一种改性草酸锂补锂剂及其制备方法和应用技术

本发明专利技术公开了一种改性草酸锂补锂剂及其制备方法和应用。所述改性草酸锂补锂剂的制备原料包括草酸锂颗粒、导电剂和催化剂，所述催化剂催化草酸锂脱锂反应能垒为0.4eV～0.6eV，所述草酸锂颗粒的纵横直径比为2～6。本发明专利技术采用一定纵横直径比的草酸锂颗粒，利用特殊晶面修饰特定反应能垒的催化剂，并利用导电剂提升补锂剂的电子迁移率，能够有效降低草酸锂补锂剂的催化脱锂电位，并提高草酸锂的补锂容量。并提高草酸锂的补锂容量。并提高草酸锂的补锂容量。

【技术实现步骤摘要】
一种改性草酸锂补锂剂及其制备方法和应用


[0001]本专利技术属于电池
，涉及一种改性草酸锂补锂剂及其制备方法和应用。

技术介绍

[0002]近年来，随着储能市场的日益增长，长寿命、高安全性储能电池越来越受到人们的关注，其中，正极补锂技术能够有效提高电池的容量和循环性能，受到科研人员的关注，正极补锂材料需要相对稳定的成本、良好的加工性和可制造性，其中，价格低廉的草酸锂，因其具有较高理论容量和良好的稳定性，具有非常高的市场应用价值。
[0003]但与此同时，草酸锂也存在一定的缺点，虽然草酸锂的理论容量很高，但是其较高的脱锂电位(4.7V以上)，难以匹配现有的正极材料的工作电压，因此，如何有效地降低草酸锂的脱锂电位和最大程度地发挥草酸锂的容量，是草酸锂补锂剂的产业化进程中急需解决的技术问题。

技术实现思路

[0004]针对现有技术中存在的上述问题，本专利技术的目的在于提供一种改性草酸锂补锂剂及其制备方法和应用。
[0005]为达上述目的，本专利技术采用以下技术方案：
[0006]第一方面，本专利技术提供本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种改性草酸锂补锂剂，其特征在于，所述改性草酸锂补锂剂的制备原料包括草酸锂颗粒、导电剂和催化剂，所述催化剂催化草酸锂脱锂反应能垒为0.4eV～0.6eV，所述草酸锂颗粒的纵横直径比为2～6。2.根据权利要求1所述的改性草酸锂补锂剂，其特征在于，所述改性草酸锂补锂剂的形貌为由一次颗粒构成的二次颗粒，所述一次颗粒中包括草酸锂、导电剂和催化剂，所述改性草酸锂补锂剂具有中空结构；优选地，所述一次颗粒的粒径在50nm～400nm范围内；优选地，所述二次颗粒为球形颗粒；优选地，所述二次颗粒的粒径D50为6μm～10μm。3.根据权利要求1或2所述的改性草酸锂补锂剂，其特征在于，所述草酸锂颗粒的粒度D90、粒度D10和粒度D50满足以下关系：Q＝(D90
‑
D10)/D50，Q为2～3；优选地，所述导电剂为碳材料，优选包括碳纳米管、乙炔黑、KB、SP、C60和石墨烯中的至少一种；优选地，所述导电剂中包含亲电子基团；优选地，所述导电剂为羧基化修饰的导电剂，羧基基团的质量占比为1％～5％；优选地，所述导电剂的平均一次颗粒粒径为30nm～100nm；优选地，所述导电剂的拉曼光谱中，D峰与G峰的峰强之比I
D
/I
Q
为1.0～1.5。优选地，所述导电剂与所述草酸锂颗粒的比表面积之比P为50～100；优选地，所述催化剂包括TiO2、MnO2、Mo2N、NiO、Mo2C、Co3O4、TiB2、ZnO和MgO中的至少一种；优选地，所述催化剂的比表面积为40m2/g～80m2/g；优选地，所述催化剂的XRD图谱中，衍射峰200与衍射峰311的峰强比I
200
/I
311
大于等于2；优选地，所述催化剂与所述草酸锂颗粒的粒度D50之比为0.01～0.02；优选地，所述草酸锂颗粒的质量占所述草酸锂颗粒、导电剂和催化剂的总质量的50％～80％；优选地，所述导电剂和所述催化剂的质量比为(1～4):1。4.根据权利要求1
‑
3任一项所述的改性草酸锂补锂剂，其特征在于，所述改性草酸锂补锂剂的导电率为3
×
10
‑2～3
×
10
‑3S/cm；优选地，所述改性草酸锂补锂剂的XRD图谱中，衍射峰200与衍射峰311的峰强比I
200
/I
311
大于等于1。5.一种如权利要求1
‑
4任一项所述的改性草酸锂补锂剂的...

【专利技术属性】
技术研发人员：郭丰，乔齐齐，王鹏飞，施泽涛，李子郯，杨红新，
申请(专利权)人：锂白新材料科技江苏有限公司，
类型：发明
国别省市：