一种LED外延片的剥离方法及剥离装置制造方法及图纸

本发明专利技术提供一种LED外延片的剥离方法及剥离装置，通过对剥离装置的统一设计，主要由耐酸碱浸泡缸、加热模块、温度控制器、蠕动泵以及用于连接蠕动泵和耐酸碱浸泡缸上进液组件及出液口的PE软管，共同组成了用于剥离LED外延片的LED外延片的剥离装置，并配合统一的剥离方法采用药液冲洗剥离手段，相比于目前通过如激光剥离或打磨调整方式所运用的高精度仪器，本发明专利技术使用成本低且操作便捷。本发明专利技术使用成本低且操作便捷。本发明专利技术使用成本低且操作便捷。

【技术实现步骤摘要】
一种LED外延片的剥离方法及剥离装置


[0001]本专利技术涉及LED
，特别涉及一种LED外延片的剥离方法及剥离装置。

技术介绍

[0002]外延是半导体工艺当中的一种。在bipolar工艺中，硅片最底层是P型衬底硅(有的加点埋层)；然后在衬底上生长一层单晶硅，这层单晶硅称为外延层；再后来在外延层上注入基区、发射区等等。最后基本形成纵向NPN管结构:外延层在其中是集电区，外延上面有基区和发射区。外延片就是在衬底上做好外延层的硅片。
[0003]而在目前外延片在衬底上生长工艺中也存在外延片生长缺陷如生长位置异常或表面外形异常等情况，为节省工艺成本需将衬底表面存在缺陷的外延片进行剥离。
[0004]然而目前对于外延片与衬底之间的剥离全凭经验之谈，如激光剥离或打磨调整等手段，均需运用到较多精密仪器辅助，且对应的剥离装置也无统一标准，导致目前外延片与衬底之间的剥离无标准化剥离手段，且仪器操作难度较大使用成本较高，特别是在量产后的LED芯片颗粒，售出失效后的分析过程中，无法根据不同大小芯片类型确定统一的剥离方式。

