子设备制造技术

本发明专利技术公开一种比较器电路、集成电路和电子设备，比较器电路包括：信号输入端，用于接入外部信号；基准电压产生电路，基准电压产生电路的第一输入端用于接入电源，基准电压产生电路的第二输入端与信号输入端连接，基准电压产生电路用于产生基准电压，并根据基准电压和外部信号产生第一电流信号和第二电流信号并输出；比较电路，比较电路的输入端与基准电压产生电路的输出端连接，比较电路用于比较第一电流信号和第二电流信号之间的大小，并输出对应的比较信号。本发明专利技术技术方案旨在简化比较器电路的结构，降低比较器电路的整体功耗。降低比较器电路的整体功耗。降低比较器电路的整体功耗。

【技术实现步骤摘要】
比较器电路、集成电路和电子设备


[0001]本专利技术涉及比较器领域，特别涉及一种比较器电路、集成电路和电子设备。

技术介绍

[0002]在集成电路中，电压比较器常用在上电复位、过压检测、欠压检测、欠压锁定、过压保护、过流保护、过温保护等电路模块中，这些电路模块对功率集成电路、后级电路系统起保护作用。
[0003]在现有的电路技术中，大多数用在上电复位、过压检测、欠压检测等电路中的电压比较器，均采用独立的基准电压产生电路产生基准电压，再通过独立的比较器比较采样电压和基准电压，因此现有的电压比较器具有较大的静态功耗和动态功耗，具有较多的器件数目，也因此增大了芯片的有效面积。

