含硼化合物、发光器件和显示装置制造方法及图纸

本申请涉及有机光电材料领域，提供了一种含硼化合物以及包含该含硼化合物的发光器件和显示装置。该含硼的化合物具有如式(Ⅰ)所示结构，该化合物具备窄半峰宽的荧光发射和高的发光效率的性能特点，可用于制备高色纯度、高效率的有机电致发光器件。致发光器件。致发光器件。

【技术实现步骤摘要】
含硼化合物、发光器件和显示装置


[0001]本申请涉及有机光电材料领域，具体涉及一种含硼化合物、发光器件和显示装置。

技术介绍

[0002]随着信息化时代的到来，新一代超高清(ultra
‑
high definition，UHD)视频制作与显示系统的显示标准对显示技术提出了更高的要求。在有机发光二极管(organic light
‑
emitting diode，OLED)中，有机发光材料用于其核心功能层，其研究在OLED领域占据重要地位。发光材料除了高效、稳定，也需要更窄的半峰宽以提升器件发光色纯度。当前，有机发光材料主要集中在磷光材料和热激发延迟荧光(thermally activated delayed fluorescence，TADF)材料，这两种材料均能完全利用单线激发态和三线激发态发光，从而达到100％的内量子效率。但是，基于传统磷光和TADF材料所制备的显示装置，由于其具备较宽的发射光谱，导致存在色纯度不佳问题，无法满足未来显示标准的需求。