技术实现思路

[0005]基于此，本专利技术的目的是提供一种LED外延片的剥离方法及剥离装置，旨在解决现有技术中，目前外延片与衬底之间的剥离无标准化剥离手段，且仪器操作难度较大使用成本较高的问题。
[0006]本专利技术实施例一方面提供了一种LED外延片的剥离装置，包括用于容置LED外延片的耐酸碱浸泡缸、设置在所述耐酸碱浸泡缸顶部外侧的加热模块、与所述加热模块电性连接的温度控制器以及通过PE软管与所述加热模块连通的蠕动泵；
[0007]所述耐酸碱浸泡缸包括内侧嵌设的用于承载LED外延片的载物台、顶部嵌设的与所述温度控制器连通的进液组件、设置在所述耐酸碱浸泡缸底部的蓄液组件以及底部外侧向外延伸出的与所述进液组件呈对角设置的出液口；
[0008]其中，所述出液口与所述蓄液组件连通，所述出液口和所述进液组件延伸出所述耐酸碱浸泡缸处分别连接有所述PE软管，且两所述PE软管分别与所述蠕动泵两侧的进出口连通。
[0009]进一步的，所述进液组件包括贯穿所述耐酸碱浸泡缸顶部一侧的进液口、套设在所述进液口位于所述耐酸碱浸泡缸内侧的伸缩进液管以及与所述伸缩进液管远离所述进液口一端连接的进液管，所述进液口与所述PE软管连通。
[0010]进一步的，所述蓄液组件包括搭接在所述耐酸碱浸泡缸内侧底部的隔板以及开设在隔板上的多个滤孔，所述隔板与所述耐酸碱浸泡缸底部空设出蓄液空间。
[0011]进一步的，所述蓄液空间与所述出液口连通，所述蓄液空间的内壁设置有指示刻度。
[0012]进一步的，所述耐酸碱浸泡缸还包括一侧嵌设的浸泡缸，所述耐酸碱浸泡缸顶部设置有顶盖，所述顶盖上开设有观察窗。
[0013]本专利技术实施例另一方面提供了一种LED外延片的剥离方法，用于上述的LED外延片的剥离装置中，所述方法包括：
[0014]步骤一，将LED芯片所需剥离部位按照朝上外露的方式黏附在薄膜上，将黏附有LED芯片的薄膜放置在载物台上，并调整进液管于所述LED外延片正上方；
[0015]步骤二，获取当前LED芯片类型，根据所述类型确定药液盐酸HCL和药液氢氟酸HF的调配比例确定为调配药液，并将所述调配药液注入耐酸碱浸泡缸内；
[0016]步骤三，获取所述耐酸碱浸泡缸内的环境温度，并判断所述环境温度是否达到预设值；
[0017]若是，唤醒蠕动泵引导所述耐酸碱浸泡缸内的所述调配药液，沿所述进液管流出至正下方所述LED外延片上，直至完成剥离后结束；
[0018]若否，对所述耐酸碱浸泡缸内进行升温，直至满足所述环境温度的所述预设值。
[0019]进一步的，所述获取当前LED芯片的类型，根据所述类型确定药液盐酸HCL和药液氢氟酸HF的调配比例确定为调配药液的步骤包括：
[0020]判断所述LED芯片的类型为正装LED芯片或倒装LED芯片；
[0021]当确定所述LED芯片为正装LED芯片时，则药液盐酸HCL和药液氢氟酸HF的调配比例为1:1；
[0022]当确定所述LED芯片为倒装LED芯片时，则药液盐酸HCL和药液氢氟酸HF的调配比例为0.8:1.2。
[0023]进一步的，所述将所述调配药液注入耐酸碱浸泡缸内的步骤之前包括：
[0024]确定所述耐酸碱浸泡缸内最低指示刻度，并根据所述最低指示刻度和所述耐酸碱浸泡缸底面积确定当前所述最低指示刻度下所述耐酸碱浸泡缸底部容量值，并根据所述容量值确定所述调配药液注入量。
[0025]进一步的，所述唤醒蠕动泵引导所述耐酸碱浸泡缸内的所述调配药液，沿所述进液管流出至正下方所述LED外延片上，直至完成剥离后结束的步骤还包括：
[0026]当所述LED芯片类型为所述正装LED芯片、芯片尺寸范围在3mil～30mil以及所述耐酸碱浸泡缸内所述环境温度达到预设值时，满足剥离条件，剥离时长为20min～120min；
[0027]当所述LED芯片类型为所述倒装LED芯片、芯片尺寸范围在4mil～55mil以及所述耐酸碱浸泡缸内所述环境温度达到预设值时，满足剥离条件，剥离时长为40min
‑
120min。
[0028]本专利技术实施例另一方面提供了一种LED外延片的剥离方法，在所述的LED外延片剥离方法的步骤一中，所述进液管位于所述LED外延片正上方1cm～2cm处。
[0029]与现有技术相比：通过对剥离装置的统一设计，主要由耐酸碱浸泡缸、加热模块、温度控制器、蠕动泵以及用于连接蠕动泵和耐酸碱浸泡缸上进液组件及出液口的PE软管，共同组成了用于剥离LED外延片的LED外延片的剥离装置，操作时仅需将所需剥离的LED芯片放置在耐酸碱浸泡缸内设置的载物台上，并通过开启蠕动泵对耐酸碱浸泡缸中的药液进行抽取通过进液组件导出至载物台上放置的LED芯片表面进行药液冲洗剥离，另外，操作人员可通过控制器开启加热模块，并由温度控制器实时温度管控，以使加热模块对PE软管内的药液进行加热后导出，提高药液与LED芯片接触时的反应效率，确保剥离质量，本专利技术满
足了对装置结构的统一，且对于剥离LED外延片的手段采用药液冲洗剥离，相比于目前通过如激光剥离或打磨调整方式所运用的高精度仪器，本专利技术使用成本低且操作便捷。
附图说明
[0030]图1为本专利技术实施例一中的一种LED外延片的剥离装置的结构示意图；
[0031]图2为本专利技术实施例一中的一种LED外延片的剥离装置中耐酸碱浸泡缸的结构示意图；
[0032]图3为本专利技术实施例一中的一种LED外延片的剥离装置中耐酸碱浸泡缸的俯视结构示意图；
[0033]图4为本专利技术实施例二中的一种LED外延片的剥离方法的流程示意图。
[0034]主要元件符号说明：
[0035]耐酸碱浸泡缸1载物台18顶盖11隔板19观察窗12滤孔110浸泡缸13指示刻度111进液口14加热模块2伸缩进液本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种LED外延片的剥离装置，其特征在于，包括用于容置LED外延片的耐酸碱浸泡缸、设置在所述耐酸碱浸泡缸顶部外侧的加热模块、与所述加热模块电性连接的温度控制器以及通过PE软管与所述加热模块连通的蠕动泵；所述耐酸碱浸泡缸包括内侧嵌设的用于承载LED外延片的载物台、顶部嵌设的与所述温度控制器连通的进液组件、设置在所述耐酸碱浸泡缸底部的蓄液组件以及底部外侧向外延伸出的与所述进液组件呈对角设置的出液口；其中，所述出液口与所述蓄液组件连通，所述出液口和所述进液组件延伸出所述耐酸碱浸泡缸处分别连接有所述PE软管，且两所述PE软管分别与所述蠕动泵两侧的进出口连通。2.根据权利要求1所述的LED外延片的剥离装置，其特征在于，所述进液组件包括贯穿所述耐酸碱浸泡缸顶部一侧的进液口、套设在所述进液口位于所述耐酸碱浸泡缸内侧的伸缩进液管以及与所述伸缩进液管远离所述进液口一端连接的进液管，所述进液口与所述PE软管连通。3.根据权利要求1所述的LED外延片的剥离装置，其特征在于，所述蓄液组件包括搭接在所述耐酸碱浸泡缸内侧底部的隔板以及开设在隔板上的多个滤孔，所述隔板与所述耐酸碱浸泡缸底部空设出蓄液空间。4.根据权利要求3所述的LED外延片的剥离装置，其特征在于，所述蓄液空间与所述出液口连通，所述蓄液空间的内壁设置有指示刻度。5.根据权利要求1所述的LED外延片的剥离装置，其特征在于，所述耐酸碱浸泡缸还包括一侧嵌设的浸泡缸，所述耐酸碱浸泡缸顶部设置有顶盖，所述顶盖上开设有观察窗。6.一种LED外延片的剥离方法，其特征在于，采用权利要求1
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5任一项所述的LED外延片的剥离装置，所述方法包括：步骤一，将LED芯片所需剥离部位按照朝上外露的方式黏附在薄膜上，将黏附有LED芯片的薄膜放置在载物台上，并调整进液管于所述LED外延片正上方；步骤二，获取当前LED芯片类型，根据所述类型确定药液盐酸HCL和药液氢氟酸HF的调配比例确定为调配药液，并将所述调配药液注入耐酸碱浸泡缸内；步骤三，获取所述耐酸...

【专利技术属性】
技术研发人员：骆乾峰，赵龙，丁希岳，庄桂红，胡加辉，金从龙，
申请(专利权)人：江西兆驰半导体有限公司，
类型：发明
国别省市：