等离子体边缘刻蚀设备制造技术

本实用新型专利技术公开了一种等离子体边缘刻蚀设备，其包括：等离子体处理腔室，所述等离子体处理腔室包括腔室盖和腔室壁；位于所述等离子体处理腔室内且相对设置的上电极组件和下电极组件；升降装置，用于使所述上电极组件上下运动；限位组件，所述上电极组件通过所述限位组件与所述腔室盖选择性地进行限位，其中，所述限位组件用于在开关所述腔室盖的过程中使所述上电极组件处于限位状态。本实用新型专利技术通过设置限位组件将上电极组件限位在腔室盖，避免在开腔时上电极组件相对于腔室盖之间的不规则晃动，这样的晃动会影响供水供气管路的连接稳定性，带来漏水漏气的风险。带来漏水漏气的风险。带来漏水漏气的风险。

【技术实现步骤摘要】
等离子体边缘刻蚀设备


[0001]本技术涉及半导体设备
，特别涉及一种等离子体边缘刻蚀设备。

技术介绍

[0002]在晶圆处理过程中，往往通过等离子体来对晶圆或沉积在晶圆上的膜进行蚀刻，但是这样的刻蚀容易在晶圆的边缘沉积反应生成物，从而可能对腔室产生污染。现有技术中，采用等离子体对晶圆的边缘进行清理，其将晶圆放置在边缘刻蚀设备反应腔中的下电极组件上，并通过与下电极组件相对设置的上电极组件限制等离子体进入晶圆中心区域，对晶圆的边缘区域进行清理。但这样的清理需要保证上电极组件对区域的限制非常精确，即要求上电极组件与下电极组件对中。关于该要求，上电极组件直接由升降装置支撑在腔室底部的边缘刻蚀设备具有显著的优势，如公开号为CN114203506的专利。但是这样的技术方案中，向上电极组件供水供气的管路也一般集成在下方的升降装置中，这就带来了一个弊端，即对上电极组件进行维护时就需要断水断电，这将极大的影响设备的使用效率。此外，将向上电极组件供水供气的管路从上方的腔室盖导入也存在弊端，因为在取放晶圆时，下电极组件需要上下移动，由于上电极组件与腔室盖之间没有相对固定，因此，在开关腔的过程中也不能保证管路的相对固定，容易影响管路连接的稳定性，导致管路的漏水漏气，这样的问题也存在于常规的边缘刻蚀设备。因此，为了安全起见，也需要在开腔维护时断水断气。即不管哪种情况，上电极组件都需要相对于下电极组件相对升降地运动，这样的运动都会导致供水供气管路的相对运动，影响管路的连接稳定性，带来漏水漏气的风险。

