一种半导体尾气管道防堵导流虹吸管道制造技术

本实用新型专利技术公开了一种半导体尾气管道防堵导流虹吸管道，包括装置本体，装置本体包括废气防堵装置、顶盖、上流通管道和下流通管道，顶盖安装在废气防堵装置顶部，上流通管道安装在顶盖顶部，下流通管道安装在废气防堵装置底部；废气防堵装置包括热氮气腔和向下流通管道，向下流通管道安装在热氮气腔底部热氮气腔呈圆柱状结构且内部为中空式结构，下流通管道呈圆柱状结构且内部为贯通式结构，热氮气腔右侧分别设有热氮进气腔和检测气体安装腔，热氮进气腔和检测气体安装腔均为贯通式结构。该种装置可以避免了进气口的堵塞问题，从而提高气体流动的均匀性，该种装置可以精确控制流出的孔径大小，达到出气均匀、虹吸防堵的目的。虹吸防堵的目的。虹吸防堵的目的。

【技术实现步骤摘要】
一种半导体尾气管道防堵导流虹吸管道


[0001]本技术涉及半导体设备
，具体为一种半导体尾气管道防堵导流虹吸管道。

技术介绍

[0002]在泛半导体行业生产过程中，大量使用化学品和特殊气体，生产环节持续产生大量有毒有害气体的工艺废气。工艺废气需要与生产工艺同步进行收集、治理和排放，废气处理设备是生产工艺中不可分割的组成部分，其安全稳定性直接关系到产能利用率、产品良率、员工职业健康及生态环境。
[0003]现有的半导体设备有如下缺陷：
[0004]现有在半导体废气处理设备中，在机台的废气进气口容易堵塞，导致半导体生产停滞延误，从而不能提高废气输送的效率，影响半导体废气的处理效率。