技术实现思路

[0004]本专利技术的主要目的是提出一种比较器电路、集成电路和电子设备，旨在简化比较器电路的结构，降低比较器电路的整体功耗。
[0005]为实现上述目的，本专利技术提出一种比较器电路，包括：信号输入端，用于接入外部信号；基准电压产生电路，所述基准电压产生电路的第一输入端用于接入电源，所述基准电压产生电路的第二输入端与所述信号输入端连接，所述基准电压产生电路用于产生基准电压，并根据所述基准电压和所述外部信号产生第一电流信号和第二电流信号并输出；比较电路，所述比较电路的输入端与所述基准电压产生电路的输出端连接，所述比较电路用于比较所述第一电流信号和所述第二电流信号之间的大小，并输出对应的比较信号。
[0006]可选地，所述比较电路的数量为多个，每一所述比较电路的输入端与所述基准电压产生电路的输出端连接，多个所述比较电路与多个预设标准一一对应比较所述第一电流信号和所述第二电流信号，并输出多个比较信号。
[0007]可选地，所述基准电压产生电路包括第一PMOS管、第二PMOS管、第一三极管、第二三极管、第一电阻和第二电阻，所述第一PMOS管的源极和所述第二PMOS管的源极互连，且为所述基准电压产生电路的第一输入端，所述第一PMOS管的栅极、所述第一PMOS管的漏极和所述第一三极管的集电极互连，所述第二PMOS管的栅极、所述第二PMOS管的漏极和所述第二三极管的集电极互连，所述第一三极管的基极和所述第二三极管的基极与所述信号输入端连接，所述第一三极管的发射极、所述第二电阻的第一端和所述第一电阻的第一端互连，所述第二三极管的发射极与所述第二电阻的第二端连接，所述第一电阻的第二端接地；其中，所述第一三极管和所述第二三极管的数量比为1:N，N为大于等于2的正整数。
[0008]可选地，所述基准电压产生电路具有第一输出端和第二输出端，所述第一输出端
用于输出所述第一电流信号，所述第二输出端用于输出所述第二电流信号，所述比较电路包括：第一支路，所述第一支路的输入端与所述基准电压产生电路的第二输出端连接，所述第一支路用于复制并输出所述第二电流信号；第二支路，所述第二支路的第一输入端与所述基准电压产生电路的第一输出端连接，所述第二支路用于复制并输出所述第一电流信号；所述第一电流信号的电流值小于所述第二电流信号的电流值时，输出第一比较信号为低电平，所述第一电流信号的电流值大于或等于所述第二电流信号的电流值时，输出第二比较信号为高电平。
[0009]可选地，所述第一支路包括：一级镜像电路，所述一级镜像电路的输入端与所述基准电压产生电路的第二输出端连接，所述一级镜像电路用于以第一比例复制并输出所述第二电流信号；二级镜像电路，所述二级镜像电路的输入端与所述一级镜像电路的输出端连接，所述二级镜像电路用于以第二比例复制并输出所述一级镜像电路输出的第二电流信号。
[0010]可选地，所述第一支路包括第一NMOS管、第二NMOS管和第三PMOS管，所述第二支路包括第四PMOS管，所述第三PMOS管的源极和所述第四PMOS管的源极用于接入电源，所述第三PMOS管的栅极为所述第一支路的输入端，所述第一NMOS管的漏极、所述第一NMOS管的栅极、所述第二NMOS管的栅极和所述第三PMOS管的漏极互连，所述第二NMOS管的漏极为所述第一支路的输出端，所述第四PMOS管的漏极为所述第二支路的输出端，所述第四PMOS管的栅极为所述第二支路的输入端，所述第一NMOS管的源极和所述第二NMOS管的源极接地。
[0011]可选地，所述比较器电路还包括：电流补偿电路，所述电流补偿电路的输入端用于接入电源，所述电流补偿电路的输出端与所述基准电压产生电路的电流输入端连接，所述电流补偿电路用于产生并输出补偿电流至所述基准电压产生电路。
[0012]可选地，所述电流补偿电路包括第五PMOS管和第六PMOS管，所述五PMOS管的源极和所述第六PMOS管的源极用于接入电源，所述第五PMOS管的栅极、所述第六PMOS管的栅极、所述第六PMOS管的漏极互连，所述第五PMOS管的漏极为所述电流补偿电路的输出端。
[0013]本专利技术还提出一种集成电路，包括如上所述的比较器电路。
[0014]本专利技术还提出一种电子设备，包括如上所述的集成电路。
[0015]本专利技术技术方案通过信号输入端、基准电压产生电路和比较电路构成比较器电路，其中，信号输入端可以接入外部信号；基准电压产生电路的输入端与信号输入端连接，基准电压产生电路可以用于产生基准电压，并根据基准电压和外部信号输出第一电流信号和第二电流信号；比较电路的输入端与基准电压产生电路的输出端连接，比较电路则可以根据预设标准比较第一电流信号和第二电流信号，并输出比较信号。本专利技术旨在简化比较器电路的结构，降低比较器电路的整体功耗。
附图说明
[0016]为了更清楚地说明本专利技术实施例或现有技术中的技术方案，下面将对实施例或现有技术描述中所需要使用的附图作简单地介绍，显而易见地，下面描述中的附图仅仅是本
专利技术的一些实施例，对于本领域普通技术人员来讲，在不付出创造性劳动的前提下，还可以根据这些附图示出的结构获得其他的附图。
[0017]图1为本专利技术比较器电路一实施例的功能模块示意图；图2为本专利技术比较器电路一实施例的电路结构示意图；图3为本专利技术比较器电路另一实施例的电路结构示意图；图4为本专利技术比较器电路又一实施例的电路结构示意图。
[0018]附图标号说明：本专利技术目的的实现、功能特点及优点将结合实施例，参照附图做进一步说明。
具体实施方式
[0019]下面将结合本专利技术实施例中的附图，对本专利技术实施例中的技术方案进行清楚、完整地描述，显然，所描述的实施例仅仅是本专利技术的一部分实施例，而不是全部的实施例。基于本专利技术中的实施例，本领域普通技术人员在没有作出创造性劳动前提下所获得的所有其他实施例，都属于本专利技术保护的范围。
[0020]需要说明，若本专利技术实施例中有涉及方向性指示（诸如上、下、左、右、前、后
……
），则该方向性指示仅用于解释在某一特定姿态（如附图所示）下各部件之间的相对位置关系、运动情况等，如果该特定姿态发生改变时，则该方向性指示也相应地随之改变。
[0021]另外，若本专利技术实施例中有涉及“第一”、“第二”等的描述，则本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种比较器电路，其特征在于，包括：信号输入端，用于接入外部信号；基准电压产生电路，所述基准电压产生电路的第一输入端用于接入电源，所述基准电压产生电路的第二输入端与所述信号输入端连接，所述基准电压产生电路用于产生基准电压，并根据所述基准电压和所述外部信号产生第一电流信号和第二电流信号并输出；比较电路，所述比较电路的输入端与所述基准电压产生电路的输出端连接，所述比较电路用于比较所述第一电流信号和所述第二电流信号之间的大小，并输出对应的比较信号。2.如权利要求1所述的比较器电路，其特征在于，所述比较电路的数量为多个，每一所述比较电路的输入端与所述基准电压产生电路的输出端连接，多个所述比较电路与多个预设标准一一对应比较所述第一电流信号和所述第二电流信号，并输出多个比较信号。3.如权利要求1所述的比较器电路，其特征在于，所述基准电压产生电路包括第一PMOS管、第二PMOS管、第一三极管、第二三极管、第一电阻和第二电阻，所述第一PMOS管的源极和所述第二PMOS管的源极互连，且为所述基准电压产生电路的第一输入端，所述第一PMOS管的栅极、所述第一PMOS管的漏极和所述第一三极管的集电极互连，所述第二PMOS管的栅极、所述第二PMOS管的漏极和所述第二三极管的集电极互连，所述第一三极管的基极和所述第二三极管的基极与所述信号输入端连接，所述第一三极管的发射极、所述第二电阻的第一端和所述第一电阻的第一端互连，所述第二三极管的发射极与所述第二电阻的第二端连接，所述第一电阻的第二端接地；其中，所述第一三极管和所述第二三极管的数量比为1:N，N为大于等于2的正整数。4.如权利要求1所述的比较器电路，其特征在于，所述基准电压产生电路具有第一输出端和第二输出端，所述第一输出端用于输出所述第一电流信号，所述第二输出端用于输出所述第二电流信号，所述比较电路包括：第一支路，所述第一支路的输入端与所述基准电压产生电路的第二输出端连接，所述第一支路用于复制并输出所述第二电流信号；第二支路，所述第二支路的第一输入端与所述基准电压产生电路的第一输出端连接，所述第二支路用于复制并输出所述第一电流信号；所述第一电...

【专利技术属性】
技术研发人员：汤少鳞，刘秋平，赵伍艳，雷源，
申请(专利权)人：深圳市力生美半导体股份有限公司，
类型：发明
国别省市：