技术实现思路

[0003]本技术的目的是提供一种等离子体边缘刻蚀设备，该边缘刻蚀设备在对腔室进行开腔维护时能够避免进水进气管路不规则的晃动，减少对供水供气管路连接稳定性的影响，进而避免断水断气。
[0004]为了实现以上目的，本技术提供了一种等离子体边缘刻蚀设备，其特征在于，包括：
[0005]等离子体处理腔室，所述等离子体处理腔室包括腔室盖和腔室壁；
[0006]位于所述等离子体处理腔室内且相对设置的上电极组件和下电极组件；
[0007]升降装置，用于使所述上电极组件上下运动；
[0008]限位组件，所述上电极组件通过所述限位组件与所述腔室盖选择性地进行限位，其中，所述限位组件用于在开关所述腔室盖的过程中使所述上电极组件处于限位状态。
[0009]可选地，所述限位组件包括与所述上电极组件固定连接的中间件和将所述中间件限位于所述腔室盖上的限位单元。
[0010]可选地，所述腔室顶盖上设置有与所述中间件对应的通孔，所述中间件穿设于所述通孔中并可在通孔中上下移动。
[0011]可选地，所述中间件穿设于所述通孔，所述中间件与所述通孔之间具有间隙以允
许所述中间件在所述通孔的径向方向移动。
[0012]可选地，所述中间件的顶端设置有第一螺纹柱，所述连接单元为与所述第一螺纹柱匹配的螺母，所述螺母的径向尺寸大于所述通孔。
[0013]可选地，在所述腔室盖处于关闭状态且所述升降装置将所述上电极组件升到最高位置时，所述第一螺纹柱的最低位置处的螺纹不高于所述通孔的上表面。
[0014]可选地，所述中间件的底端设置有第二螺纹柱，所述上电极组件设置有与所述第二螺纹柱对应的螺纹孔。
[0015]可选地，还包括波纹管，所述波纹管套设于所述中间件并且所述波纹管的两端分别连接所述腔室盖和所述上电极组件。
[0016]可选地，所述限位组件包括位置传感装置、限位锁止单元和限位连接单元，其中，所述限位锁止单元设置和所述限位连接单元分别设置在所述腔室盖和所述上电极组件，所述位置传感装置件用于检测上电极组件的位置，所述限位锁止单元根据检测的位置信息锁止所述限位连接单元。
[0017]可选地，所述位置信息为所述上电极组件的位置高于取放所述下电极组件上的晶圆时所述上电极组件的位置。
[0018]可选地，限位组件为伸缩元件，所述伸缩元件两端分别固定连接于所述上电极组件和所述腔室盖，所述伸缩元件可在伸缩到预定位置后自动锁止。
[0019]可选地，所述限位组件为螺栓，所述腔室盖上设置有通孔，所述上电极组件设置有与所述通孔对应并且与所述螺栓匹配的螺纹孔，所述螺栓的头部尺寸大于所述通孔。
[0020]可选地，所述限位组件还用于在所述刻蚀设备处于工艺状态时处于非限位状态。
[0021]可选地，所述升降装置设置在所述上电极组件的下方。
[0022]可选地，所述限位组件的数量至少为两个，所述限位组件在所述腔室盖上均匀分布。
[0023]可选地，还包括供应管路，所述腔室盖的中心设置有管路孔，所述供应管路穿过所述管路孔并与所述上电极组件中部的接口连接。
[0024]可选地，所述腔室盖和所述腔室壁之间设置有开盖机构，所述开盖机构的一端与所述腔室盖直接固定连接，另一端与所述腔室壁相对固定连接。
[0025]本技术至少具有以下优点之一：本申请通过设置限位组件，用于在开关所述腔室盖的过程中将上电极组件限位于腔室盖，使所述腔室盖和所述上电极组件保持一定程度的相对固定，进而在开关腔过程中避免断水断气，极大的提高了边缘刻蚀设备的使用效率。
附图说明
[0026]图1为本技术一实施例提供的一种边缘刻蚀设备的结构示意图；
[0027]图2为本技术一实施例提供的一种边缘刻蚀设备处于限位状态的结构示意图；
[0028]图3为本技术一实施例提供的一种边缘刻蚀设备处于开腔状态的示意图。
[0029]图4为本技术另一实施例提供的一种边缘刻蚀设备的示意图。
[0030]图5为本技术又一实施例提供的一种边缘刻蚀设备的示意图。
[0031]图6为本技术再一实施例提供的一种边缘刻蚀设备的示意图。
具体实施方式
[0032]以下结合附图和具体实施方式对本技术提出的一种边缘刻蚀设备作进一步详细说明。根据下面说明，本技术的优点和特征将更清楚。需要说明的是，附图采用非常简化的形式且均使用非精准的比例，仅用以方便、明晰地辅助说明本技术实施方式的目的。为了使本技术的目的、特征和优点能够更加明显易懂，请参阅附图。须知，本说明书所附图式所绘示的结构、比例、大小等，均仅用以配合说明书所揭示的内容，以供熟悉此技术的人士了解与阅读，并非用以限定本技术实施的限定条件，故不具技术上的实质意义，任何结构的修饰、比例关系的改变或大小的调整，在不影响本技术所能产生的功效及所能达成的目的下，均应仍落在本技术所揭示的
技术实现思路
能涵盖的范围内。
[0033]如图1所示，是本申请提出的一种等离子体边缘刻蚀设备的结构示意图，该等离子体边缘刻蚀设备包括至少由腔室盖120和腔室壁140组成的等离子体处理腔室，在等离子体处理腔室内设置有相对的上电极组件110和下电极组件160。其中，下电极组件160用于在边缘刻蚀时支撑晶圆，上电极组件120上设置有与下电极组件相对的等离子体本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种等离子体边缘刻蚀设备，其特征在于，包括：等离子体处理腔室，所述等离子体处理腔室包括腔室盖和腔室壁；位于所述等离子体处理腔室内且相对设置的上电极组件和下电极组件；升降装置，用于使所述上电极组件上下运动；限位组件，所述上电极组件通过所述限位组件与所述腔室盖选择性地进行限位，其中，所述限位组件用于在开关所述腔室盖的过程中使所述上电极组件处于限位状态。2.如权利要求1所述的等离子体边缘刻蚀设备，其特征在于，所述限位组件包括与所述上电极组件固定连接的中间件和将所述中间件限位于所述腔室盖上的限位单元。3.如权利要求2所述的等离子体边缘刻蚀设备，其特征在于，所述腔室盖上设置有与所述中间件对应的通孔，所述中间件穿设于所述通孔中并可在通孔中上下移动。4.如权利要求3所述的等离子体边缘刻蚀设备，其特征在于，所述中间件穿设于所述通孔，所述中间件与所述通孔之间具有间隙以允许所述中间件在所述通孔的径向方向移动。5.如权利要求3所述的等离子体边缘刻蚀设备，其特征在于，所述中间件的顶端设置有第一螺纹柱，所述限位单元为与所述第一螺纹柱匹配的螺母，所述螺母的径向尺寸大于所述通孔。6.如权利要求5所述的等离子体边缘刻蚀设备，其特征在于，在所述腔室盖处于关闭状态且所述升降装置将所述上电极组件升到最高位置时，所述第一螺纹柱的最低位置处的螺纹不高于所述通孔的上表面。7.如权利要求5所述的等离子体边缘刻蚀设备，其特征在于，所述中间件的底端设置有第二螺纹柱，所述上电极组件设置有与所述第二螺纹柱对应的螺纹孔。8.如权利要求3所述的等离子体边缘刻蚀设备，其特征在于，还包括波纹管，所述波纹管套设于所述中间件并且所述波纹管的两端分别连接所述腔室盖和所述上电极组件。9.如权利要求1所述的等离子体边缘刻...

【专利技术属性】
技术研发人员：王恒阳，连增迪，
申请(专利权)人：中微半导体设备上海股份有限公司，
类型：新型
国别省市：