技术实现思路

[0003]针对现有技术存在的上述问题，本申请提供了一种含硼化合物、发光器件和显示装置，具体的，该含硼化合物为双硼化合物，其具备窄半峰宽的荧光发射和高的发光效率的性能特点。
[0004]本申请提供一种含硼的有机发光材料，该含硼的有机发光材料具有如式(Ⅰ)所示结构，
[0005][0006]具体的，本申请的含硼的有机发光材料可选自如式(1
‑
1)或式(1
‑r/>2)所示结构：
[0007][0008]其中，式(Ⅰ)、式(1
‑
1)和式(1
‑
2)中，各所述Z各自独立地表示为
‑
CR1，各所述Z中的所述R1相同或者不同，相邻的所述R1可连接成环，各所述Z中的R1各自独立地选自氢、氘、氚、卤素、取代或未取代的C1～C10烷基、取代或未取代的C3～C10环烷基、取代或未取代的C1～C10烷氧基、取代或未取代的C6～C30芳基、取代或未取代的C2～C30杂芳基；
[0009]所述M1为取代或未取代的C6～C30芳环以及取代或未取代的C4～C30的杂芳环中
的一种；
[0010]所述X表示为
‑
O
‑
、
‑
S
‑
或
‑
N(R2)
‑
中的一种，R2选自氢、氘、氚、卤素、取代或未取代的C1～C10烷基、取代或未取代的C3～C10环烷基、取代或未取代的C1～C10烷氧基、取代或未取代的C6～C30芳基以及取代或未取代的C2～C30杂芳基中的一种，且R2可与邻近的M1连接成环。
[0011]其中，上述“取代的”是指至少一个氢原子由以下取代基来替代：氘、氚、氰基、卤素、C1
‑
C10的烷基、C6
‑
C30芳基、C2
‑
C30杂芳基；例如，取代的C1～C10烷基、取代的C3～C10环烷基、取代的C1～C10烷氧基、取代的C6～C30芳基以及取代的C2～C30杂芳基中的取代基各自独立地选自氘、氚、氰、卤素、C1
‑
C10的烷基、C6
‑
C30芳基、C2
‑
C30杂芳基。
[0012]杂芳基中的杂原子任选自氧原子、硫原子或氮原子中的一种或多种。
[0013]本申请的含硼化合物，含有两个B原子及两个杂原子，杂原子为O、S或N中的一种，可以产生共振效应，实现最高占据分子轨道(highest occupied molecular orbital，HOMO)能级和最低未占分子轨道(lowest unoccupied molecular orbital，LUMO)能级的分离，进而促进三线态与单线态之间的反系间窜越过程，达到100％的内量子效率，与现有技术含硼的有机发光材料相比，共振面积更大，共振效应更强。本申请的含硼的有机发光材料形成的稠环单元具有刚性骨架结构，能够降低激发态的结构驰豫程度，可以实现较窄的半峰宽，如可以实现小于30nm的半峰宽，可用作发光器件的发光层掺杂材料，从而提升器件的效率及发光色纯度。
[0014]在一种可能的实现方式中，所述相邻的相同或者不同的R1可以相互键结成五元环或六元环。
[0015]在一种可能的实现方式中，所述R2和M1可以相互键结成五元环或六元环。
[0016]在一种可能的实现方式中，所述R1、所述R2各自独立的选自氢、氘、氚、卤素、金刚烷基、甲基、氘代甲基、氚代甲基、三氟甲基、乙基、氘代乙基、氚代乙基、异丙基、氘代异丙基、氚代异丙基、叔丁基、氘代叔丁基、氚代叔丁基、环戊基、氘代环戊基、氚代环戊基、甲基取代的环戊基、环己基、苯基、氘代苯基、氚代苯基、二联苯基、氘代二联苯基、氚代二联苯基、三联苯基、氘代三联苯基、氚代三联苯基、二苯醚基、甲基取代的二苯醚基、萘基、蒽基、菲基、吡啶基、苯基取代的吡啶基、喹啉基、呋喃基、噻吩基、苯并呋喃基、二苯并呋喃基、二苯并噻吩基、咔唑基、N
‑
苯基咔唑基、9,9
‑
二甲基芴基、螺芴基、甲基取代的苯基、乙基取代的苯基、异丙基取代的苯基、叔丁基取代的苯基、甲基取代的二联苯基、乙基取代的二联苯基、异丙基取代的二联苯基、叔丁基取代的二联苯基、氘代甲基取代的苯基、氘代乙基取代的苯基、氘代异丙基取代的苯基、氘代叔丁基取代的苯基、氘代甲基取代的二联苯基、氘代乙基取代的二联苯基、氘代异丙基取代的二联苯基、氘代叔丁基取代的二联苯基、氚代甲基取代的苯基、氚代乙基取代的苯基、氚代异丙基取代的苯基、氚代叔丁基取代的苯基、氚代甲基取代的二联苯基、氚代乙基取代的二联苯基、氚代异丙基取代的二联苯基、氚代叔丁基取代的二联苯基、苯基取代的氨基、叔丁基苯取代的氨基、叔丁基取代的二苯并呋喃基、苯基取代的叔丁基、氧杂蒽酮基、苯基取代的三嗪基、苯基取代的硼烷基、甲氧基或叔丁氧基中的一种。
[0017]在一种可能的实现方式中，所述C6～C30芳基为苯基、萘基、蒽基、菲基、芘基、苯并菲基、二联苯基、三联苯基、二甲基芴基、二苯基芴基。C2～C30杂芳基表示为吡啶基、咔唑基、呋喃基、嘧啶基、吡嗪基、哒嗪基、噻吩基、二苯并呋喃基、9,9
‑
二甲基芴基、N
‑
苯基咔唑
基、喹啉基、异喹啉基、萘啶基、恶唑基、咪唑基、苯并恶唑基、苯并咪唑基中的一种。由此，取代的C1～C10烷基、取代的C3～C10环烷基、取代的C1～C10烷氧基、取代的C6～C30芳基以及取代的C2～C30杂芳基中的取代基各自独立地选自氕、氘、氚、氟、氰基、甲基、乙基、丙基、异丙基、叔丁基、苯基、萘基、二联苯基、三联苯基、芴基、吡啶基、嘧啶基、吡嗪基、哒嗪基、喹啉基、异喹啉基、苯并恶唑基、苯并噻唑基、苯并咪唑基、喹喔啉基、喹唑啉基、噌啉基、萘啶基、芴基、二苯并呋喃基、N
‑
苯基咔唑基或二苯并噻吩基中的一本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种含硼化合物，其特征在于，所述含硼化合物具有如式(Ⅰ)所示结构，其中，各所述Z各自独立地表示为
‑
CR1，各所述Z中的所述R1相同或者不同，相邻的所述R1可连接成环，各所述Z中的R1各自独立地选自氢、氘、氚、卤素、取代或未取代的C1～C10烷基、取代或未取代的C3～C10环烷基、取代或未取代的C1～C10烷氧基、取代或未取代的C6～C30芳基以及取代或未取代的C2～C30杂芳基中的一种；所述M1为取代或未取代的C6～C30芳环以及取代或未取代的C4～C30的杂芳环中的一种；所述X表示为
‑
O
‑
、
‑
S
‑
或
‑
N(R2)
‑
中的一种，R2选自氢、氘、氚、卤素、取代或未取代的C1～C10烷基、取代或未取代的C3～C10环烷基、取代或未取代的C1～C10烷氧基、取代或未取代的C6～C30芳基以及取代或未取代的C2～C30杂芳基中的一种，且R2可与邻近的M1连接成环；取代的C1～C10烷基、取代的C3～C10环烷基、取代的C1～C10烷氧基、取代的C6～C30芳基以及取代的C2～C30杂芳基中的取代基各自独立地选自氘、氚、氰、卤素、C1
‑
C10的烷基、C6
‑
C30芳基、C2
‑
C30杂芳基。2.根据权利要求1所述的含硼化合物，其特征在于，所述含硼化合物选自如式(1
‑
1)或式(1
‑
2)所示结构：3.根据权利要求1或2所述的含硼化合物，其特征在于，所述相邻的相同或者不同的R1可以相互键结成五元环或六元环。4.根据权利要求1
‑
3任一项所述的含硼化合物，其特征在于，所述R2和M1可以相互键结成五元环或六元环。5.根据权利要求1
‑
4任一项所述的含硼化合物，其特征在于，所述R1、所述R2各自独立的选自氢、氘、氚、卤素、金刚烷基、甲基、氘代甲基、氚代甲基、三氟甲基、乙基、氘代乙基、氚代乙基、异丙基、氘代异丙基、氚代异丙基、叔丁基、氘代叔丁基、氚代叔丁基、环戊基、氘代环戊基、氚代环戊基、甲基取代的环戊基、环己基、苯基、氘代苯基、氚代苯基、二联苯基、氘代二联苯基、氚代二联苯基、三联苯基、氘代三联苯基、氚代三联苯基、二苯醚基、甲基取...

【专利技术属性】
技术研发人员：张翰，李崇，曹旭东，徐增，梁啸，
申请(专利权)人：江苏三月科技股份有限公司，
类型：发明
国别省市：