技术实现思路

[0005](一)解决的技术问题
[0006]针对现有技术的不足，本技术提供了一种半导体尾气管道防堵导流虹吸管道，解决了现有半导体废气处理设备中，在机台的废气进气口容易堵塞，导致半导体生产停滞延误，从而不能提高废气输送的效率，影响半导体废气的处理效率的问题。
[0007](二)技术方案
[0008]为实现以上目的，本技术通过以下技术方案予以实现：一种半导体尾气管道防堵导流虹吸管道，包括装置本体，所述装置本体包括废气防堵装置、顶盖、上流通管道和下流通管道，所述顶盖安装在废气防堵装置顶部，所述上流通管道安装在顶盖顶部，所述下流通管道安装在废气防堵装置底部；
[0009]优选的，所述废气防堵装置包括热氮气腔和向下流通管道，所述向下流通管道安装在热氮气腔底部热氮气腔呈圆柱状结构且内部为中空式结构，所述向下流通管道呈圆柱状结构且内部为贯通式结构，所述热氮气腔右侧分别设有热氮进气腔和检测气体安装腔，所述热氮进气腔和检测气体安装腔均为贯通式结构。
[0010]优选的，所述上流通管道顶部和下流通管道底部均设有安装块，所述安装块呈圆环状结构，所述安装块内侧设有固定凹槽，所述固定凹槽呈内凹状结构。
[0011]优选的，所述废气防堵装置、顶盖、上流通管道和下流通管道之间均通过焊接方式连接。
[0012](三)有益效果
[0013]本技术提供了一种半导体尾气管道防堵导流虹吸管道。具备以下有益效果：
[0014]该种半导体尾气管道防堵导流虹吸管道为焊接一体式结构，避免密封形式高温漏气风险，热氮气腔体有两个开孔，一个检测气体进气温度，一个向管道内输送热N2,热N2首先进入出口前的缓冲空间(热氮气腔)，在沿着细小的出口向外喷出气体柱，气体柱在管道
的内壁向下喷出，在管壁内侧形成无死角的高速气流，高速向下的气流在进气口处会形成向下的吸力，从而避免了进气口的堵塞问题，本结构及方法在于，加工过程中可以精确控制流出的孔径大小，达到出气均匀、虹吸防堵的目的。
附图说明
[0015]图1为本技术整体的结构示意图；
[0016]图2为本技术整体侧面的结构示意图；
[0017]图3为本技术整体的俯视图。
[0018]图中，1、装置本体；2、废气防堵装置；3、顶盖；4、上流通管道；5、下流通管道；6、热氮气腔；7、向下流通管道；8、热氮进气腔；9、检测气体安装腔；10、安装块；11、固定凹槽。
具体实施方式
[0019]下面将结合本技术实施例中的附图，对本技术实施例中的技术方案进行清楚、完整地描述，显然，所描述的实施例仅仅是本技术一部分实施例，而不是全部的实施例。基于本技术中的实施例，本领域普通技术人员在没有做出创造性劳动前提下所获得的所有其他实施例，都属于本技术保护的范围。
[0020]请参阅图1
‑
3，本技术实施例提供一种技术方案：一种半导体尾气管道防堵导流虹吸管道，包括装置本体1，所述装置本体1包括废气防堵装置2、顶盖3、上流通管道4和下流通管道5，所述顶盖3安装在废气防堵装置2顶部，所述上流通管道4安装在顶盖3顶部，所述下流通管道5安装在废气防堵装置2底部；
[0021]所述废气防堵装置2包括热氮气腔6和向下流通管道7，所述向下流通管道7安装在热氮气腔6底部热氮气腔6呈圆柱状结构且内部为中空式结构，所述向下流通管道7呈圆柱状结构且内部为贯通式结构，所述热氮气腔6右侧分别设有热氮进气腔8和检测气体安装腔9，所述热氮进气腔8和检测气体安装腔9均为贯通式结构，在使用时，气体会通过热氮气进气腔8进入氮气腔6内，从而在氮气腔6转动，气体在氮气腔6管壁内侧形成无死角的高速气流，高速向下的气流在进气口处会形成向下的吸力，从而保证了进气口的堵塞问题，最后通过下流通管道5进行输出，而上流通管道4气体呈竖直方式通过废气防堵装置2排入下流通管道5进行输出工作。
[0022]所述上流通管道4顶部和下流通管道5底部均设有安装块10，所述安装块10呈圆环状结构，所述安装块10内侧设有固定凹槽11，所述固定凹槽11呈内凹状结构，安装块10是为了便于方便与外界管道的连接，外界管道的管口可以卡入固定凹槽11内，进一步来达到对外界管道的连接。
[0023]所述废气防堵装置2、顶盖3、上流通管道4和下流通管道5之间均通过焊接方式连接，废气防堵装置2、顶盖3、上流通管道4和下流通管道5之间均通过焊接方式连接是为了提高连接处的密封性，从而通过焊接方式连接，还可以提高结构的稳定性。
[0024]工作原理：作业时，气体会通过热氮气进气腔8进入氮气腔6内，从而在氮气腔6转动，气体在氮气腔6管壁内侧形成无死角的高速气流，高速向下的气流在进气口处会形成向下的吸力，从而保证了进气口的堵塞问题，最后通过下流通管道5进行输出，而上流通管道4气体呈竖直方式通过废气防堵装置2排入下流通管道5进行输出工作。
[0025]本技术的1、装置本体；2、废气防堵装置；3、顶盖；4、上流通管道；5、下流通管道；6、热氮气腔；7、向下流通管道；8、热氮进气腔；9、检测气体安装腔；10、安装块；11、固定凹槽，部件均为通用标准件或本领域技术人员知晓的部件，其结构和原理都为本技术人员均可通过技术手册得知或通过常规实验方法获知，本技术解决的问题是现有半导体废气处理设备中，在机台的废气进气口容易堵塞，导致半导体生产停滞延误，从而不能提高废气输送的效率，影响半导体废气的处理效率的问题，本技术通过上述部件的互相组合，可以避免了进气口的堵塞问题，从而提高气体流动的均匀性，该种装置可以精确控制流出的孔径大小，达到出气均匀、虹吸防堵的目的。
[0026]以上显示和描述了本技术的基本原理和主要特征和本技术的优点,对于本领域技术人员而言，显然本技术不限于上述示范性实施例的细节，而且在不背离本技术的精神或基本特征的情况下，能够以其他的具体形式实现本技术。因此，无论从哪一点来看，均应将实施例看作是示范性的，而且是非限制性的，本技术的范围由所附权利要求而不是上述说明限定，因此旨在将落在权利要求的等同要件的含义和范围内的所有变化囊括在本技术内。不应将权利要求中的任何本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种半导体尾气管道防堵导流虹吸管道，其特征在于：包括装置本体(1)，所述装置本体(1)包括废气防堵装置(2)、顶盖(3)、上流通管道(4)和下流通管道(5)，所述顶盖(3)安装在废气防堵装置(2)顶部，所述上流通管道(4)安装在顶盖(3)顶部，所述下流通管道(5)安装在废气防堵装置(2)底部；所述废气防堵装置(2)包括热氮气腔(6)和向下流通管道(7)，所述向下流通管道(7)安装在热氮气腔(6)底部热氮气腔(6)呈圆柱状结构且内部为中空式结构，所述向下流通管道(7)呈圆柱状结构且内部为贯通式结构，所述热氮气腔(6)右侧分别...

【专利技术属性】
技术研发人员：崔汉博，崔汉宽，
申请(专利权)人：上海高笙集成电路设备有限公司，
类型：新型
国别省市：